Tranzystory (wyszukane: 9632)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BD139-16
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW SOT32-3
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: BD139-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT32 |
Stan magazynowy:
550 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD139-16 JSMICRO
Tranzystor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | JSMICRO | 8W | 250 | 190MHz | 1,5A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: BD139-16 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | JSMICRO | 8W | 250 | 190MHz | 1,5A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BD139-16
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4950 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500/3000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | LGE | 1,25W | 250 | 1,5A | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BD139-16 CDIL
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16-CDI; TBD139.16;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/2000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | CDIL | 1,25W | 250 | 1,5A | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BD139 CDIL
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-CDI; TBD139;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | CDIL | 1,25W | 250 | 1,5A | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-20
Ilość szt.: 1000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD140 JSMICRO
Tranzystor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-ST; BD140-CDI; BD140G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | JSMICRO | 1,25W | 250 | 1,5A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BD140
Tranzystor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140G; BD140-CDI; BD140-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1127 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/2000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | STMicroelectronics | 1,25W | 250 | 1,5A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BD140-16 JSMICRO
Tranzystor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD14016S; BD14016STU; BD140-16-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | JSMICRO | 1,25W | 250 | 1,5A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BD140-16
Tranzystor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16; BD140-16ST; BD 140-16; BD140.16;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1740 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | STMicroelectronics | 1,25W | 250 | 1,5A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
BD140-16
Transistor PNP; Bipolar; 250; 80V; 5V; 1MHz; 1.5A; 1.25W; -55°C~150°C; TBD140.16; BD140-16-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: BD140-16 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | 1,25W | 250 | 1MHz | 1,5A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
IRF1010E JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF; SP001569818;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
8,5mOhm | 85A | 200W | TO220 | JSMICRO | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1010N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 44 Ilość (wielokrotność 1) |
11mOhm | 85A | 180W | TO220 | Infineon Technologies | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1010NS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010NSTRLPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRF1010NS RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
17 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
11mOhm | 85A | 180W | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1010Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 7,5mOhm; 94A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010ZPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010ZPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5mOhm | 94A | 140W | TO220 | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1018EPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 80A; 104W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRF1018EPBF; SP001574502;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
12mOhm | 80A | 104W | TO220 | MOSLEADER | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1018EPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRF1018EPBF; IRF1018E;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
8,4mOhm | 79A | 110W | TO220 | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
160 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
8,4mOhm | 79A | 110W | TO220 | International Rectifier | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1018ES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1018ESPBF; IRF1018ESPBF-GURT; IRF1018ESTRLPBF; Discontinued IRF1018ESTRLPBF; LTB:31.03.2025; replacement: IPB057N06NATMA1; coming soon
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
8,4mOhm | 79A | 110W | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BD140-16 CDIL
Tranzystor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16-CDI; BD140.16; TBD140.16;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: BD140.16 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
4700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | CDIL | 1,25W | 250 | 1,5A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
IRF1104
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9mOhm; 100A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1104PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
9mOhm | 100A | 170W | TO220 | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BD140 CDIL
Tranzystor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-CDI; BD140-LGE;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: BD140 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
1900 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | CDIL | 1,25W | 250 | 1,5A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
IRF1310NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1310NPBF; SP001553864;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 30A | 125W | TO220 | MOSLEADER | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1310
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1310NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
36mOhm | 42A | 160W | TO220 | International Rectifier | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1312
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 10mOhm; 95A; 210W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
44 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 44 Ilość (wielokrotność 1) |
10mOhm | 95A | 210W | TO220 | Infineon Technologies | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1324
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324PBF; Discontinued IRF1324PBF; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
17 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
1,5mOhm | 353A | 300W | TO220 | Infineon (IRF) | 24V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1324S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,65mOhm; 340A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
1,65mOhm | 340A | 300W | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | 24V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1404 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF; SP001561374;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRF1404PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4mOhm | 230A | 285W | TO220 | JSMICRO | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1404PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF; SP001561374;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
6,5mOhm | 120A | 123W | TO220 | MOSLEADER | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1404
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
270 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4mOhm | 202A | 333W | TO220 | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1404S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404SPBF; IRF1404STRLPBF; IRF1404STRRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
4mOhm | 162A | 200W | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
4mOhm | 162A | 200W | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,7mOhm; 190A; 220W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1404ZPBF; IRF1404ZGPBF; IRF1404ZLPBF; IRF1404Z;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
3,7mOhm | 190A | 220W | TO220 | Infineon (IRF) | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT |