Tranzystory (wyszukane: 10465)

1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    349
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Ładunek bramki
Częstotliwość graniczna
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalny prąd kolektora
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Montaż
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
MOT65R380F TO-220F MOT 650V 11A 31.8W 330mOhm@10V,5.5A 4.5V TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF380N65FL1;
MOT65R380F RoHS || MOT65R380F TO-220F MOT TO220iso
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT65R380F RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,7800 2,7700 2,2300 1,9100 1,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
330mOhm 10,2A 33W TO220iso MOT 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
IRF7316TRPBF-VB SO-8 VBSEMI ELEC TRANSISTOR; SOP8; 30V; 7.3A; Dual P-chanel; VBsemi VBA4338;
VBA4338 RoHS || IRF7316TRPBF-VB SO-8 VBSEMI ELEC SOP08
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
VBA4338 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,4000 0,7740 0,6110 0,5550 0,5370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
58mOhm 4,8A 2W SOP08 VBSEMI ELEC 30V 2xP-MOSFET 20V -55°C ~ 155°C SMD
VBM1615 TO-220 VBsemi Elec TRANS; 60v 50A ; TO-220 ; N-CHANEL; ODPOWIEDNIK: VBM1615; STP55NF06-VB; STP55NF06; (ORAZ STP55NF06L);
VBM1615 RoHS || VBM1615 TO-220 VBsemi Elec TO220
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
VBM1615 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5000 2,2200 1,7500 1,5900 1,5200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
11mOhm 60A 136W TO220 VBSEMI ELEC 60V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V THT
YFW15N10AD TO-252 YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; ODPOWIEDNIK: IRLR120NTRPBF;
YFW15N10AD RoHS || YFW15N10AD TO-252 YFW TO252
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW15N10AD RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
 
Stan magazynowy:
400 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3300 0,7320 0,4840 0,4030 0,3790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
STS4DPF30L P-Channel 30V 7.3A 5W Surface Mount SO-8 STS4DPF30L-VB;
STS4DPF30L-VB RoHS || STS4DPF30L SOP08
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
STS4DPF30L-VB RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2800 1,2700 0,9990 0,9420 0,9120
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
SI4909DY 30V 9.5A 5W 21m@10V,7.3A 3V@250A P Channel SO-8 MOSFETs ROHS SI4909DY-T1-GE3;
SI4909DY-VB RoHS || SI4909DY SOP08
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
SI4909DY-VB RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,3300 2,0900 1,7400 1,5500 1,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
S8050 SOT23 YFW 300mW 25V 200@500mA,1V 500mA NPN SOT-23 Single Bipolar Transistors ROHS
S8050 RoHS || S8050 SOT23 YFW SOT23
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
S8050 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1990 0,0743 0,0398 0,0297 0,0274
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
STD12NF06T4 TO-252 MOSFETs ROHS
STD12NF06T4-VB RoHS || STD12NF06T4 TO252
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
STD12NF06T4-VB RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2200 1,2300 0,9730 0,9170 0,8880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
AGW40N170TMA1 TO247 Tranzystor IGBT ; 1700V; 20V; 80A; 120A; 600W; 4,9V~6,5V; 450nC; -40°C~175°C;
AGW40N170TMA1 RoHS || AGW40N170TMA1 TO247 TO247
Producent:
LUXIN-SEMI
Symbol Producenta:
AGW40N170TMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 14,2900 12,7000 11,7500 11,2800 10,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 LUXIN-SEMI 450nC 600W 120A 80A 4,9V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1700V 20V
IRFP460PBF TO-274AA MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRFP460PBF-VB;
IRFP460PBF-VB RoHS || IRFP460PBF TO-247-3
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
IRFP460PBF-VB RoHS
Obudowa dokładna:
TO-247-3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 9,8300 8,2000 7,2600 6,8100 6,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
YFW12N65AF TO220F YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 720Ohm; 32.1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65;
YFW12N65AF RoHS || YFW12N65AF TO220F YFW TO220iso
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW12N65AF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4000 2,1600 1,7000 1,5500 1,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
720mOhm 12A 32,1W TO220iso YFW 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 30V THT
AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,2V~5,8V; 239nC; -40°C~175°C; Podobny do: IKW40N120T2FKSA1; RGS80TSX2DHRC11;
AU40N120T3A5 RoHS || AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI TO247
Producent:
LUXIN-SEMI
Symbol Producenta:
AU40N120T3A5 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 12,1700 10,4600 9,4500 8,9600 8,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 LUXIN-SEMI 239nC 375W 160A 80A 4,2V ~ 5,8V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
SGT40N60FD2PN TO-3P SILAN IGBT TRANSISTOR; TO-3P-3 Single IGBTs ROHS
SGT40N60FD2PN RoHS || SGT40N60FD2PN TO-3P SILAN TO 3P
Producent:
SILAN
Symbol Producenta:
SGT40N60FD2PN RoHS
Obudowa dokładna:
TO-3P
 
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 90+ 270+
cena netto (PLN) 7,6300 5,6600 4,8200 4,6100 4,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/90
Ilość (wielokrotność 1)
RC2310A Realchip 60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Odpowiednik: TSM2308CX RFG; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; SI2308BDS-T1-E3; LGE02N60C; LGE02N60C; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
RC2310A RoHS || RC2310A Realchip SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC2310A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,4100 0,1620 0,0956 0,0704 0,0630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 10)
YFW60N03AD TO252(T/R) YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 46W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8729PBF; IRLR8729TRLPBF; IRLR8729TRPBF; SP001574172; SP001552874; SP001569082;
YFW60N03AD RoHS || YFW60N03AD TO252(T/R) YFW TO252
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW60N03AD RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
 
Stan magazynowy:
2500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 1,3100 0,7250 0,4810 0,4010 0,3750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
PTS6012 SO8 HT SEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PTS6012; IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT; Wycofano z produkcji; IRF7478; PTS6012; YFW15N06S; TPM60V8NS8; IRF7478TRPBF-VB;
PTS6012 RoHS PJ4DJ || PTS6012 SO8 HT SEMI SOP08
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
PTS6012 RoHS PJ4DJ
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0200 0,5660 0,3760 0,3140 0,2920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
24mOhm 12A 3W SOP08 HT 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
MMBT5551 SOT23(T/R) CJ 160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
MMBT5551 RoHS || MMBT5551 SOT23(T/R) CJ SOT23
Producent:
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH
Symbol Producenta:
MMBT5551 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1990 0,0746 0,0399 0,0298 0,0275
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SGT40N60FD2P7 TO-247-3L SILAN IGBT TRANSISTOR; TO-247-3L Single IGBTs ROHS
SGT40N60FD2P7 RoHS || SGT40N60FD2P7 TO-247-3L SILAN TO247
Producent:
SILAN
Symbol Producenta:
SGT40N60FD2P7 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 90+ 270+
cena netto (PLN) 7,7100 6,1200 5,4200 5,2400 5,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/90
Ilość (wielokrotność 1)
MOT2301 SOT23 MOT Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 100mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301ACX; MOT2301AB2
MOT2301AB2 RoHS || MOT2301 SOT23 MOT SOT23
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT2301AB2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3890 0,1530 0,0895 0,0655 0,0598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
100mOhm 3A 1,25W SOT23 MOT 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
MOT2305B2 SOT23 MOT Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402; DMP2305U-7; SI2305; FDN304P;
MOT2305B2 RoHS || MOT2305B2 SOT23 MOT SOT23
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT2305B2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4580 0,2100 0,1140 0,0856 0,0764
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
55mOhm 6A 1,83W SOT23 MOT 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
BDX34C TO220 ARK(MIC) TO-220C Darlington Transistors ROHS
BDX34C RoHS || BDX34C TO220 ARK(MIC) TO220
Producent:
ARK
Symbol Producenta:
BDX34C RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 1,6900 1,1000 0,7810 0,6810 0,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/500
Ilość (wielokrotność 1)
LGE8810 SOT23 LGE Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244TRPBF; IRLML6244PBF; IRLML6244; IRLML6244TR; IRLML6244TRPBF; IRLML6244TRPBF; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416;
LGE8810 RoHS || LGE8810 SOT23 LGE SOT23
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
LGE8810 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8250 0,3920 0,2200 0,1670 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Ilość (wielokrotność 1)
2SD965-R SOT89(T/R) YFW NPN 5000mA 22V 750mW 150MHz
2SD965-R RoHS || 2SD965-R SOT89(T/R) YFW SOT89
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
2SD965-R RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9410 0,4750 0,2870 0,2270 0,2090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
SOT89 YFW 750mW 950 150MHz 5A 20V NPN -55°C ~ 150°C
AO4262E Trans MOSFET N-CH 60V 16.5A 8-Pin SOIC
AO4262E RoHS || AO4262E SOP08
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4262E RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
198 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 600+
cena netto (PLN) 2,4200 1,4600 1,1200 1,0100 0,9680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
600
Ilość (wielokrotność 1)
YFW60P03AD TO-252 YFW Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417; AOD403,
YFW60P03AD RoHS || YFW60P03AD TO-252 YFW TO252
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW60P03AD RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3400 0,7180 0,5590 0,5060 0,4890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
SSM3K15AMFV,L3F(T Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM odpowiednik: SSM3K15AMFV,L3F; SSM3K15AMFV,L3F(B; SSM3K15AMFV,L3F(T;
SSM3K15AMFV,L3F(T RoHS || SSM3K15AMFV,L3F(T || SSM3K15AMFV,L3F(T VESM
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
SSM3K15AMFV,L3F(T RoHS
Obudowa dokładna:
VESM
 
Stan magazynowy:
145 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 50+ 225+ 1350+
cena netto (PLN) 0,6550 0,3080 0,2120 0,1440 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
225
Ilość (wielokrotność 1)
 
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
SSM3K15AMFV,L3F(T
Obudowa dokładna:
VESM
 
Magazyn zewnętrzny:
16000 szt.
Ilość szt. 16000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
8000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
BC847BW SOT323(T/R) YFW Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
BC847BW RoHS || BC847BW SOT323(T/R) YFW SOT23
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
BC847BW RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2730 0,1050 0,0513 0,0408 0,0390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
BD139-16 TO126 YFW Tranzystor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI;
BD139-16 RoHS || BD139-16 TO126 YFW TO126
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
BD139-16 RoHS
Obudowa dokładna:
TO126bulk
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5770 0,3820 0,3180 0,2990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
TO126 YFW 12,5W 250 1,5A 80V NPN -55°C ~ 150°C
MOT2312B2 SOT23 MOT Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 28mOhm; 6,8A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244; MOT2312; IRLML6244TRPBF; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416;
MOT2312B2 RoHS || MOT2312B2 SOT23 MOT SOT23
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT2312B2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5270 0,2420 0,1320 0,0984 0,0878
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
28mOhm 6,8A 1,25W SOT23 MOT 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
2N7002K SOT23 FUXINSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP;
2N7002K RoHS || 2N7002K SOT23 FUXINSEMI SOT23
Producent:
FUXINSEMI
Symbol Producenta:
2N7002K RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2930 0,1130 0,0550 0,0438 0,0418
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
3Ohm 500mA 350mW SOT23 FUXINSEMI 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    349