Tranzystory polowe (wyszukane: 7020)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML6344TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HXY MOSFET | 5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
104 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HXY MOSFET | 5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLML6346TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6346TRPBF; SP001578770;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | UMW | 3,4A | 30V | 12V | 1,3W | SMD | 80mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLML6401
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
41 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | INFINEON | 4,3A | 12V | 8V | 1,3W | SMD | 125mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | INFINEON | 4,3A | 12V | 8V | 1,3W | SMD | 125mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
847900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | INFINEON | 4,3A | 12V | 8V | 1,3W | SMD | 125mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,4mOhm; 90A; 39W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | CHIPNOBO | 90A | 30V | 20V | 39W | SMD | 7,4mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
RDB6P5N03U CREATEK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 80A; 115W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | CREATEK | 80A | 30V | 25V | 115W | SMD | 6,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLR8726 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
450 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | HXY MOSFET | 80A | 30V | 20V | 54W | SMD | 9mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | JGSEMI | 80A | 30V | 20V | 54W | SMD | 11mOhm | -55°C ~ 125°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLR8726TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | UMW | 86A | 30V | 20V | 75W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
240 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | UMW | 86A | 30V | 20V | 75W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | UMW | 86A | 30V | 20V | 75W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
7700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000/10000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 86A | 30V | 20V | 75W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) t/r |
Stan magazynowy:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000/10000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 86A | 30V | 20V | 75W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 86A | 30V | 20V | 75W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
2600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 86A | 30V | 20V | 75W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
MMBF5484
Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 5mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: MMBF5484 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 5mA | 25V | 25V | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | N-JFET | ||||||||||||||
|
MMBFJ112
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1880 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ONSEMI | -35V | SMD | 50Ohm | -55°C ~ 155°C | N-JEFT | ||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
132000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | ONSEMI | -35V | SMD | 50Ohm | -55°C ~ 155°C | N-JEFT | ||||||||||||||||
|
NTD5865NLT4G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: NTD5865NLT4G RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 46A | 60V | 20V | 71W | SMD | 19mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
NTD5867N
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | TECH PUBLIC | 20A | 60V | 20V | 50W | THT | 33mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
NTS4173PT1G
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 12V; 280mOhm; 1,2A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2795 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 1,2A | 30V | 12V | 290mW | SMD | 280mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SI2301CDS-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4044 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | VISHAY | 3,1A | 20V | 8V | 1,6W | SMD | 142mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SI2304DDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2304DDS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | VISHAY | 3,3A | 10V | 30V | 20V | 1,1W | SMD | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
AS3400
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | AnBon | 5,6A | 30V | 12V | 1,2W | SMD | 51mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SI4435DDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 11,4A | 30V | 20V | 5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 11,4A | 30V | 20V | 5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 11,4A | 30V | 20V | 5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 11,4A | 30V | 20V | 5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 11,4A | 30V | 20V | 5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
2400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 11,4A | 30V | 20V | 5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SI4459ADY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 29A | 30V | 20V | 7,8W | SMD | 7,7mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SI9407BDY
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 4,7A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 700 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
14 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
1300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SI9433BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9433BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
19 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 4,5A | 20V | 12V | 1,3W | SMD | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9433BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 4,5A | 20V | 12V | 1,3W | SMD | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SI9926BDY
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9926BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 6,2A | 20V | 12V | 1,14W | SMD | 30mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
SK3415 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 12V; 180mOhm; 4,2A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3415;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SC59 | SHIKUES | 4,2A | 25V | 12V | SMD | 180mOhm | 25°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||||
|
SKML2402 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | SHIKUES | 2A | 20V | 10V | 700mW | SMD | 80mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SKQ50N03BD SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
DFN08(3.3x3.3) | SHIKUES | 50A | 30V | 20V | 30W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STF14NM50N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | STMicroelectronics | 12A | 500V | 25V | 25W | THT | 320mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STF14NM50N Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
1910 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220iso | STMicroelectronics | 12A | 500V | 25V | 25W | THT | 320mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STN1HNK60
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 8,5Ohm; 400mA; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | STMicroelectronics | 400mA | 600V | 600V | 30V | 3,3W | SMD | 8,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STN1HNK60 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | STMicroelectronics | 400mA | 600V | 600V | 30V | 3,3W | SMD | 8,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
STN3NF06L
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 120mOhm; 4A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | STMicroelectronics | 4A | 60V | 16V | 3,3W | SMD | 120mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STW70N60M2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
18 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | STMicroelectronics | 68A | 650V | 25V | 450W | THT | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STW88N65M5
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | STMicroelectronics | 84A | 650V | 25V | 450W | THT | 29mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STW88N65M5 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
760 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO247 | STMicroelectronics | 84A | 650V | 25V | 450W | THT | 29mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||