Tranzystory polowe (wyszukane: 6943)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR8726TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
240 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | UMW | 86A | 30V | 20V | 75W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-08-07
Ilość szt.: 400
|
|||||||||||||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
7750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000/10000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 86A | 30V | 20V | 75W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 86A | 30V | 20V | 75W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
50000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 86A | 30V | 20V | 75W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
2700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 86A | 30V | 20V | 75W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-08-14
Ilość szt.: 10000
|
|||||||||||||||||||||||
|
MMBF5484
Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 5mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: MMBF5484 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 5mA | 25V | 25V | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | N-JFET | ||||||||||||||
|
MMBFJ112
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1880 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ONSEMI | -35V | SMD | 50Ohm | -55°C ~ 155°C | N-JEFT | ||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | ONSEMI | -35V | SMD | 50Ohm | -55°C ~ 155°C | N-JEFT | ||||||||||||||||
|
NTD5865NLT4G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: NTD5865NLT4G RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | 46A | 60V | 20V | 71W | SMD | 19mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
NTD5867N
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | TECH PUBLIC | 20A | 60V | 20V | 50W | THT | 33mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
NTS4173PT1G
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 12V; 280mOhm; 1,2A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2795 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | 1,2A | 30V | 12V | 290mW | SMD | 280mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SI2301CDS-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4050 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | VISHAY | 3,1A | 20V | 8V | 1,6W | SMD | 142mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-E3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | VISHAY | 3,1A | 20V | 8V | 1,6W | SMD | 142mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | VISHAY | 3,1A | 20V | 8V | 1,6W | SMD | 142mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SI2304DDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2304DDS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | VISHAY | 3,3A | 10V | 30V | 20V | 1,1W | SMD | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
AS3400
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | AnBon | 5,6A | 30V | 12V | 1,2W | SMD | 51mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SI4435DDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 11,4A | 30V | 20V | 5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
167 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 11,4A | 30V | 20V | 5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
2400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 11,4A | 30V | 20V | 5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 11,4A | 30V | 20V | 5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 11,4A | 30V | 20V | 5W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SI4459ADY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 29A | 30V | 20V | 7,8W | SMD | 7,7mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SI9407BDY
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 4,7A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 700 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
14 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
1300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
155000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 4,7A | 60V | 20V | 5W | SMD | 150mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SI9433BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9433BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
19 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 4,5A | 20V | 12V | 1,3W | SMD | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9433BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 4,5A | 20V | 12V | 1,3W | SMD | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SI9926BDY
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9926BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 6,2A | 20V | 12V | 1,14W | SMD | 30mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
SK3415 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 12V; 180mOhm; 4,2A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3415;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SC59 | SHIKUES | 4,2A | 25V | 12V | SMD | 180mOhm | 25°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||||
|
SKML2402 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | SHIKUES | 2A | 20V | 10V | 700mW | SMD | 80mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SKQ50N03BD SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
DFN08(3.3x3.3) | SHIKUES | 50A | 30V | 20V | 30W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STF14NM50N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | STMicroelectronics | 12A | 500V | 25V | 25W | THT | 320mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STF14NM50N Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220iso | STMicroelectronics | 12A | 500V | 25V | 25W | THT | 320mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STF14NM50N Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
1910 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220iso | STMicroelectronics | 12A | 500V | 25V | 25W | THT | 320mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STF14NM50N Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
2700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220iso | STMicroelectronics | 12A | 500V | 25V | 25W | THT | 320mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STN1HNK60
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 8,5Ohm; 400mA; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | STMicroelectronics | 400mA | 600V | 600V | 30V | 3,3W | SMD | 8,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STN1HNK60 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
92000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | STMicroelectronics | 400mA | 600V | 600V | 30V | 3,3W | SMD | 8,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
STN3NF06L
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 120mOhm; 4A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | STMicroelectronics | 4A | 60V | 16V | 3,3W | SMD | 120mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STN3NF06L Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | STMicroelectronics | 4A | 60V | 16V | 3,3W | SMD | 120mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STN3NF06L Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223 | STMicroelectronics | 4A | 60V | 16V | 3,3W | SMD | 120mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STW70N60M2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
28 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | STMicroelectronics | 68A | 650V | 25V | 450W | THT | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STW70N60M2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
510 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO247 | STMicroelectronics | 68A | 650V | 25V | 450W | THT | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STW70N60M2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
2050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO247 | STMicroelectronics | 68A | 650V | 25V | 450W | THT | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STW88N65M5
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | STMicroelectronics | 84A | 650V | 25V | 450W | THT | 29mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STW88N65M5 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO247 | STMicroelectronics | 84A | 650V | 25V | 450W | THT | 29mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STW88N65M5 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnętrzny:
5498 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO247 | STMicroelectronics | 84A | 650V | 25V | 450W | THT | 29mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SUM90P10-19L-E3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 96 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | VISHAY | 90A | 100V | 20V | 375W | SMD | 21mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
33600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO263 (D2PAK) | VISHAY | 90A | 100V | 20V | 375W | SMD | 21mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnętrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO263 (D2PAK) | VISHAY | 90A | 100V | 20V | 375W | SMD | 21mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
WPM2015 SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | KUU | 2,4A | 20V | 8V | 1,1W | SMD | 110mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | KUU | 2,4A | 20V | 8V | 1,1W | SMD | 110mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF7401TR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308; IRF7401TRPBF-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TRPBF-JSM;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW4406AS RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | UMW | 8,7A | 20V | 12V | 2,5W | SMD | 30mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW4406AS RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 180 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | UMW | 8,7A | 20V | 12V | 2,5W | SMD | 30mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N6027
Tranzystor PUT; 300mW; -50°C ~ 100°C; Odpowiednik: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1124 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | UTC | 150mA | 40V | 300mW | THT | -50°C ~ 100°C | PUT | |||||||||||||||
|
2N7000 ZEHUA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
750 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | ZEHUA | 200mA | 60V | 20V | 400mW | THT | 5,3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7000
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7000BU RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 200mA | 60V | 60V | 20V | 400mW | THT | 9Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7000-D26Z Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
102000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 200mA | 60V | 60V | 20V | 400mW | THT | 9Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7000TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
70000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 200mA | 60V | 60V | 20V | 400mW | THT | 9Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7000-D26Z Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 200mA | 60V | 60V | 20V | 400mW | THT | 9Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: 2N7000 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
1678 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/10000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92ammoformed | 200mA | 60V | 60V | 20V | 400mW | THT | 5,3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-10-30
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||