Tranzystory (wyszukane: 9647)

1    24  25  26  27  28  29  30  31  32    322
Produkt Koszyk
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Obudowa
Producent
Moc strat
Współczynnik wzmocnienia prądowego
Częstotliwość graniczna
Ładunek bramki
Maksymalna moc rozpraszana
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-bramka
Temperatura pracy (zakres)
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Montaż
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Układy tranzystorowe [T/N]
BSP315P SOT223 TEC Tranzystor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Podobny do: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
BSP315P RoHS || BSP315P SOT223 TEC SOT223
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
BSP315P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
493 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4600 1,1500 1,0500 1,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
493
Ilość (wielokrotność 1)
130mOhm -3A 2W SOT223 TECH PUBLIC -60V MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
BSP315P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1967 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4600 1,1500 1,0500 1,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
130mOhm -3A 2W SOT223 TECH PUBLIC -60V MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP315P UMW Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
BSP315P RoHS || BSP315P UMW SOT223
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
BSP315P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3800 1,4400 1,1100 0,9980 0,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
95mOhm 1,17A 1,8W SOT223 UMW 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IKW15N120T2 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 235W; 5,2V~6,4V; 93nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW15N120T2FKSA1;
IKW15N120T2 RoHS || IKW15N120T2FKSA1 || IKW15N120T2 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW15N120T2 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 16,7700 14,9100 13,7900 13,2300 12,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 93nC 235W 30A 60A 5,2V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW15N120T2FKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
482 szt.
Ilość szt. 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TO247 Infineon Technologies 93nC 235W 30A 60A 5,2V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
BSP322P Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1Ohm; 1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP322PH6327XTSA1; BSP322PL6327HTSA1;
BSP322PH6327XTSA1 RoHS || BSP322PH6327XTSA1 || BSP322P Infineon SOT223
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP322PH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1900 1,2200 0,9600 0,9050 0,8760
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
1Ohm 1A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP322PH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8760
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1Ohm 1A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP322PH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
19000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8760
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
1Ohm 1A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP372 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP372NH6327XTSA1;
BSP372N H6327 RoHS || BSP372NH6327XTSA1 || BSP372 SOT223
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP372N H6327 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,5500 1,6000 1,3300 1,1900 1,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
270mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP372NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
900 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1836
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
270mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP372NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
482000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
270mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP372NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
279000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
270mOhm 1,8A 1,8W SOT223 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP76E6433HUMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 42V; 12V; 200mOhm; 1.4A; 3.8W; -40°C~150°C; Odpowiednik: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
BSP76E6433HUMA1 RoHS || BSP76E6433HUMA1 || BSP76E6433HUMA1 SOT223
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP76E6433HUMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 6,7200 4,9800 4,3600 4,0500 3,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
200mOhm 1,4A 3,8W SOT223 INFINEON 42V N-MOSFET -40°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP76E6433HUMA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
13900 szt.
Ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
200mOhm 1,4A 3,8W SOT223 INFINEON 42V N-MOSFET -40°C ~ 150°C 12V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP76E6433HUMA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
200mOhm 1,4A 3,8W SOT223 INFINEON 42V N-MOSFET -40°C ~ 150°C 12V SMD
BSP88H6327XTSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 15Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C;
BSP88H6327XTSA1 RoHS || BSP88H6327XTSA1 || BSP88H6327XTSA1 SOT223
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP88H6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0000 1,1100 0,8760 0,8260 0,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
15Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP88H6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
900 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
15Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP88H6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
50000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
15Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSP89 Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 7,5Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP89.115; BSP89 L6327; BSP89H6327XTSA1; BSP89L6327HTSA1;
BSP89 RoHS || BSP89H6327XTSA1 RoHS || BSP89,115 || BSP89H6327XTSA1 || BSP89 SOT223
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP89 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
7 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,9500 1,2800 0,9190 0,7870 0,7490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP89H6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,9500 1,2800 0,9190 0,7870 0,7490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSP89,115
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP89H6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSP89H6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
52000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
7,5Ohm 350mA 1,8W SOT223 Infineon Technologies 240V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSR606NH6327XTSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
BSR606NH6327XTSA1 RoHS LIs. || BSR606NH6327XTSA1 SC59
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSR606NH6327XTSA1 RoHS LIs.
Obudowa dokładna:
SC59
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 25+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 1,6900 1,1000 0,8790 0,7200 0,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
90mOhm 2,3A 500mW SC59 Infineon Technologies 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IKW20N60T Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW20N60TFKSA1;
IKW20N60TFKSA1 RoHS || IKW20N60TFKSA1 || IKW20N60T TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW20N60TFKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 15,4800 13,0200 11,5400 10,8000 10,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 120nC 166W 40A 60A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW20N60TFKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
217 szt.
Ilość szt. 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TO247 Infineon Technologies 120nC 166W 40A 60A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW20N60TFKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
144 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TO247 Infineon Technologies 120nC 166W 40A 60A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
BSR802NL INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR802NL6327HTSA1;
BSR802N L6327 RoHS || BSR802NL6327HTSA1 || BSR802NL INFINEON SC-59
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSR802N L6327 RoHS
Obudowa dokładna:
SC-59 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,0800 0,8520 0,8040 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
32mOhm 3,7A 500mW SC-59 Infineon (IRF) 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSR802NL6327HTSA1
Obudowa dokładna:
SC-59
 
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
32mOhm 3,7A 500mW SC-59 Infineon (IRF) 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
BSS119NH6327 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS119NH6327XTSA1; BSS119 L6327; BSS119NH6433XTMA1
BSS119NH6327XTSA1 RoHS || BSS119NH6327XTSA1 || BSS119NH6327 Infineon SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS119NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2540 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1900 0,6570 0,4360 0,3640 0,3390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
10Ohm 190mA 500mW SOT23 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS119NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
10Ohm 190mA 500mW SOT23 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS119NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
228000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
10Ohm 190mA 500mW SOT23 Infineon Technologies 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123LT1G Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD;
BSS123LT1G RoHS || BSS123 || BSS123LT1G || BSS123LT1G SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BSS123LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
12620 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7430 0,3530 0,1980 0,1510 0,1350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
6Ohm 170mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BSS123
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
354000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
6Ohm 170mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BSS123LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
1107000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
6Ohm 170mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BSS123LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
2214000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
6Ohm 170mA 225mW SOT23 ON SEMICONDUCTOR 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 N-Channel MOSFET 0.17A 100V 10000mΩ BSS123-YAN
BSS123 RoHS || BSS123 SOT23
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
5000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3140 0,1210 0,0590 0,0469 0,0448
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
6Ohm 170mA 360mW SOT-23 YFW 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC5103TLQ Tranzystor NPN; 270; 1W; 60V; 5A; 120MHz; -55°C ~ 150°C;
2SC5103TLQ RoHS || 2SC5103TLQ TO252
Producent:
ROHM - Japan
Symbol Producenta:
2SC5103TLQ RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,4900 3,3000 2,6500 2,2700 2,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
TO252 ROHM 1W 270 120MHz 5A 60V NPN -55°C ~ 150°C
BSS123 Fairchild Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123L; BSS123-G; BSS123-TP;
BSS123 RoHS || BSS123-TP || BSS123 Fairchild SOT23
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5090 0,2340 0,1270 0,0951 0,0849
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
12Ohm 170mA 360mW SOT23 Fairchild 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Micro Commercial Components Corp.
Symbol Producenta:
BSS123-TP
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
3078000 szt.
Ilość szt. 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0849
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
12Ohm 170mA 360mW SOT23 Fairchild 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Producent:
Micro Commercial Components Corp.
Symbol Producenta:
BSS123-TP
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
Ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0849
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
12Ohm 170mA 360mW SOT23 Fairchild 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
TCSC5171 RoHS || 2SC5171 Tosh.2-10R1A
Producent:
CDIL
Symbol Producenta:
TCSC5171 RoHS
Obudowa dokładna:
Tosh.2-10R1A
 
Stan magazynowy:
568 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,2900 2,0800 1,6400 1,5000 1,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
Tosh.2-10R1A TOSHIBA 200MHz NPN -55°C ~ 150°C
                                                     
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-20
Ilość szt.: 500
                                               
BSS123 GALAXY Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 RoHS || BSS123 GALAXY SOT23
Producent:
GALAXY
Symbol Producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4490 0,1770 0,1030 0,0755 0,0690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
10Ohm 170mA 350mW SOT23 GALAXY 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 SA SOT23 HT SEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C;
BSS123 RoHS || BSS123 SA SOT23 HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
12000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2700 0,1040 0,0507 0,0403 0,0385
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
10Ohm 170mA 360mW SOT23 HT 100V N-MOSFET 10V -55°C ~ 150°C 20V SMD
IKW25N120H3 Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1
IKW25N120H3 RoHS || IKW25N120H3FKSA1 || IKW25N120H3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW25N120H3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 17,8900 15,8900 14,6900 14,1000 13,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 50A 100A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW25N120H3FKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
1110 szt.
Ilość szt. 240+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
240
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 50A 100A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
BSS123 HXY MOSFET Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 RoHS || BSS123 HXY MOSFET SOT23
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3580 0,1410 0,0823 0,0602 0,0550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
9Ohm 170mA 350mW SOT23 HXY MOSFET 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 JSMICRO Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 RoHS || BSS123 JSMICRO SOT23
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1500 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4360 0,1720 0,1000 0,0733 0,0670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
10Ohm 170mA 350mW SOT23 JSMICRO 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 JUXING Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 0.323MM RoHS || BSS123 JUXING SOT23
Producent:
JUXING
Symbol Producenta:
BSS123 0.323MM RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3140 0,1210 0,0591 0,0470 0,0449
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
10Ohm 170mA 350mW SOT23 JUXING 100V N-MOSFET -50°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 RoHS || BSS123 SHIKUES SOT23
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3840 0,1510 0,0883 0,0646 0,0590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
10Ohm 170mA 300mW SOT23 SHIKUES 100V N-MOSFET 100V -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC5198-O(Q,T) Tranzystor NPN; 160; 100W; 140V; 10A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA1941-O;
2SC5198 RoHS || 2SC5198-O(Q,T) 2-16C1A
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
2SC5198 RoHS
Obudowa dokładna:
2-16C1A
karta katalogowa
Stan magazynowy:
140 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 6,4900 4,8200 4,1100 3,8700 3,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
2-16C1A TOSHIBA 100W 160 30MHz 10A 140V NPN -55°C ~ 150°C
BSS123 SLKOR Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 RoHS || BSS123 SLKOR SOT23
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3490 0,1350 0,0657 0,0522 0,0499
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
6Ohm 150mA 250mW SOT23 SLKOR 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
BSS123 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN;
BSS123-F2-0000HF RoHS || BSS123 SOT23
Producent:
YY
Symbol Producenta:
BSS123-F2-0000HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2790 0,1070 0,0524 0,0417 0,0398
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
5,5Ohm 200mA 350mW SOT23 YY 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SC5198 JSMICRO Tranzystor NPN; 160; 100W; 140V; 10A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC5198-O(Q); 2SC5198-O(Q,T); 2SC5198-O(S1,E; 2SC5198-O(S1,E,S);
2SC5198 RoHS || 2SC5198 JSMICRO TO 3P
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
2SC5198 RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
 
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 6,4400 4,5000 3,7000 3,4400 3,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO 3P JSMICRO 100W 160 30MHz 10A 140V NPN -55°C ~ 150°C
IKW25N120T2 Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;
IKW25N120T2FKSA1 RoHS || IKW25N120T2FKSA1 || IKW25N120T2 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW25N120T2FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 25,9100 21,7900 19,3200 18,0800 17,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 Infineon Technologies 120nC 349W 50A 100A 5,2V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW25N120T2FKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
549 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 17,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TO247 Infineon Technologies 120nC 349W 50A 100A 5,2V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IKW25N120T2FKSA1
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
1683 szt.
Ilość szt. 60+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 17,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TO247 Infineon Technologies 120nC 349W 50A 100A 5,2V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
2SC5200 Tranzystor NPN; Bipolar; 230V; 5V; 160; 30MHz; 15A; 150W; -55°C~150°C; TCSC5200N;
TCSC5200N RoHS || 2SC5200 TO247
Producent:
CDIL
Symbol Producenta:
TCSC5200N RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
352 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 7,0600 5,2300 4,4600 4,2100 4,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/390
Ilość (wielokrotność 1)
TO247 CDIL 150W 160 30MHz 15A 230V NPN -55°C ~ 150°C
                                                     
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-30
Ilość szt.: 50
                                               
1    24  25  26  27  28  29  30  31  32    322