Tranzystory (wyszukane: 9808)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLZ44ZPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLZ44ZPBF; SP001577132;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRLZ44ZPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
6mOhm | 110A | 358W | TO220 | JSMICRO | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BUL128
Tranzystor NPN; 40; 70W; 400V; 4A; -65°C ~ 150°C; OBSOLETE
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | STMicroelectronics | 70W | 40 | 4A | 400V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BUL128D-B STMicroelectronics
Tranzystor NPN; 32; 70W; 400V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUL128D-B;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | STMicroelectronics | 70W | 32 | 4A | 400V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BUL1603ED
Tranzystor NPN; 40; 80W; 650V; 3A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | STMicroelectronics | 80W | 40 | 3A | 650V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BUL381
Tranzystor NPN; 10; 70W; 400V; 5A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
66 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | STMicroelectronics | 70W | 10 | 5A | 400V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BUL38D
Tranzystor NPN; 60; 80W; 450V; 5A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | STMicroelectronics | 80W | 60 | 5A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL38D Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
225 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | STMicroelectronics | 80W | 60 | 5A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL38D Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
22800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | STMicroelectronics | 80W | 60 | 5A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUL38D Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO220 | STMicroelectronics | 80W | 60 | 5A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BUL53B
Tranzystor NPN; 50; 90W; 250V; 12A; 20MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Symbol Producenta: BUL53B RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Semelab | 90W | 50 | 20MHz | 12A | 250V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BUT11A ON SEMICONDUCTOR
Tranzystor NPN; 100W; 450V; 5A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BUT11A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 100W | 5A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BUT11A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 100W | 5A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
BUT11A
Tranzystor NPN; 35; 83W; 450V; 5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTE2333; NTE2337;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: BUT11A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
68 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | 83W | 35 | 5A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
BUT12AF iso
Tranzystor NPN; 35; 23W; 450V; 8A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ISC Symbol Producenta: BUT12AF RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Inchange Semiconductors | 23W | 35 | 8A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BUT56A
Tranzystor NPN; 100W; 450V; 8A; 10MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
FSC Symbol Producenta: BUT56A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | 100W | 10MHz | 8A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
BUV48A
Tranzystor NPN; 8; 125W; 450V; 15A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
120 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | STMicroelectronics | 125W | 8 | 15A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUV48A Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | STMicroelectronics | 125W | 8 | 15A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUV48A Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1480 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | STMicroelectronics | 125W | 8 | 15A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUV48A Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
270 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | STMicroelectronics | 125W | 8 | 15A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BUV48A
Tranzystor NPN; 8; 125W; 450V; 15A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
135 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | STMicroelectronics | 125W | 8 | 15A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BUX48A
Tranzystor NPN; 8; 175W; 450V; 15A; -65°C ~ 200°C; BUX48A-CDI
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: BUX48A RoHS Obudowa dokładna: TO 3 |
Stan magazynowy:
420 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100/500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | 175W | 8 | 15A | 450V | NPN | -65°C ~ 200°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BUX85
Tranzystor NPN; 50; 50W; 450V; 2A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUX85G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
149 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 50W | 50 | 4MHz | 2A | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BUX87
Tranzystor NPN; 50; 40W; 450V; 500mA; 20MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUX87P;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1030 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | STMicroelectronics | 40W | 50 | 20MHz | 500mA | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUX87 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
2250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO126 | STMicroelectronics | 40W | 50 | 20MHz | 500mA | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUX87 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
11250 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO126 | STMicroelectronics | 40W | 50 | 20MHz | 500mA | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BUX87 Obudowa dokładna: TO126 |
Magazyn zewnetrzny:
32694 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO126 | STMicroelectronics | 40W | 50 | 20MHz | 500mA | 450V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BUY49S
Tranzystor NPN; 80; 10W; 200V; 3A; 50MHz; -65°C ~ 200°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 15 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 39 | STMicroelectronics | 10W | 80 | 50MHz | 3A | 200V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 39 | STMicroelectronics | 10W | 80 | 50MHz | 3A | 200V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
JFAM20N60C JIAENSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 500mOhm; 20A; 272W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
500mOhm | 20A | 272W | TO 3P | JIAENSEMI | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
JFFM3N150C JIAENSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 8Ohm; 3A; 30W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
8Ohm | 3A | 30W | TO220iso | JIAENSEMI | 1500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
JFFM7N90C JIAENSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 7A; 48W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
2,3Ohm | 7A | 48W | TO220iso | JIAENSEMI | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
JFQM3N150C JIAENSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 8Ohm; 3A; 32W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
8Ohm | 3A | 32W | TO 3PH | JIAENSEMI | 1500V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
JMGK088V10A JIEJIE
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 12,7mOhm; 80A; 127W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Jiejie Microelectronics Symbol Producenta: JMGK088V10A RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
12,7mOhm | 80A | 127W | TO252 | Jiangsu JieJie Microelectronics | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
JMSH0803AC-U JIEJIE
Tranzystor N-MOSFET; 80V; 20V; 3mOhm; 194A; 192W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JJM Symbol Producenta: JMSH0803AC-U RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
3mOhm | 194A | 192W | TO220 | Jiangsu JieJie Microelectronics | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
JMSH0805AE-13 JIEJIE
Tranzystor N-MOSFET; 85V; 20V; 5mOhm; 121A; 130W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Jiejie Microelectronics Symbol Producenta: JMSH0805AE-13 RoHS Obudowa dokładna: TO263/3 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
5mOhm | 121A | 130W | TO263 | Jiangsu JieJie Microelectronics | 85V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
JMTP170C04D JIEJIE
Tranzystor N/P-MOSFET; 40V; 20V; 27mOhm/62mOhm; 10A; 7,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Jiejie Microelectronics Symbol Producenta: JMTP170C04D RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
62mOhm | 10A | 7,5W | SOP08 | Jiangsu JieJie Microelectronics | 40V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
LGE2300
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2300-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | 4A | 1,25W | SOT23 | LGE | 20V | MOSFET | -50°C ~ 155°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
LGE2301
Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LGE2301-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2490 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
140mOhm | -3A | 1W | SOT23 | LGE | -20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
LGE2302
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23 ODPOWIEDNIK: LGE2302-LGE; TSM2302CX RFG; TSM2302CS RF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1875 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2,1A | 350mW | SOT23 | LGE | 20V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
LGE2305
Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2305-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2975 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2975 Ilość (wielokrotność 1) |
75mOhm | -4,1A | 1,7W | SOT23 | LGE | -20V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
775 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
75mOhm | -4,1A | 1,7W | SOT23 | LGE | -20V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
LGE2312
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2312-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
31mOhm | 4,9A | 1,25W | SOT23 | LGE | 20V | MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD |