Tranzystory (wyszukane: 10682)

1    2  3  4  5  6  7  8  9  10    357
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Ładunek bramki
Częstotliwość graniczna
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalny prąd kolektora
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Maksymalne napięcie dren-bramka
Typ tranzystora
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Napięcie kolektor-emiter
Montaż
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
BC848B SOT23 FUXINSEMI Tranzystor GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
BC848B RoHS || BC848B SOT23 FUXINSEMI SOT23
Producent:
FUXINSEMI
Symbol Producenta:
BC848B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1640 0,0599 0,0317 0,0237 0,0219
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 NXP 250mW 290 100MHz 100mA 30V NPN -65°C ~ 150°C
BCV47 SOT23 FUXINSEMI Tranzystor NPN; 10000; 200mW; 60V; 500mA; 220MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCV47,215; BCV47,235; BCV47E6327HTSA1; BCV47E6327XT; BCV47E6433HTMA1; BCV47E6433XT; BCV47E6393HTSA1; BCV47TA;
BCV47 RoHS || BCV47 SOT23 FUXINSEMI SOT23
Producent:
FUXINSEMI
Symbol Producenta:
BCV47 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5110 0,2350 0,1280 0,0954 0,0852
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 FUXINSEMI 300mW 2000 170MHz 500mA 60V NPN -55°C ~ 150°C
15T65SD JUXING Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 37,5W; 4,5V~6,5V; 21,1nC; -40°C~175°C;
15T65SD RoHS || 15T65SD JUXING TO220iso
Producent:
JUXING
Symbol Producenta:
15T65SD RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,8100 3,5300 2,8300 2,4300 2,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
TO220iso JUXING 21,1nC 37,5W 60A 30A 4,5V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C 650V THT 20V
MMBT5551 SOT23(T/R) FUXIN Tranzystor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO;
MMBT5551 RoHS || MMBT5551 SOT23(T/R) FUXIN SOT23
Producent:
FUXINSEMI
Symbol Producenta:
MMBT5551 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
15000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1690 0,0615 0,0326 0,0243 0,0225
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 FUXINSEMI 350mW 250 100MHz 600mA 160V NPN -55°C ~ 150°C
BC847PN SOT363 HT SEMI Tranzystor NPN/PNP; 450; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847PNH6433XTMA1; BC847PNH6727XTSA1; BC847PNH6327XTSA1; SP000747288; SP000747296; SP000747292;
BC847PN RoHS .:7P || BC847PN SOT363 HT SEMI SOT363
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BC847PN RoHS .:7P
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
 
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 6000+
cena netto (PLN) 0,3330 0,1280 0,0619 0,0490 0,0476
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Ilość (wielokrotność 10)
BC857S SOT363 HT SEMI DUAL-PNP -100mA -45V 300mW 100MHz
BC857S RoHS 3C || BC857S SOT363 HT SEMI SOT363
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BC857S RoHS 3C
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3210 0,1240 0,0604 0,0480 0,0459
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
DTC114ECA SOT23(T/R) YFW 200mW 100mA SOT-23 Digital Transistors ROHS
DTC114ECA RoHS || DTC114ECA SOT23(T/R) YFW SOT23
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
DTC114ECA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3420 0,1320 0,0642 0,0511 0,0488
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
2SC2240-G TO92 YFW 120V 300mW 100mA NPN TO-92 Bipolar (BJT) ROHS
2SC2240-G RoHS || 2SC2240-G TO92 YFW TO92
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
2SC2240-G RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
 
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,5330 0,2040 0,1150 0,0948 0,0888
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
YFW13007AT TO220 YFW 400V 2W 8A TO-220AB Bipolar (BJT) ROHS ODPOWIEDNIK: MJE13007; ST13007;
YFW13007AT RoHS || YFW13007AT TO220 YFW TO220
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW13007AT RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,8800 1,8200 1,4400 1,3100 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
 
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW13007AT RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,8800 1,8200 1,4400 1,3100 1,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
13007 TO220 REALCHIP Tranzystor NPN; 30; 80W; 400V; 8A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE13007; MJE13007G; ST13007; FJP13007TU; PHE13007,127; ST13007D;
13007 RoHS || 13007 TO220 REALCHIP TO220
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
13007 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,3600 2,1300 1,6800 1,5300 1,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
BC807-40 REALCHIP Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 300mW; SOT23 Odpowiednik: BC807-40-YAN; MOT807-40; BC807-40;
BC807-40 RoHS || BC807-40 REALCHIP SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BC807-40 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
11980 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2310 0,0863 0,0462 0,0345 0,0318
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
BC807-40 HT SEMI Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 300mW; SOT23 Odpowiednik: BC807-40-YAN; BC807-40; MOT807-40;
BC807-40 RoHS 5C || BC807-40 HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BC807-40 RoHS 5C
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2310 0,0863 0,0462 0,0345 0,0318
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
BC807-40W smd REALCHIP Tranzystor PNP; 600; 200mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40W,115; BC807-40WT1G; BC807-40W,135; BC807-40W.115; BC807-40W-YAN;
BC807-40W RoHS || BC807-40W smd REALCHIP SOT323
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BC807-40W RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
 
Stan magazynowy:
4440 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3490 0,1340 0,0655 0,0521 0,0498
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
BC807-40W smd HT SEMI Tranzystor PNP; 600; 200mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC807-40W,115; BC807-40WT1G; BC807-40W,135; BC807-40W.115; BC807-40W-YAN;
BC807-40W RoHS 5C || BC807-40W smd HT SEMI SOT323
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BC807-40W RoHS 5C
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3380 0,1300 0,0636 0,0506 0,0483
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
BC817-25 REALCHIP Tranzystor NPN; 400; 250mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25,215; BC817-25,235;
BC817-25 RoHS || BC817-25 REALCHIP SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BC817-25 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
12000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2450 0,0917 0,0491 0,0366 0,0338
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
Ilość (wielokrotność 10)
D882 TO126 REALCHIP Tranzystor NPN; 400; 1W; 30V; 3A; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SD882; 2SD882L-Q-T60-K (Discontinued 2SD882L-P-T60-K);
D882 RoHS || D882 TO126 REALCHIP TO126
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
D882 RoHS
Obudowa dokładna:
TO126bulk
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5990 0,4660 0,4220 0,4080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
2SA1943 2-21F1A OSEN Tranzystor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C;
2SA1943 2-21F1A RoHS || 2SA1943 2-21F1A OSEN 2-21F1A
Producent:
OSEN
Symbol Producenta:
2SA1943 2-21F1A RoHS
Obudowa dokładna:
2-21F1A
 
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 6,9000 5,1200 4,4100 4,1600 4,0600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
BC857C SOT23 HT SEMI Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BC857C;
BC857C RoHS 3G || BC857C SOT23 HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BC857C RoHS 3G
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
30000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1730 0,0632 0,0334 0,0250 0,0231
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
Ilość (wielokrotność 10)
2SA720 ZEHUA Tranzystor PNP; 340; 625mW; 50V; 500mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SA720-LGE;
2SA720 RoHS || 2SA720 ZEHUA TO92
Producent:
ZEHUA
Symbol Producenta:
2SA720 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,4500 0,1720 0,0970 0,0801 0,0750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
TO92 ZEHUA 625mW 340 200MHz 500mA 50V PNP -55°C ~ 150°C
BGN40Q120SD BYD Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0V~7,0V; 142nC; -40°C~175°C;
BGN40Q120 RoHS || BGN40Q120SD BYD TO247
Producent:
BYD
Symbol Producenta:
BGN40Q120 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 14,2900 12,6900 11,7400 11,2600 10,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 BYD 142nC 428W 160A 80A 5,0V ~ 7,0V -40°C ~ 175°C 1200V THT 20V
BC108A Tranzystor NPN; Bipolarny; 220; 45V; 150MHz; 200mA; 300mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: BC108A-CDI; BC108A;
BC108A RoHS || BC108A TO 18
Producent:
CDIL
Symbol Producenta:
BC108A RoHS
Obudowa dokładna:
TO 18
karta katalogowa
Stan magazynowy:
790 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2700 1,3700 1,0600 0,9530 0,9070
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
TO 18 CDIL 300mW 220 150MHz 200mA 45V NPN -65°C ~ 200°C
MMBT5551 Tranzystor NPN; Bipolarny; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551;
MMBT5551 RoHS || MMBT5551 SOT23
Producent:
MDD(Microdiode Electronics)
Symbol Producenta:
MMBT5551 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1850 0,0675 0,0357 0,0267 0,0247
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 MDD 300mW 300 300MHz 600mA 160V NPN -55°C ~ 150°C
BDW93CFP Trans Darlington NPN 100V 12A 33000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
BDW93CFP RoHS || BDW93CFP || BDW93CFP TO220FP
Producent:
ST
Symbol Producenta:
BDW93CFP RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,3500 2,8900 2,2300 2,1600 2,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/500
Ilość (wielokrotność 1)
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
BDW93CFP
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnętrzny:
16757 szt.
Ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
BDW93CFP
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnętrzny:
12073 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
BDW93CFP
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnętrzny:
28100 szt.
Ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
S8050 MDD(MICRODIODE) Tranzystor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8050-ML; KST8050S;
S8050 RoHS || S8050 MDD(MICRODIODE) SOT23
Producent:
MDD(Microdiode Electronics)
Symbol Producenta:
S8050 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8980 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1800 0,0656 0,0347 0,0259 0,0240
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 MDD 300mW 400 150MHz 500mA 25V NPN -55°C ~ 150°C
S8550 China Tranzystor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 150MHz; -500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8550-ML; KST8550S;
S8550 RoHS || S8550 China SOT23
Producent:
MDD(Microdiode Electronics)
Symbol Producenta:
S8550 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1850 0,0692 0,0370 0,0276 0,0255
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 MDD 300mW 400 150MHz -500mA -25V PNP -55°C ~ 150°C
S9013 (J3) Tranzystor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; S9013-L-YAN; S9013-H-YAN; MOSLEADER S9013-ML;
S9013 RoHS || S9013 (J3) SOT23
Producent:
MDD(Microdiode Electronics)
Symbol Producenta:
S9013 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2150 0,0803 0,0430 0,0321 0,0296
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 MDD 300mW 400 150MHz 500mA 25V NPN -55°C ~ 150°C
SS8050 SOT23 Tranzystor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; KST8550; MOSLEADER SS8050-ML;
SS8050 RoHS || SS8050 SOT23 SOT23
Producent:
MDD(Microdiode Electronics)
Symbol Producenta:
SS8050 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2240 0,0838 0,0449 0,0335 0,0309
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 MDD 300mW 400 100MHz 1,5A 25V NPN -55°C ~ 150°C
SS8550 SOT-23 MDD(MICRODIODE) MDD Tranzystor PNP; Bipolarny; 400; -25V; -5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER SS8550-ML; SS8550-D;
SS8550 RoHS || SS8550 SOT-23 MDD(MICRODIODE) MDD SOT23
Producent:
MDD(Microdiode Electronics)
Symbol Producenta:
SS8550 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2540 0,0952 0,0510 0,0381 0,0351
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 MDD 300mW 400 100MHz 1,5A -25V PNP -55°C ~ 150°C
DGC40F120M2 DONGHAI Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 388W; 4,5V~6,5V; 198nC; -45°C~175°C;
DGC40F120M2 RoHS || DGC40F120M2 DONGHAI TO247
Producent:
WXDH
Symbol Producenta:
DGC40F120M2 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 240+
cena netto (PLN) 13,4300 11,0700 10,0200 9,8200 9,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Donghai 198nC 388W 160A 80A 4,5V ~ 6,5V -45°C ~ 175°C 1200V THT 30V
DGC40H65M2 DONGHAI Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 80A; 160A; 280W; 5,0V~7,0V; 84nC; -45°C~175°C;
DGC40H65M2 RoHS || DGC40H65M2 DONGHAI TO247
Producent:
WXDH
Symbol Producenta:
DGC40H65M2 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
120 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
cena netto (PLN) 8,1400 6,0300 5,1400 4,8600 4,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/120
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Donghai 84nC 280W 160A 80A 5,0V ~ 7,0V -45°C ~ 175°C 650V THT 30V
1    2  3  4  5  6  7  8  9  10    357