Tranzystory bipolarne (wyszukane: 3250)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBT5401 SOT23 MDD(MICRODIODE)
Tranzystor PNP; 300; 300mW, 160V; 600mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; MMBT5401-LGE; MMBT5401-AU_R1_000A1; MMBT5401-YAN; MMBT5401-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MDD(Microdiode Electronics) Symbol Producenta: MMBT5401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 300 | 300mW | 160V | 600mA | 100MHz | SOT23 | MDD | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BD139-16 TO126 HT SEMI
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BD139 RoHS 100-250 Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
970 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
YFW3400B SOT-23 YFW
30V 5.6A 1W 45mOhm@2.5V 1.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23(TO-236) Single FETs, MOSFETS Odpowiednik: YJL3400A-F2-0000HF; YJL3400A; YFW3400B;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
YFW50P03AD TO-252 YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: AOD417; YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BCV49 SOT89 NEXPERIA
NPN Darlington transistor BCV49,115; BCV49,135;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/10000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 10000 | 1,3W | 60V | 500mA | 220MHz | SOT89 | NXP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MMBT4401 SOT-23(T/R) FUXIN
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC548C TO92(bulk) FUXIN
Tranzystor NPN; 800; 500mW; 30V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC856A SOT23 HT SEMI
Tranzystor PNP; Bipolar; 250; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 250 | 200mW | 65V | 100mA | 100MHz | SOT23 | HT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BD140-16 TO126 FUXIN
Tranzystor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD14016S; BD14016STU; BD140-16-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
FMMT593 SOT-23(T/R) FUXIN
Trans GP BJT PNP 100V 1A 500mW Automotive Odpowiednik: FMMT593TA; FMMT593TC;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
YFW6G03S SOP-8 YFW
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2695 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2695 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) mic
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC846B-AKS;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MIC Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ARK Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
35970 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
TIP41C TO220 REALCHIP
Tranzystor NPN; 2W; 100V; 6A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TIP41C-TU; TIP41C-ST; TIP41CTU; TIP41C-BP; TIP41CG; TIP41C-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
490 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250/500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 75 | 2W | 100V | 6A | 3MHz | TO220 | RealChip | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
PDTC143ZT SOT23 TECH PUBLIC
SOT-23 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: PDTC143ZT RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
|
TIP42C TO220 MOT
Tranzystor PNP; 75; 65W, 100V; 6A; 3MHz, -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 75 | 65W | 100V | 6A | 3MHz | TO220 | MOT | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
YFW13003B TO92 YFW
Tranzystor NPN; 40; 900mW, 400V; 500mA; 8MHz, -55°C ~ 150°C; Podobny do: MPSA44; MPSA44-LGE; KSP44BU; LP395Z/NOPB; MPSA44BL;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 900mW | 400V | 500mA | 8MHz | TO92 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
YFW13003 YFW
Tranzystor NPN; 40; 1,25W, 480V; 1,5A; 8MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: ST13003-K; ST13003; YFW13003;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 40 | 1,25W | 480V | 1,5A | 8MHz | TO126 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC847B SOT23 YFW
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847B,215; BC847B,235; BC847BLT1G; BC847BLT3G; BC847BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC847B RFG; BC847B-7-F; BC847B-13-F; BC847B-TP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 450 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857C SOT23-3 YFW
Tranzystor PNP; 800; 200mW, 45V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 800 | 200mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC860B SOT23 YFW
Tranzystor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860B,215; BC860B,235; BC860BE6327; BC860BE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
PNP | 475 | 250mW | 45V | 100mA | 100MHz | SOT23 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BCV47 SOT23 YFW
Tranzystor NPN; 10000; 200mW; 60V; 500mA; 220MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: SP000010866; BCV47E6393; BCV47E6433HTMA1; BCV47E6327;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 10000 | 200mW | 60V | 500mA | 220MHz | SOT23 | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: BC857A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5480 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC848C SOT23(T/R) REALCHIP
Tranzystor NPN; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC848CLT1G, BC848CLT3G, BC848CE6327HTSA1, BC848CE6433HTMA1, BC848C RFG, BC848C-7-F, BC848C-TP
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/12000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 800 | 200mW | 30V | 100mA | 100MHz | SOT23 | RealChip | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC817-40 SOT23 RealChip
Tranzystor NPN; 600; 200mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC817-40 SOT23 Kingtronics
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC817-40 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
32500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BCP56-16 SOT223 YFW
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,5W | 80V | 1A | 100MHz | SOT223 | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
960 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 960 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 250 | 1,5W | 80V | 1A | 100MHz | SOT223 | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MMBT3904 SOT23 YFW
Tranzystor NPN; 400; 200mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BF840;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
NPN | 400 | 200mW | 40V | 200mA | 300MHz | SOT23 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
S9018-H SOT23 YFW
Tranzystor NPN; 190; 200mW, 15V; 50mA; 600MHz, -55°C ~ 150°C; Podobny do: BFR92A; BFR92PE6327HTSA1; BFR92PE6327; S9018-H; BFR92,215;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
NPN | 190 | 200mW | 15V | 50mA | 600MHz | SOT23 | YFW | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
MJD127 DPAK YFW
Tranzystor PNP; 1000; 1,75W; 100V; 3A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 1000 | 1,75W | 100V | 3A | 4MHz | TO252 (DPACK) | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 1000 | 1,75W | 100V | 3A | 4MHz | TO252 (DPACK) | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
PNP | 1000 | 1,75W | 100V | 3A | 4MHz | TO252 (DPACK) | YFW | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||
|
BC857B SOT23 REALCHIP
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BC857B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
|
BC846B SOT23(T/R) MOT
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC846B,215; BC846B,235; BC846B.215; BC846B.235; BC846B SMD NXP;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!
Wybrane produkty
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 30
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 40
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 50
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 60
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 70
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 100
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 250
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 300
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 400
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 450
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 475
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 600
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 800
- Tranzystory bipolarne, współczynnik wzmocnienia prądowego 1000