Tranzystory polowe (wyszukane: 6943)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
12N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
87 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | LGE | 12A | 10V | 650V | 30V | 33W | THT | 540mOhm | -55°C ~ 150°C | MOSFET | ||||||||||||
|
ZXMS6004DN8-13
Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 600mOhm; 1,3A; 1,56W; -40°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1465 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOIC08 | DIODES | 1,3A | 60V | 1,56W | SMD | 600mOhm | -40°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | ||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-10-23
Ilość szt.: 2500
|
|||||||||||||||||||||||
|
EPC2059
Tranzystor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
EPC Symbol Producenta: EPC2059 RoHS Obudowa dokładna: DIE(2.8x1.4) |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
EPC | 24A | 170V | 6V | SMD | 9mOhm | -40°C ~ 150°C | GANFET | |||||||||||||||
|
FDC658AP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 75mOhm; 4A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1100 Ilość (wielokrotność 1) |
TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | 4A | 30V | 25V | 1,6W | SMD | 75mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FDN306P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SSOT3 | Fairchild | 2,6A | 12V | 8V | 500mW | SMD | 80mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SSOT3 | Fairchild | 2,6A | 12V | 8V | 500mW | SMD | 80mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FDN338P SOT23 MSKSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | MSK | 2A | 20V | 12V | 1,56W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 3A | 20V | 8V | 500mW | SMD | 61mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 3A | 20V | 8V | 500mW | SMD | 61mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
336000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 3A | 20V | 8V | 500mW | SMD | 61mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 3A | 20V | 8V | 500mW | SMD | 61mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | 3A | 20V | 8V | 500mW | SMD | 61mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDS8958A SOP08 ON Semiconductor
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/80mOhm; 7A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS8958A-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | Fairchild | 7A | 30V | 20V | 2W | SMD | 80mOhm | -55°C ~ 150°C | N/P-MOSFET | |||||||||||||
|
FDV301N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | UMW | 6A | 20V | 12V | 2,1W | SMD | 50mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FQP47P06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 47A | 60V | 25V | 160W | THT | 26mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
4700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 47A | 60V | 25V | 160W | THT | 26mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
832 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 47A | 60V | 25V | 160W | THT | 26mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
FQP50N06
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FQP50N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
192 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 50A | 60V | 25V | 120W | THT | 22mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FQPF2N60C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FQPF2N60C RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
6 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 2A | 600V | 30V | 23W | THT | 4,7Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | 2A | 600V | 30V | 23W | THT | 4,7Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
HX2301A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 2,5A; 130mOhm; 0,9W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | HX | 2,5A | 20V | 12V | 900mW | SMD | 130mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2027-12-31
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
|
IRF1010E
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
235 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 84A | 60V | 20V | 200W | THT | 12mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010EPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
280 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | International Rectifier | 84A | 60V | 20V | 200W | THT | 12mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010EPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
12097 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | International Rectifier | 84A | 60V | 20V | 200W | THT | 12mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1010ES smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ESPBF, IRF1010ESTRLPBF
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 84A | 60V | 20V | 200W | SMD | 12mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF1404ZS Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,7mOhm; 180A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1404ZSPBF; IRF1404ZSTRLPBF; IRF1404ZSTRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
88 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
D2PAK | Infineon (IRF) | 180A | 40V | 20V | 200W | SMD | 3,7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
2400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
D2PAK | Infineon (IRF) | 180A | 40V | 20V | 200W | SMD | 3,7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
D2PAK | Infineon (IRF) | 180A | 40V | 20V | 200W | SMD | 3,7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnętrzny:
910 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
D2PAK | Infineon (IRF) | 180A | 40V | 20V | 200W | SMD | 3,7mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF4905PBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | JSMICRO | 80A | 55V | 20V | 200W | THT | 20mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF4905 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | UMW | 70A | 55V | 20V | 170W | THT | 20mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF4905
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
1847 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon (IRF) | 74A | 55V | 20V | 200W | THT | 20mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
8080 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | 74A | 55V | 20V | 200W | THT | 20mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
50750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | 74A | 55V | 20V | 200W | THT | 20mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
9705 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | 74A | 55V | 20V | 200W | THT | 20mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF540NPBF-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 60A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | CHIPNOBO | 60A | 100V | 20V | 96W | THT | 20mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF540N JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | JSMICRO | 40A | 100V | 20V | 96W | THT | 26mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF540NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
215 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | MOSLEADER | 30A | 100V | 20V | 125W | THT | 50mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF540NPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NPBF; IRF 540 N PBF; IRF540N;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540N RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
914 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon (IRF) | 33A | 100V | 20V | 130W | THT | 44mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF 540 N PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | 33A | 100V | 20V | 130W | THT | 44mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
34907 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | 33A | 100V | 20V | 130W | THT | 44mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
16730 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | 33A | 100V | 20V | 130W | THT | 44mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-08-14
Ilość szt.: 2300
|
|||||||||||||||||||||||
|
IRF7301TRPBF-CN CHIPNOBO
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 45mOhm; 6,5A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; SP001571442; SP001561974;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | CHIPNOBO | 6,5A | 20V | 12V | 1W | SMD | 45mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF7301TRPBF JSMICRO
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; SP001571442; SP001561974;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | JSMICRO | 7A | 20V | 10V | 1,5W | SMD | 28mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF7301TR UMW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; SP001571442; SP001561974;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1650 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1840 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | UMW | 5,2A | 20V | 12V | 2W | SMD | 50mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 430 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | UMW | 5,2A | 20V | 12V | 2W | SMD | 50mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 570 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | UMW | 5,2A | 20V | 12V | 2W | SMD | 50mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF7301TRPBF
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; IRF7301PBF-GURT; IRF7301; IRF7301TRPBF-VB; IRF 7301 TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 620 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | Infineon Technologies | 5,2A | 20V | 12V | 2W | SMD | 70mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF7317TRPBF
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRF7317PBF; IRF7317TRPBF; IRF7317PBF-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
470 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 700 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | International Rectifier | 6,6A | 20V | 12V | 2W | SMD | 98mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN/P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7317TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
56000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | International Rectifier | 6,6A | 20V | 12V | 2W | SMD | 98mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN/P-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF7401TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 12A; 3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | JSMICRO | 12A | 30V | 20V | 3W | SMD | 14mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF7401TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
97 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | UMW | 8,7A | 20V | 12V | 2,5W | SMD | 30mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||