Tranzystory (wyszukane: 9647)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP315P SOT223 TEC
Tranzystor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Podobny do: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
493 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 493 Ilość (wielokrotność 1) |
130mOhm | -3A | 2W | SOT223 | TECH PUBLIC | -60V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1967 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
130mOhm | -3A | 2W | SOT223 | TECH PUBLIC | -60V | MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP315P UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
95mOhm | 1,17A | 1,8W | SOT223 | UMW | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IKW15N120T2
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 235W; 5,2V~6,4V; 93nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW15N120T2FKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 93nC | 235W | 30A | 60A | 5,2V ~ 6,4V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW15N120T2FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
482 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 93nC | 235W | 30A | 60A | 5,2V ~ 6,4V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
BSP322P Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1Ohm; 1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP322PH6327XTSA1; BSP322PL6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
1Ohm | 1A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP322PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1Ohm | 1A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP322PH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
19000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
1Ohm | 1A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 100V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP372
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP372NH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
270mOhm | 1,8A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP372NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
270mOhm | 1,8A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP372NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
482000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
270mOhm | 1,8A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP372NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
279000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
270mOhm | 1,8A | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP76E6433HUMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 42V; 12V; 200mOhm; 1.4A; 3.8W; -40°C~150°C; Odpowiednik: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
200mOhm | 1,4A | 3,8W | SOT223 | INFINEON | 42V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP76E6433HUMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
13900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
200mOhm | 1,4A | 3,8W | SOT223 | INFINEON | 42V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP76E6433HUMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
200mOhm | 1,4A | 3,8W | SOT223 | INFINEON | 42V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 15Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
15Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP88H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
15Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP88H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
50000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
15Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSP89
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 7,5Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP89.115; BSP89 L6327; BSP89H6327XTSA1; BSP89L6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
7 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSP89,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP89H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP89H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
52000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
7,5Ohm | 350mA | 1,8W | SOT223 | Infineon Technologies | 240V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSR606NH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
90mOhm | 2,3A | 500mW | SC59 | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IKW20N60T
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW20N60TFKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 166W | 40A | 60A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW20N60TFKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
217 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 166W | 40A | 60A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW20N60TFKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
144 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 166W | 40A | 60A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
BSR802NL INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSR802NL6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
32mOhm | 3,7A | 500mW | SC-59 | Infineon (IRF) | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSR802NL6327HTSA1 Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
32mOhm | 3,7A | 500mW | SC-59 | Infineon (IRF) | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS119NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS119NH6327XTSA1; BSS119 L6327; BSS119NH6433XTMA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2540 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
10Ohm | 190mA | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS119NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 190mA | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS119NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
228000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
10Ohm | 190mA | 500mW | SOT23 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
12620 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
6Ohm | 170mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS123 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
354000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 170mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS123LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1107000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 170mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS123LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2214000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
6Ohm | 170mA | 225mW | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123
N-Channel MOSFET 0.17A 100V 10000mΩ BSS123-YAN
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
6Ohm | 170mA | 360mW | SOT-23 | YFW | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SC5103TLQ
Tranzystor NPN; 270; 1W; 60V; 5A; 120MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | ROHM | 1W | 270 | 120MHz | 5A | 60V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BSS123 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123L; BSS123-G; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: BSS123-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3078000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: BSS123-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
12Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | Fairchild | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SC5171
NPN 2A 180V 20W 200MHz 100 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: TCSC5171 RoHS Obudowa dokładna: Tosh.2-10R1A |
Stan magazynowy:
568 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
Tosh.2-10R1A | TOSHIBA | 200MHz | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-20
Ilość szt.: 500
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS123 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | GALAXY | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123 SA SOT23 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 170mA | 360mW | SOT23 | HT | 100V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
IKW25N120H3
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 115nC | 326W | 50A | 100A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW25N120H3FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1110 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 240 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 115nC | 326W | 50A | 100A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
BSS123 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
9Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | HXY MOSFET | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | JSMICRO | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 170mA | 350mW | SOT23 | JUXING | 100V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | 170mA | 300mW | SOT23 | SHIKUES | 100V | N-MOSFET | 100V | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||||||||||
2SC5198-O(Q,T)
Tranzystor NPN; 160; 100W; 140V; 10A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Komplementarny do 2SA1941-O;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
140 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
2-16C1A | TOSHIBA | 100W | 160 | 30MHz | 10A | 140V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BSS123 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
6Ohm | 150mA | 250mW | SOT23 | SLKOR | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS123
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
5,5Ohm | 200mA | 350mW | SOT23 | YY | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SC5198 JSMICRO
Tranzystor NPN; 160; 100W; 140V; 10A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SC5198-O(Q); 2SC5198-O(Q,T); 2SC5198-O(S1,E; 2SC5198-O(S1,E,S);
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: 2SC5198 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3P | JSMICRO | 100W | 160 | 30MHz | 10A | 140V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IKW25N120T2
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 349W | 50A | 100A | 5,2V ~ 6,4V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW25N120T2FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
549 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 349W | 50A | 100A | 5,2V ~ 6,4V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IKW25N120T2FKSA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1683 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 349W | 50A | 100A | 5,2V ~ 6,4V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
2SC5200
Tranzystor NPN; Bipolar; 230V; 5V; 160; 30MHz; 15A; 150W; -55°C~150°C; TCSC5200N;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: TCSC5200N RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
352 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/390 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | CDIL | 150W | 160 | 30MHz | 15A | 230V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-30
Ilość szt.: 50
|