Tranzystory polowe (wyszukane: 6778)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLZ24PBF
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 10V; 140mOhm; 17A; 60W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRLZ24PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 10V | 140mOhm | 17A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
IRLZ24N
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 105mOhm; 18A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ24NPBF; IRLZ 24 NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
140 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 105mOhm | 18A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRLZ34NSTRL UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 3,8W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLZ34SPBF; IRLZ34NSPBF; IRLZ34NSTRLPBF; SP001568692; SP001573060;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 60mOhm | 30A | 3,8W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | UMW | |||||||||||||
|
IRLZ44PBF
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: CDZ44; IRLZ44PBF; IRLZ44;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRLZ44PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
980 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 35mOhm | 47A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRLZ44PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 35mOhm | 47A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRLZ44NPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 60A; 120W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLZ44PBF; IRLZ44PBF-BE3; IRLZ44NPBF; SP001568772;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 20mOhm | 60A | 120W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
IRLZ44NPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 10V; 22mOhm; 47A; 3,8W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLZ44N;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2700 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 10V | 22mOhm | 47A | 3,8W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | INFINEON | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ44NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
76540 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 10V | 22mOhm | 47A | 3,8W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | INFINEON | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ44NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
3650 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 10V | 22mOhm | 47A | 3,8W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | INFINEON | |||||||||||||
|
IRLZ44NSTRLPBF
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 35mOhm; 47A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ44NSTRPBF; IRLZ44NSPBF; IRLZ44NSTRLPBF; IRLZ44NSPBF-GURT; IRLZ44NS SMD;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ44NSTRL RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
95 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 35mOhm | 47A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ44NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
61600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 35mOhm | 47A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ44NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
1160 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 35mOhm | 47A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
JFAM20N60C JIAENSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 500mOhm; 20A; 272W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 500mOhm | 20A | 272W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | JIAENSEMI | |||||||||||||
|
JFFM3N150C JIAENSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 8Ohm; 3A; 30W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1500V | 30V | 8Ohm | 3A | 30W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | JIAENSEMI | |||||||||||||
|
JFFM7N90C JIAENSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 7A; 48W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 2,3Ohm | 7A | 48W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | JIAENSEMI | |||||||||||||
|
JFQM3N150C JIAENSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 8Ohm; 3A; 32W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1500V | 30V | 8Ohm | 3A | 32W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3PH | JIAENSEMI | |||||||||||||
|
JMGK088V10A JIEJIE
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 12,7mOhm; 80A; 127W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Jiejie Microelectronics Symbol Producenta: JMGK088V10A RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 12,7mOhm | 80A | 127W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Jiangsu JieJie Microelectronics | |||||||||||||
|
JMSH0803AC-U JIEJIE
Tranzystor N-MOSFET; 80V; 20V; 3mOhm; 194A; 192W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
JJM Symbol Producenta: JMSH0803AC-U RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 20V | 3mOhm | 194A | 192W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Jiangsu JieJie Microelectronics | |||||||||||||
|
JMSH0805AE-13 JIEJIE
Tranzystor N-MOSFET; 85V; 20V; 5mOhm; 121A; 130W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Jiejie Microelectronics Symbol Producenta: JMSH0805AE-13 RoHS Obudowa dokładna: TO263/3 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 85V | 20V | 5mOhm | 121A | 130W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 | Jiangsu JieJie Microelectronics | |||||||||||||
|
LGE2300
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2300-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 20V | 12V | 32mOhm | 4A | 1,25W | SMD | -50°C ~ 155°C | SOT23 | LGE | |||||||||||||
|
LGE2301
Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LGE2301-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2390 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | -20V | 12V | 140mOhm | -3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | |||||||||||||
|
LGE2302
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23 ODPOWIEDNIK: LGE2302-LGE; TSM2302CX RFG; TSM2302CS RF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1875 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 20V | 8V | 2,1A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | ||||||||||||||
|
LGE2305
Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2305-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2975 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2975 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -20V | 8V | 75mOhm | -4,1A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
775 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -20V | 8V | 75mOhm | -4,1A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | |||||||||||||
|
LGE2312
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2312-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 20V | 10V | 10V | 31mOhm | 4,9A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | ||||||||||||
|
MMBF0201NLT1G
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 1,4Ohm; 300mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 20V | 1,4Ohm | 300mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF0201NLT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 20V | 1,4Ohm | 300mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
MMBF170 ONS
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBF170; MMBF170LT1G; MMBF170-7-F; MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R);
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6929 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/33000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF170 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF170LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
81000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
MMBF170 China
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5,3Ohm; 500mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBF170; MMBF170LT1G; MMBF170-7-F; MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R);
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
938 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2058 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5,3Ohm | 500mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | ||||||||||||
|
MMBF4391LT1G
Tranzystor N-JFET; 30V; 30V; 30V; 30Ohm; 150mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2555 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 30Ohm | 150mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF4391LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
3500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 30Ohm | 150mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF4391LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 30Ohm | 150mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF4391LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 30Ohm | 150mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
MMBF4392LT1G
Tranzystor N-JFET; 30V; 30V; 30V; 60Ohm; 50mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2980 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 60Ohm | 50mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF4392LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
3300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 60Ohm | 50mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF4392LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 60Ohm | 50mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF4392LT1G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 30V | 30V | 30V | 60Ohm | 50mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
MMBF5103
Tranzystor N-Channel JFET; 40V; 40V; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5103 RoHS 66A... Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
155 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 40V | 40V | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5103 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
33000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 40V | 40V | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5103 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 40V | 40V | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5103 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
1389000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 40V | 40V | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||
|
MMBF5485
N-Channel RF Amplifier 25V 10mA Vgsoff -0,5...-4,0V
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 25V | 10mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5485 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 25V | 10mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5485 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
9500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 25V | 10mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
|
MMBFJ111
Tranzystor N-JFET; 35V; 35V; 30Ohm; 20mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMBFJ111;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1475 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 35V | 35V | 30Ohm | 20mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ111 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
264000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 35V | 35V | 30Ohm | 20mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ111 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 35V | 35V | 30Ohm | 20mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ177LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
8877 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-JFET | 30V | 30V | 300Ohm | 20mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ177LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1656000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-JFET | 30V | 30V | 300Ohm | 20mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ177LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-JFET | 30V | 30V | 300Ohm | 20mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ177LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
2900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-JFET | 30V | 30V | 300Ohm | 20mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
MMBFJ201
Tranzystor N-JFET; 40V; 40V; 1mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2925 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 40V | 40V | 1mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ201 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
87000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 40V | 40V | 1mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ201 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 40V | 40V | 1mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ201 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 40V | 40V | 1mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
|
MMBFJ310
Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 60mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBFJ310LT1G; MMBFJ310LT3G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ310LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6640 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 25V | 25V | 60mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ310LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 25V | 25V | 60mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||