Tranzystory (wyszukane: 9587)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AO3420 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3420 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 6,5A | 1,4W | SOT23 | HXY MOSFET | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
JSM3420 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 35mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3420 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 1) |
35mOhm | 6A | 1,25W | SOT23 | JSMICRO | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3420
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6884 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 6A | 1,4W | SOT23 | ALPHA&OMEGA | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AO4629
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/74mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4629 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
190 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
74mOhm | 6A | 2W | SOP08 | ALPHA&OMEGA | 30V | N/P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO4805
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 25V; 29mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4805 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
29mOhm | 9A | 2W | SOP08 | ALPHA&OMEGA | 30V | 2xP-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N7002
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9445 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
7Ohm | 280mA | 350mW | SOT23 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7Ohm | 280mA | 350mW | SOT23 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1524000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7Ohm | 280mA | 350mW | SOT23 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3660 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7Ohm | 280mA | 350mW | SOT23 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
RTR040N03TL
30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS RTR040N03TL-VB; RTR040N03TL-JSM; CJ3400S3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 350 Ilość (wielokrotność 1) |
48mOhm | 5,3A | 1W | SOT23 | VBsemi | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AOD409 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD409 Alpha&Omega Semiconductor AOS
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 26A | 60W | TO252 (DPACK) | UMW | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AOD409
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD409 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 26A | 60W | TO252 | ALPHA&OMEGA | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AOD417
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: PTD40P20;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD417 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
115 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 25A | 50W | DPAK | ALPHA&OMEGA | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AOD508 DPAK(T/R) ALPHA&OMEGA SEMI
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
84 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
4,5mOhm | 70A | 50W | DPAK | ALPHA&OMEGA | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N7002-T1-E3 VISHAY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 40V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-T1-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
13,5Ohm | 115mA | 200mW | SOT23 | VISHAY | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 40V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRLR2908TR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRLPBF-VG; IRLR2908TRPBF; IRLR2908TRPBF-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
55 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
35mOhm | 40A | 3,75W | TO252 | VBsemi | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2311GN-HF-3-CN CHIPNOBO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 1,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN-HF-3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
200mOhm | 1,8A | 1,5W | SOT23 | CHIPNOBO | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2311GN JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: AP2311GN-HF-3;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
240mOhm | 2A | 1,56W | SOT23 | JGSEMI | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 125°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
28305 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
300mOhm | 1,8A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
300mOhm | 1,8A | 1,38W | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP4435GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
36mOhm | 40A | 44,6W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
36mOhm | 40A | 44,6W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3407 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
87mOhm | 4,1A | 350mW | SOT23 | JUXING | 30V | P-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AUIRLR2905Z International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
22,5mOhm | 60A | 110W | TO252 (DPACK) | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 16V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
8205A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
HL Microelectronics Symbol Producenta: 8205A RoHS Obudowa dokładna: TSSOP08 t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
27mOhm | 6A | 1,5W | TSSOP08 | HXY MOSFET | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BS170
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170(bulk); BS170G(tube); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
4650 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
20500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
15925 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 500mA | 830mW | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
BS250P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Zetex Symbol Producenta: BS250P RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
403 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
14Ohm | 230mA | 700mW | TO92formed | DIODES | 45V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS250P Obudowa dokładna: TO92formed |
Magazyn zewnetrzny:
6023 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
14Ohm | 230mA | 700mW | TO92formed | DIODES | 45V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS250P Obudowa dokładna: TO92formed |
Magazyn zewnetrzny:
7006 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
14Ohm | 230mA | 700mW | TO92formed | DIODES | 45V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BSP318SH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
928 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
150mOhm | 2,6A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP318SH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
1100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
150mOhm | 2,6A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP318SH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
655620 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
150mOhm | 2,6A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
5,5Ohm | 200mA | 350mW | SOT23 | MDD | 100V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123,215
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS123,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
13480 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
6Ohm | 150mA | 250mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
477000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 150mA | 250mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
5781000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 150mA | 250mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2574000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 150mA | 250mW | SOT23 | NXP | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSS123 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | UMW | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS138 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
42340 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/45000 Ilość (wielokrotność 10) |
3,5Ohm | 300mA | 300mW | SOT23 | UMW | 50V | N-MOSFET | 50V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
BSS316NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 280mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS316NH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1485 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/24000 Ilość (wielokrotność 1) |
280mOhm | 1,4A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
280mOhm | 1,4A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
822000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
280mOhm | 1,4A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
4920000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
280mOhm | 1,4A | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AO3403
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3403 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
480 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
200mOhm | 2,6A | 1,4W | SOT23 | ALPHA&OMEGA | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84 NXP tranzystor polowy P-MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/90000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
129442 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1422000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
88000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
327000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 130mA | 225mW | SOT23 | NXP | 50V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |