Tranzystory (wyszukane: 10682)
| Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Ładunek bramki
|
Częstotliwość graniczna
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Typ tranzystora
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Montaż
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC848B SOT23 FUXINSEMI
Tranzystor GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: BC848B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | NXP | 250mW | 290 | 100MHz | 100mA | 30V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BCV47 SOT23 FUXINSEMI
Tranzystor NPN; 10000; 200mW; 60V; 500mA; 220MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCV47,215; BCV47,235; BCV47E6327HTSA1; BCV47E6327XT; BCV47E6433HTMA1; BCV47E6433XT; BCV47E6393HTSA1; BCV47TA;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: BCV47 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | FUXINSEMI | 300mW | 2000 | 170MHz | 500mA | 60V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
15T65SD JUXING
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 37,5W; 4,5V~6,5V; 21,1nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | JUXING | 21,1nC | 37,5W | 60A | 30A | 4,5V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | 650V | THT | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
MMBT5551 SOT23(T/R) FUXIN
Tranzystor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: MMBT5551 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | FUXINSEMI | 350mW | 250 | 100MHz | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BC847PN SOT363 HT SEMI
Tranzystor NPN/PNP; 450; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847PNH6433XTMA1; BC847PNH6727XTSA1; BC847PNH6327XTSA1; SP000747288; SP000747296; SP000747292;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC847PN RoHS .:7P Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC857S SOT363 HT SEMI
DUAL-PNP -100mA -45V 300mW 100MHz
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC857S RoHS 3C Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
DTC114ECA SOT23(T/R) YFW
200mW 100mA SOT-23 Digital Transistors ROHS
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: DTC114ECA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2SC2240-G TO92 YFW
120V 300mW 100mA NPN TO-92 Bipolar (BJT) ROHS
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: 2SC2240-G RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
YFW13007AT TO220 YFW
400V 2W 8A TO-220AB Bipolar (BJT) ROHS ODPOWIEDNIK: MJE13007; ST13007;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW13007AT RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW13007AT RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
13007 TO220 REALCHIP
Tranzystor NPN; 30; 80W; 400V; 8A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE13007; MJE13007G; ST13007; FJP13007TU; PHE13007,127; ST13007D;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: 13007 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC807-40 REALCHIP
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 300mW; SOT23 Odpowiednik: BC807-40-YAN; MOT807-40; BC807-40;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC807-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
11980 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC807-40 HT SEMI
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 300mW; SOT23 Odpowiednik: BC807-40-YAN; BC807-40; MOT807-40;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC807-40 RoHS 5C Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC807-40W smd REALCHIP
Tranzystor PNP; 600; 200mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40W,115; BC807-40WT1G; BC807-40W,135; BC807-40W.115; BC807-40W-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC807-40W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
4440 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC807-40W smd HT SEMI
Tranzystor PNP; 600; 200mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40W,115; BC807-40WT1G; BC807-40W,135; BC807-40W.115; BC807-40W-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC807-40W RoHS 5C Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC817-25 REALCHIP
Tranzystor NPN; 400; 250mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC817-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
D882 TO126 REALCHIP
Tranzystor NPN; 400; 1W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SD882; 2SD882L-Q-T60-K (Discontinued 2SD882L-P-T60-K);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: D882 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2SA1943 2-21F1A OSEN
Tranzystor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
OSEN Symbol Producenta: 2SA1943 2-21F1A RoHS Obudowa dokładna: 2-21F1A |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
BC857C SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BC857C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC857C RoHS 3G Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
2SA720 ZEHUA
Tranzystor PNP; 340; 625mW; 50V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SA720-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | ZEHUA | 625mW | 340 | 200MHz | 500mA | 50V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BGN40Q120SD BYD
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0V~7,0V; 142nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | BYD | 142nC | 428W | 160A | 80A | 5,0V ~ 7,0V | -40°C ~ 175°C | 1200V | THT | 20V | |||||||||||||||||||||||||
|
BC108A
Tranzystor NPN; Bipolarny; 220; 45V; 150MHz; 200mA; 300mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: BC108A-CDI; BC108A;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
790 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 18 | CDIL | 300mW | 220 | 150MHz | 200mA | 45V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
MMBT5551
Tranzystor NPN; Bipolarny; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 300 | 300MHz | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
BDW93CFP
Trans Darlington NPN 100V 12A 33000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: BDW93CFP RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: BDW93CFP Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
16757 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: BDW93CFP Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
12073 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: BDW93CFP Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnętrzny:
28100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
S8050 MDD(MICRODIODE)
Tranzystor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8050-ML; KST8050S;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
8980 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 150MHz | 500mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
S8550 China
Tranzystor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 150MHz; -500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8550-ML; KST8550S;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 150MHz | -500mA | -25V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
S9013 (J3)
Tranzystor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; S9013-L-YAN; S9013-H-YAN; MOSLEADER S9013-ML;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 150MHz | 500mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
SS8050 SOT23
Tranzystor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; KST8550; MOSLEADER SS8050-ML;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 100MHz | 1,5A | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
SS8550 SOT-23 MDD(MICRODIODE) MDD
Tranzystor PNP; Bipolarny; 400; -25V; -5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER SS8550-ML; SS8550-D;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 100MHz | 1,5A | -25V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
DGC40F120M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 388W; 4,5V~6,5V; 198nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Donghai | 198nC | 388W | 160A | 80A | 4,5V ~ 6,5V | -45°C ~ 175°C | 1200V | THT | 30V | |||||||||||||||||||||||||
|
DGC40H65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 80A; 160A; 280W; 5,0V~7,0V; 84nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
120 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/120 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Donghai | 84nC | 280W | 160A | 80A | 5,0V ~ 7,0V | -45°C ~ 175°C | 650V | THT | 30V | |||||||||||||||||||||||||