Tranzystory (wyszukane: 8635)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N2222
Tranzystor NPN; 300; 500mW; 30V; 800mA; 250MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N2222-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
244 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 900 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 18 | CDIL | 500mW | 300 | 250MHz | 800mA | 30V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 18 | CDIL | 500mW | 300 | 250MHz | 800mA | 30V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N2222A CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz 2N2222A-CDI; 2N2222A PBFREE; 2N2222A-CEN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
880 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 18 | CDIL | 500mW | 300 | 300MHz | 800mA | 40V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N2222A
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N2222A-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92ammoformed | DIOTEC | 625mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: 2N2222A Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnetrzny:
3850 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92ammoformed | DIOTEC | 625mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N2222A Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnetrzny:
22600 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO92ammoformed | DIOTEC | 625mW | 300 | 250MHz | 600mA | 40V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
KSP2222ABU FAIRCHILD
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSP2222ABU (1K/BULK); KSP2222ATA (2K/AMMO); KSP2222ATF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | Fairchild | 625mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
P2N2222 CBE pin configuration CDIL
NPN 800mA 40V 500mW 300MHz P2N2222 ia a CBE pin configuration. (Collector - Base - Emitter)
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | CDIL | 500mW | 300 | 300MHz | 800mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N2222A SLKOR
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSP2222ABU (BULK); KSP2222ATA (AMMO); KSP2222ATF; 2N2222A-DIO (AMMO);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1690 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
TO92 | SLKOR | 625mW | 300 | 300MHz | 600mA | 40V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
8205A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
85 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
27mOhm | 6A | 1,5W | TSSOP08 | HXY MOSFET | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BS170
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170(bulk); BS170G(tube); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
3800 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
37000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
89378 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170-D27Z Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
BS250P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Zetex Symbol Producenta: BS250P RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
415 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
14Ohm | 230mA | 700mW | TO92formed | DIODES | 45V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS250P Obudowa dokładna: TO92formed |
Magazyn zewnetrzny:
42029 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
14Ohm | 230mA | 700mW | TO92formed | DIODES | 45V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BSP318SH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 2,6A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP318SH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2575 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
150mOhm | 2,6A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP318SH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
672620 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
150mOhm | 2,6A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
5,5Ohm | 200mA | 350mW | SOT23 | MDD | 100V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123,215
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS123,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
7480 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
6Ohm | 150mA | 250mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2703000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 150mA | 250mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3867000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 150mA | 250mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
327000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 150mA | 250mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-28
Ilość szt.: 6000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS123 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | UMW | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS138 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50020 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
3,5Ohm | 300mA | 300mW | SOT23 | UMW | 50V | N-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSS316NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 280mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS316NH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1485 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
280mOhm | 1,4A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
280mOhm | 1,4A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1140000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
280mOhm | 1,4A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
280mOhm | 1,4A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3403
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3403 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
200mOhm | 2,6A | 1,4W | SOT23 | ALPHA&OMEGA | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84 NXP tranzystor polowy P-MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
125 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/90000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
103550 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1890000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
151000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
195000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3415A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
380 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 5A | 1,5W | SOT23 | TECH PUBLIC | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
CSD19534KCS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
20mOhm | 100A | 118W | TO220 | Texas Instruments | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AO3415A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
65mOhm | 5A | 1,5W | SOT23 | VBS | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
STD26P3LLH6 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD26P3LLH6 STMicroelectronics
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
195 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
18mOhm | 55A | 37,5W | TO252 (DPACK) | JSMICRO | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3418
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 3,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3418 RoHS AK... Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
85mOhm | 3,8A | 1,4W | SOT23 | ALPHA&OMEGA | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3418 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
85mOhm | 3,8A | 1,4W | SOT23 | ALPHA&OMEGA | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
DMP4051LK3-13
P-MOSFET 40V 7.2A 51mΩ 2.14W
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
51mOhm | 10,5A | 2,14W | DPAK-3 | Diodes Incorporated | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1210 Ilość (wielokrotność 1) |
51mOhm | 10,5A | 2,14W | DPAK-3 | Diodes Incorporated | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP4051LK3-13 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
80000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
51mOhm | 10,5A | 2,14W | DPAK-3 | Diodes Incorporated | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP4051LK3-13 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
51mOhm | 10,5A | 2,14W | DPAK-3 | Diodes Incorporated | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3419
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3419 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
19270 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
168mOhm | 3,5A | 1,4W | SOT23 | ALPHA&OMEGA | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3419 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
168mOhm | 3,5A | 1,4W | SOT23 | ALPHA&OMEGA | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3420 SOT23-3L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 6A | 1,4W | SOT23 | HOTTECH | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDD8896
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Odpowiednik: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
496 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
2,1Ohm | 12A | 165W | TO252 | VBS | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
2,1Ohm | 12A | 165W | TO252 | VBS | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2,1Ohm | 12A | 165W | TO252 | VBS | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDN338P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 165mOhm; 1,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN338P RoHS Obudowa dokładna: SSOT3 |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
165mOhm | 1,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN338P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
165mOhm | 1,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN338P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
153000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
165mOhm | 1,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN338P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
165mOhm | 1,6A | 500mW | SSOT3 | Fairchild | 20V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3422
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 120mOhm; 2A; 1,56W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 2A | 1,56W | SOT23 | MSK | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDS9926A
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
165 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
50mOhm | 6,5A | 2W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS9926A Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
50mOhm | 6,5A | 2W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 10V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
FDV303N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 800mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDV303N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6252 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
800mOhm | 680mA | 350mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 25V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDV303N Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
29241000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
800mOhm | 680mA | 350mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 25V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDV303N Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
5900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
800mOhm | 680mA | 350mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 25V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD |