Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7001)

1  2  3  4  5  6  7  8  9    234
Produkt Warenkorb
Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
RC3400 SOT23 REALCHIP Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
RC3400 RoHS || RC3400 SOT23 REALCHIP SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
Preis netto (EUR) 0,1041 0,0416 0,0209 0,0167 0,0160
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/9000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 30V 12V 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C
BSS138 SOT23 RealChip Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0628 0,0241 0,0118 0,0094 0,0090
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 59mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3400 RoHS || AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC SOT23
Hersteller:
EASTRONIC
Hersteller-Teilenummer:
AO3400 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0944 0,0373 0,0217 0,0159 0,0145
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC P-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
AO3401 RoHS || AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC SOT23
Hersteller:
EASTRONIC
Hersteller-Teilenummer:
AO3401 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
2000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0977 0,0385 0,0225 0,0165 0,0150
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
2N7002A DIOTEC Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23
2N7002A RoHS || 2N7002A || 2N7002A DIOTEC SOT23
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0918 0,0361 0,0212 0,0155 0,0141
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 30V 5Ohm 280mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
 
Hersteller:
DIOTEC
Hersteller-Teilenummer:
2N7002A
Präzisionsgehäuse:
SOT23
 
Externes Lager:
1840 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,0193
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
N-MOSFET 60V 30V 5Ohm 280mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
IRF7201TRPBF-VB RoHS || IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI SOP08
Hersteller:
VBsemi
Hersteller-Teilenummer:
IRF7201TRPBF-VB RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5028 0,2998 0,2526 0,2155 0,2007
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 11mOhm 9A 2,2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VBsemi
IRF9310TRPBF SOP-8 ELECSUPER P-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TRPBF(ES);
IRF9310TRPBF RoHS PE03R053. || IRF9310TRPBF SOP-8 ELECSUPER SOP08
Hersteller:
ElecSuper
Hersteller-Teilenummer:
IRF9310TRPBF RoHS PE03R053.
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
 
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 0,7059 0,4415 0,3518 0,3163 0,3069
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 8,3mOhm 21A 42W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ElecSuper
PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI 30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS BSS306N;
PT3404 RoHS A49T || PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT3404 RoHS A49T
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1298 0,0616 0,0347 0,0264 0,0236
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 41mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HT
PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; AO3400; YJL3400B;
PT3400 RoHS A07T || PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI SOT23
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT3400 RoHS A07T
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1298 0,0616 0,0347 0,0264 0,0236
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 12V 52mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HT
RC3407A SOT23 RealChip Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 165mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML5203TRPBF; IRLML9303TRPBF;
RC3407A RoHS || RC3407A SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC3407A RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1072 0,0423 0,0248 0,0181 0,0165
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
BSS138W SOT323 RealChip Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 280mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; BSS138PW; BSS138PW,115;
BSS138W RoHS || BSS138W SOT323 RealChip SOT323
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
BSS138W RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0753 0,0290 0,0142 0,0113 0,0108
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
Trans. RC7002DW SOT363 RealChip N-Kanal SMD MOSFET ESD Protection 60V 0.34A Äquivalent: 2N7002KD;
RC7002DW RoHS || Trans. RC7002DW SOT363 RealChip SOT363
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC7002DW RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
 
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1027 0,0404 0,0236 0,0173 0,0158
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
RCD30P03 TO-252 RealChip Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
RCD30P03 RoHS || RCD30P03 TO-252 RealChip TO252
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RCD30P03 RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2786 0,1485 0,1154 0,1043 0,1010
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
2N7002BK-MS SOT-23 MSKSEMI 60V 300mA 2.2Ohm@10V,0.3A 350mW One N-Kanal SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS
2N7002BK-MS RoHS || 2N7002BK-MS SOT-23 MSKSEMI SOT23
Hersteller:
MSKSEMI
Hersteller-Teilenummer:
2N7002BK-MS RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0633 0,0236 0,0127 0,0094 0,0087
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MSK
YFW50N06AD TO252 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: NTD5867NLT4G; CJJU20N06A; SUD50N06-09L-E3;
YFW50N06AD RoHS || YFW50N06AD TO252 YFW TO252
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW50N06AD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Preis netto (EUR) 0,2668 0,1424 0,1110 0,1003 0,0968
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 22mOhm 50A 45W SMD -55°C ~ 150°C TO252 YFW
BSS138 SOT23 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23 YFW SOT23
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0675 0,0260 0,0127 0,0101 0,0097
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 50V 20V 6Ohm 220mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 YFW
TW40P03D TO252-2L(T/R) TWGMC 30V 35A 4W 1.5V@250uA TO-252-2L Single FETs, MOSFETs ROHS
TW40P03D RoHS || TW40P03D TO252-2L(T/R) TWGMC TO252
Hersteller:
TWGMC
Hersteller-Teilenummer:
TW40P03D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
 
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,3116 0,2033 0,1497 0,1289 0,1199
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 38mOhm 35A 4W THT -55°C ~ 150°C TO252 TWGMC
PT4606A SOP-8 HT SEMI Transistor N/P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; Ähnlich: IRF7319TRPBF;
PT4606A RoHS APH5DJ || PT4606A SOP-8 HT SEMI SOP08
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT4606A RoHS APH5DJ
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2432 0,1348 0,0897 0,0748 0,0696
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 25mOhm 6,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 HT
MOT2310B2 SOT23 MOT 60V 3A 1.7W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Ähnlich wie: SI2308BDS-T1-E3; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; TSM2308CX RFG;
MOT2310B2 RoHS || MOT2310B2 SOT23 MOT SOT23
Hersteller:
MOT-
Hersteller-Teilenummer:
MOT2310B2 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1077 0,0493 0,0269 0,0201 0,0179
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 115mOhm 3A 1,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MOT
YFW15N06S SOP8 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 15A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: PTS6012; IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT; Die Produktion wurde eingestellt; IRF7478; PTS6012; YFW15N06S; TPM60V8NS8;
YFW15N06S RoHS || YFW15N06S SOP8 YFW SOP08
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW15N06S RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3093 0,1707 0,1343 0,1244 0,1192
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 20mOhm 15A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 YFW
PTD30P25 TO252 HT SEMI Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; ähnlich wie: YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH; PTD30P25; AOD417;
PTD30P25 RoHS PK2DJ || PTD30P25 TO252 HT SEMI DPAK
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PTD30P25 RoHS PK2DJ
Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Preis netto (EUR) 0,2075 0,1147 0,0760 0,0635 0,0593
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 29mOhm 25A 38W SMD -55°C ~ 150°C TO252 HT
BSS123 SOT23 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 RoHS || BSS123 SOT23 RealChip SOT23
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
BSS123 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0659 0,0255 0,0124 0,0099 0,0094
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 100V 20V 10mOhm 170mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 RealChip
BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
BSS138BK RoHS || BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC SOT23
Hersteller:
TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer:
BSS138BK RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0907 0,0356 0,0208 0,0153 0,0139
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/54000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 50V 20V 4,5Ohm 360mA 350mW SMD -55°C ~ 155°C SOT23 TECH PUBLIC
                           
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-06-10
Anzahl der Stücke: 30000
                     
BSS138A SOT323 HT SEMI Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138PW;
BSS138A RoHS J1 || BSS138A SOT323 HT SEMI SOT323
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS138A RoHS J1
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
 
Auf Lager:
2600 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0840 0,0331 0,0194 0,0142 0,0129
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
BSS138BW SOT323 KINGTRONICS Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich wie: BSS138PW,115;
BSS138 RoHS || BSS138BW SOT323 KINGTRONICS SOT323
Hersteller:
KINGTRONICS
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT323 t/r
 
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0689 0,0264 0,0130 0,0103 0,0098
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
RC4816 SOP-8 RealChip Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
RC4816 RoHS || RC4816 SOP-8 RealChip SOP08
Hersteller:
REALCHIP
Hersteller-Teilenummer:
RC4816 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2231 0,1221 0,0800 0,0692 0,0637
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 30V 20V 26mOhm 8,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 RealChip
BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138-TP-ES; BSS138-TP;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN SOT23
Hersteller:
FUXINSEMI
Hersteller-Teilenummer:
BSS138 RoHS
Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0758 0,0293 0,0143 0,0113 0,0108
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
N-MOSFET 50V 20V 6Ohm 220mA 350W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 FUXIN
MOT90N03D TO252 MOT Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 7,5mOhm; 90A; 85W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: IRLR8726TRPBF;
MOT90N03D RoHS || MOT90N03D TO252 MOT TO252 (DPAK)
Hersteller:
MOT-
Hersteller-Teilenummer:
MOT90N03D RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Preis netto (EUR) 0,2644 0,1457 0,0966 0,0805 0,0753
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 7,5mOhm 90A 85W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) MOT
YFW30N06AD TO-252 YFW Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 35W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: STD20NF06T4;
YFW30N06AD RoHS || YFW30N06AD TO-252 YFW TO252 (DPAK)
Hersteller:
YFW
Hersteller-Teilenummer:
YFW30N06AD RoHS
Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1065 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1065+
Preis netto (EUR) 0,2479 0,1353 0,0888 0,0767 0,0706
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1065
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 40mOhm 30A 35W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) YFW
8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 32mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Ähnlich: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
PT8205 RoHS 8205A || 8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI TSSOP08
Hersteller:
HT SEMI
Hersteller-Teilenummer:
PT8205 RoHS 8205A
Präzisionsgehäuse:
TSSOP08 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
4800 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1298 0,0519 0,0302 0,0253 0,0236
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 32mOhm 6A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C TSSOP08 HT
1  2  3  4  5  6  7  8  9    234

Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen

Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.

Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?

Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:

  • Kristall,
  • erste Elektrode,
  • zweite Elektrode,
  • Gate (Tor).

Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.

Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?

Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.

Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast

Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET.

Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.

Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.