Tranzystory (wyszukane: 9632)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF1405PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1405PBF; SP001574466;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4,5mOhm | 130A | 192W | TO220 | MOSLEADER | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1405
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1405PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
5,3mOhm | 169A | 330W | TO220 | International Rectifier | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1407PBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 120V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 119W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1407PBF; SP001564238;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
7,5mOhm | 120A | 119W | TO220 | HXY MOSFET | 120V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1407PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1407PBF; SP001564238;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4,5mOhm | 130A | 192W | TO220 | MOSLEADER | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF1407
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1407PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
7,8mOhm | 130A | 330W | TO220 | International Rectifier | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BD234 TO126 CDIL
Tranzystor PNP; 40; 1,25W; 45V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | CDIL | 1,25W | 40 | 3MHz | 2A | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRF250P225
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 22mOhm; 69A; 313W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRF250P225 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
22mOhm | 69A | 313W | TO247 | Infineon (IRF) | 250V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BD237
Tranzystor NPN; 40; 25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD237-ST;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: BD237 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | STMicroelectronics | 25W | 40 | 3MHz | 2A | 80V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRF2804
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF2804PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
27 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 27 Ilość (wielokrotność 1) |
2,3mOhm | 270A | 300W | TO220 | International Rectifier | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BD237
Tranzystor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD237-ST; TBD237;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BD237 RoHS Obudowa dokładna: TO126bulk |
Stan magazynowy:
950 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | LGE | 1,25W | 40 | 3MHz | 2A | 80V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | LGE | 1,25W | 40 | 3MHz | 2A | 80V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BD237-16 CDIL
Tranzystor NPN; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TBD237.16;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: BD237-16 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
11 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | CDIL | 1,25W | 40 | 3MHz | 2A | 80V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-20
Ilość szt.: 1000
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF2805PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF2805LPBF; IRF2805PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRF2805PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
4,7mOhm | 175A | 330W | TO220 | INFINEON | 55V | MOSFET | 10V | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
BD237-16 TO126 CYD
Tranzystor NPN; 40; 25W; 80V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CYD Symbol Producenta: BD237-16 RoHS Obudowa dokładna: TO126 |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/2000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | 25W | 40 | 3MHz | 2A | 80V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
IRF2807S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF2807SPBF; IRF2807STRLPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
13mOhm | 82A | 230W | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IRF2807Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9,4mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF2807ZLPBF; IRF2807ZPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
147 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
9,4mOhm | 89A | 170W | TO220 | Infineon (IRF) | 75V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BD238
Tranzystor PNP; 40; 1,25W; 80V; 2A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
250 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO126 | LGE | 1,25W | 40 | 3MHz | 2A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
D3205 DONGHAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 7mOhm; 120A; 204W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
7mOhm | 120A | 204W | TO220 | Donghai | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF3205PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205PBF; IRF 3205 PBF; IRF3205;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
220 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
8mOhm | 110A | 200W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
IRF3205S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205SPBF; IRF3205STRLPBF; IRF3205STRRPBF; IRF3205SPBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3205STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
86 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
8mOhm | 110A | 200W | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BD239C
Tranzystor NPN; 40; 2W; 100V; 2A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | STMicroelectronics | 2W | 40 | 2A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
IRF3205ZPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205ZPBF; IRF3205Z;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
6,5mOhm | 110A | 170W | TO220 | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BD239C CDIL
Tranzystor NPN; 40; 2W; 100V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: BD239C RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
375 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | CDIL | 2W | 40 | 3MHz | 2A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
BD240B
Tranzystor PNP; 20; 30W; 80V; 2A; -65°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
ARK Symbol Producenta: BD240B Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
230 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | 30W | 20 | 2A | 80V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
IRF3205ZS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 110A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205ZSTRLPBF; IRF3205ZSTRRPBF; IRF3205ZSPBF TUBE; RF3205ZSPBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3205ZS RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
274 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
6,5mOhm | 110A | 170W | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | 55V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BD240C
Tranzystor PNP; 40; 2W; 100V; 2A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TIP30C; NTE332; TBD240C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: BD240C RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | CDIL | 2W | 40 | 3MHz | 2A | 100V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRF3315PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 70mOhm; 27A; 136W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3315PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
44 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
70mOhm | 27A | 136W | TO220 | Infineon (IRF) | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BD241C
Tranzystor NPN; 25; 40W; 100V; 3A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TIP31C; TBD241C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/650 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | 40W | 25 | 3A | 100V | NPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-08
Ilość szt.: 400
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF3415
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 42mOhm; 43A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3415PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
42mOhm | 43A | 200W | TO220 | International Rectifier | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BD241C
Transistor NPN; Bipolar; 100V; 10V; 3A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ARK | 40W | 3A | 100V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1700 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ARK | 40W | 3A | 100V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
IRF3703
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 3,9mOhm; 210A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3703PBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
35 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
3,9mOhm | 210A | 230W | TO220 | Infineon (IRF) | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT |