Tranzystory polowe (wyszukane: 6768)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFZ44ZPBF
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 13,9mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44Z;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 13,9mOhm | 51A | 80W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFZ44ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 13,9mOhm | 51A | 80W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRLL2705 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 65mOhm; 5,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL2705TRPBF; IRLL2705PBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 65mOhm | 5,2A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
64 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 65mOhm | 5,2A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL2705TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
217000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 65mOhm | 5,2A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL2705TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
11150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 65mOhm | 5,2A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLL2705TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnętrzny:
172500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 65mOhm | 5,2A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRLL3303
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 16V; 45mOhm; 6,5A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLL3303PBF; IRLL3303TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 16V | 45mOhm | 6,5A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRLML0100TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 290mOhm | 3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
160 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 290mOhm | 3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
IRLML0100TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 235mOhm | 1,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
|
IRLML0100
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; IRLML0100PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0100TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1740 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 235mOhm | 1,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0100TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
17700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 16V | 235mOhm | 1,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0100TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
408000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 16V | 235mOhm | 1,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRLML0060TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0060TRPBF; SP001568948;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 16V | 116mOhm | 2,7A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
|
IRLML2803
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2803TRPBF; IRLML2803PBF; IRLML2803GTRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3217 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
33600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
225000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
546000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
IRLML5203 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 145mOhm; 3A; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5203TRPBF; IRLML5203GTRPBF; SP001567222; SP001558846;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2450 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 145mOhm | 3A | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
|
IRLML6344 SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Odpowiednik: YJL3400A-F2-0000HF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2280 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 4,5V | 12V | 29mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | ||||||||||||
|
IRLML6344TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 55mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
104 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 55mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
IRLML6346TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6346TRPBF; SP001578770;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 80mOhm | 3,4A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
|
IRLML6401
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
746 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TR RoHS F... Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
403500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
324000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
594000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,4mOhm; 90A; 39W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 7,4mOhm | 90A | 39W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | CHIPNOBO | |||||||||||||
|
IRLR8726 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 9mOhm | 80A | 54W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11mOhm | 80A | 54W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
|
IRLR8726TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
|
IRLR8726TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
13375 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnętrzny:
3400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnętrzny:
72000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
MMBF5484
Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 5mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5484 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 25V | 25V | 5mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5484 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 25V | 25V | 5mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5484 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 25V | 25V | 5mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
|
MMBFJ112
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1880 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JEFT | -35V | 50Ohm | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | ONSEMI | ||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JEFT | -35V | 50Ohm | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | ONSEMI | ||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JEFT | -35V | 50Ohm | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | ONSEMI | ||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JEFT | -35V | 50Ohm | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | ONSEMI | ||||||||||||||||
|
NTD5865NLT4G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: NTD5865NLT4G RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 19mOhm | 46A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
NTD5867N
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 33mOhm | 20A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO252 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
NTS4173PT1G
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 12V; 280mOhm; 1,2A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2795 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4173PT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4173PT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4173PT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnętrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
SI2301CDS-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4050 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
153000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
318000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
|
SI2304DDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2304DDS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
108000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
|
SI2308BDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
140 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 105mOhm | 3A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
AS3400
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 51mOhm | 5,6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | |||||||||||||
|
SI4435DDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
17500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
2750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
191 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
|
SI4459ADY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 7,7mOhm | 29A | 7,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
|
SI9407BDY
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 4,7A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 700 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
14 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
35000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||