Tranzystory (wyszukane: 9587)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFL9014TRPBF
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014PBF; IRFL9014TRPBF; IRFL9014PBF-GURT; IRFL9014TRPBF-BE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2850 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
500mOhm | 1,8A | 3,1W | SOT223 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFL9014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
110000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500mOhm | 1,8A | 3,1W | SOT223 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFL9014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500mOhm | 1,8A | 3,1W | SOT223 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFL9014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
10200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
500mOhm | 1,8A | 3,1W | SOT223 | VISHAY | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFP140PBF
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 77mOhm; 31A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP140PBF; IRFP140;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFP140PBF RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
77mOhm | 31A | 180W | TO247 | VISHAY | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-12-25
Ilość szt.: 200
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFP3077
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077PBF; IRFP3077PBFXKMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
3,3mOhm | 200A | 340W | TO247 | Infineon (IRF) | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
3,3mOhm | 200A | 340W | TO247 | Infineon (IRF) | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP3077PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,3mOhm | 200A | 340W | TO247 | Infineon (IRF) | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP3077PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
750 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
3,3mOhm | 200A | 340W | TO247 | Infineon (IRF) | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFP4310Z
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 6mOhm; 134A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4310ZPBF; IRFP4310ZPBFXKMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 7 Ilość (wielokrotność 1) |
6mOhm | 134A | 280W | TO247 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
18 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 18 Ilość (wielokrotność 1) |
6mOhm | 134A | 280W | TO247 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4310ZPBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1675 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6mOhm | 134A | 280W | TO247 | Infineon (IRF) | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFP4568PBF
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 30V; 5,9mOhm; 171A; 517W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4568PBF; IRFP4568PBFXKMA1; IRFP4568;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
32 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
5,9mOhm | 171A | 517W | TO247 | Infineon (IRF) | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4568PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5,9mOhm | 171A | 517W | TO247 | Infineon (IRF) | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4568PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
115 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5,9mOhm | 171A | 517W | TO247 | Infineon (IRF) | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4568PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
4742 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5,9mOhm | 171A | 517W | TO247 | Infineon (IRF) | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFP4768
Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768PBF; IRFP4768PBFXKMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFP4768 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
38 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
17,5mOhm | 93A | 520W | TO247 | International Rectifier | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4768PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
205 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
17,5mOhm | 93A | 520W | TO247 | International Rectifier | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFP4868PBF INFINEON
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; -/+20V; 25,5mOhm; 70A; 517W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFP4868PBF; IRFP4868PBFAKMA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
19 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
25,5mOhm | 70A | 517W | TO247 | INFINEON | 300V | MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
IRFP9140NPBF
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP9140NPBF; IRFP9140N;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
117mOhm | 23A | 140W | TO247AC | International Rectifier | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP9140NPBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
12517 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
117mOhm | 23A | 140W | TO247AC | International Rectifier | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP9140NPBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
130 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
117mOhm | 23A | 140W | TO247AC | International Rectifier | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR220NTRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR220NPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NPBF-GURT; IRFR220NTRLPBF; IRFR220N;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTR RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
210 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
600mOhm | 5A | 43W | TO252 | Infineon (IRF) | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
1950 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
600mOhm | 5A | 43W | TO252 | Infineon (IRF) | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
5550 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600mOhm | 5A | 43W | TO252 | Infineon (IRF) | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600mOhm | 5A | 43W | TO252 | Infineon (IRF) | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
600mOhm | 5A | 43W | TO252 | Infineon (IRF) | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRFR4620TRLPBF
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4620; IRFR4620PBF; IRFR4620TRLPBF; IRFR4620PBF-GURT; SP001552208;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4620TRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
78mOhm | 24A | 144W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4620TRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
380 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
78mOhm | 24A | 144W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4620TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
3300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
78mOhm | 24A | 144W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4620TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
78mOhm | 24A | 144W | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AOTF16N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 370mOhm; 16A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
370mOhm | 16A | 50W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
370mOhm | 16A | 50W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRFU9024NPBF
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 11A; 38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
175mOhm | 11A | 38W | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU9024NPBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
31591 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
175mOhm | 11A | 38W | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU9024NPBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2145 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
175mOhm | 11A | 38W | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | 55V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRL2203N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 10mOhm; 116A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL2203NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
148 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
10mOhm | 116A | 180W | TO220 | International Rectifier | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
2N2219
Tranzystor NPN; 300; 800mW; 30V; 800mA; 250MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N2219-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: 2N2219 RoHS Obudowa dokładna: TO 39 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 39 | STMicroelectronics | 800mW | 300 | 250MHz | 800mA | 30V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRBL3813
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,6mOhm; 260A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRBL3813PBF; IRLB3813PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
2,6mOhm | 260A | 230W | TO220 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLB3813PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
819 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,6mOhm | 260A | 230W | TO220 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLB3813PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
680 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2,6mOhm | 260A | 230W | TO220 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML0030TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0030TRPBF; IRLML0030PBF; IRLML0030PBF-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR; IRLML0030TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0030TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
31271 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 5,3A | 1,3W | SOT23t/r | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0030TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 5,3A | 1,3W | SOT23t/r | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0030TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
29400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 5,3A | 1,3W | SOT23t/r | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0030TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
369000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 5,3A | 1,3W | SOT23t/r | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0030TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1686000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
40mOhm | 5,3A | 1,3W | SOT23t/r | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N2219A
Tranzystor NPN; 375; 800mW; 40V; 800mA; 300MHz; -65°C ~ 200°C; 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 39 | CDIL | 800mW | 375 | 300MHz | 800mA | 40V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 39 | CDIL | 800mW | 375 | 300MHz | 800mA | 40V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: 2N2219A Obudowa dokładna: TO 39 |
Magazyn zewnetrzny:
2050 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 39 | CDIL | 800mW | 375 | 300MHz | 800mA | 40V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Central Semiconductor Symbol Producenta: 2N2219A PBFREE Obudowa dokładna: TO 39 |
Magazyn zewnetrzny:
19218 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 39 | CDIL | 800mW | 375 | 300MHz | 800mA | 40V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRLML2244-CN CHIPNOBO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 73mOhm; 4A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2244TRPBF; SP001576936;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
73mOhm | 4A | 350mW | SOT23 | CHIPNOBO | 20V | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML2244TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2244TRPBF; SP001576936;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
980 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
85mOhm | 5A | 1,31W | SOT23 | HXY MOSFET | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML2244TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2244TRPBF; SP001576936;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
95mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | UMW | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML2244TRPBF tranzystor polowy Infineon Technologies
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2244PBF; IRLML2244TRPBF; TCJ2321; IRLML2244;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2244TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1260 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
95mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2244TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
155000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
95mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2244TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1884000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
95mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2244TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
642000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
95mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-09-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRLML2246
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 236mOhm; 2,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2246PBF; IRLML2246TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
122 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 1) |
236mOhm | 2,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
236mOhm | 2,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
925 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1925 Ilość (wielokrotność 1) |
236mOhm | 2,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1322 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
236mOhm | 2,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
236mOhm | 2,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
236mOhm | 2,6A | 1,3W | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLML2402
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402PBF; YJL2302B; YJL2302B-F2-0000HF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2402TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6181 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
350mOhm | 1,2A | 540mW | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2402TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
56400 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
350mOhm | 1,2A | 540mW | SOT23 | Infineon (IRF) | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AOTF9N70
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 1,2Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF9N70 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,2Ohm | 9A | 50W | TO220iso | ALPHA&OMEGA | 700V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
130mOhm | 15A | 34,7W | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N2222
Tranzystor NPN; 300; 500mW; 30V; 800mA; 250MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N2222-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
194 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 900 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 18 | CDIL | 500mW | 300 | 250MHz | 800mA | 30V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 18 | CDIL | 500mW | 300 | 250MHz | 800mA | 30V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 140mOhm; 10A; 5W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
140mOhm | 10A | 5W | TO252 (DPACK) | JGSEMI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 125°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 20A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 20A | 42W | TO252 (DPACK) | JSMICRO | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N2222A CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A PBFREE; 2N2222A-CEN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
380 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 18 | CDIL | 500mW | 300 | 300MHz | 800mA | 40V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-20
Ilość szt.: 1000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 15A | 34,7W | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |