Tranzystory polowe (wyszukane: 6958)

1  2  3  4  5  6  7  8  9    232
Produkt Koszyk
Obudowa
Producent
Maksymalny prąd drenu
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Maksymalna tracona moc
Montaż
Rezystancja otwartego kanału
Temperatura pracy (zakres)
Typ tranzystora
2N7002KD SOT-363(T/R) FUXIN N-Channel SMD MOSFET ESD Protection 60V 0.34A Odpowiednik: 2N7002DWH6327XTSA1;
2N7002KD RoHS || 2N7002KD SOT-363(T/R) FUXIN SOT363
Producent:
FUXINSEMI
Symbol Producenta:
2N7002KD RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5860 0,2690 0,1460 0,1090 0,0976
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT363 FUXIN 340mA 60V 20V 150mW SMD 5,3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW2302B SOT-23 YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 78mOhm; 3,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS205NH6327; BSS214NH6327;
YFW2302B RoHS || YFW2302B SOT-23 YFW SOT23
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW2302B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2790 0,1080 0,0525 0,0418 0,0399
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 YFW 3,2A 20V 12V 700mW SMD 78mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW30N06AD TO-252 YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 35W; -55°C ~ 150°C; PODOBNY DO: STD20NF06T4;
YFW30N06AD RoHS || YFW30N06AD TO-252 YFW TO252 (DPAK)
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW30N06AD RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1065 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1065+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5730 0,3760 0,3250 0,2990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1065
Ilość (wielokrotność 1)
TO252 (DPACK) YFW 30A 60V 20V 35W SMD 40mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP-ES; BSS138-TP;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN SOT23
Producent:
FUXINSEMI
Symbol Producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3210 0,1240 0,0604 0,0480 0,0459
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 FUXIN 220mA 50V 20V 350W SMD 6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
BSS138BK RoHS || BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC SOT23
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
BSS138BK RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
29000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3840 0,1510 0,0883 0,0646 0,0590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 TECH PUBLIC 360mA 50V 20V 350mW SMD 4,5Ohm -55°C ~ 155°C N-MOSFET
AO4832 SOP8 XBLW Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AO4832 RoHS || AO4832 SOP8 XBLW SOP08
Producent:
XBLW
Symbol Producenta:
AO4832 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2500 0,6860 0,4500 0,3880 0,3580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOP08 ALPHA&OMEGA 10A 30V 20V 2W SMD 19mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
LGE50N06D TO252 LGE Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3;
LGE50N06D RoHS || LGE50N06D TO252 LGE TO252
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
LGE50N06D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1500 0,6330 0,4190 0,3490 0,3280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
TO252 LGE 50A 60V 20V 136W SMD 20mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
BSS138BW SOT323 KINGTRONICS Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS138PW,115;
BSS138 RoHS || BSS138BW SOT323 KINGTRONICS SOT323
Producent:
KINGTRONICS
Symbol Producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2920 0,1120 0,0549 0,0437 0,0417
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT323 KINGTRONICS 320mA 60V 20V 420mW SMD 1,6Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
2N7002A DIOTEC Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23
2N7002A RoHS || 2N7002A || 2N7002A DIOTEC SOT23
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
2N7002A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3890 0,1530 0,0896 0,0656 0,0599
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 DIOTEC 280mA 60V 30V 350mW SMD 5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
2N7002A
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnętrzny:
1840 szt.
Ilość szt. 20+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,0817
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
SOT23 DIOTEC 280mA 60V 30V 350mW SMD 5Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW50P03AD TO-252 YFW Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 20mOhm; 50A; 310W; -55°C ~ 150°C; podobny do: AOD417; YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH;
YFW50P03AD RoHS || YFW50P03AD TO-252 YFW TO252 (DPAK)
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW50P03AD RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6600 0,5150 0,4660 0,4490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
TO252 (DPAK) YFW 50A 30V 20V 310W SMD 20mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSS138A SOT323 HT SEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW;
BSS138A RoHS || BSS138A SOT323 HT SEMI SOT323
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BSS138A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3560 0,1400 0,0820 0,0600 0,0548
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT323 HT SEMI 340mA 50V 20V 350mW SMD 3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
BSH202 SOT23 TECH PUBLIC 30V 1W 1.6V 190mOhm@10V 1 P-CHANNEL SINGLE FETs MOSFET Odpowiednik: BSH202(TP);
BSH202 RoHS || BSH202 SOT23 TECH PUBLIC SOT23
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
BSH202 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9500 0,4820 0,2920 0,2310 0,2110
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 SOT23 REALCHIP Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84AK,215;
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23 REALCHIP SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3290 0,1300 0,0757 0,0554 0,0506
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 RealChip 130mA 50V 20V 225mW SMD 10Ohm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3401 RoHS || AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC SOT23
Producent:
EASTRONIC
Symbol Producenta:
AO3401 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4140 0,1630 0,0953 0,0697 0,0637
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23-3 EASTRONIC 4,2A 30V 12V 1,4W SMD 90mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 54mOhm; 5,8A; 1,3W; -55°C ~ 150°C;
AO3400 RoHS || AO3400 5.8A SOT23 EASTRONIC SOT23
Producent:
EASTRONIC
Symbol Producenta:
AO3400 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4000 0,1580 0,0920 0,0673 0,0615
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23-3 EASTRONIC 5,8A 30V 12V 1,3W SMD 54mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
LGE3407 SOT23 LGE Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A 003;
LGE3407 RoHS || LGE3407 SOT23 LGE SOT23
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
LGE3407 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2990 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6000 0,2850 0,1600 0,1220 0,1090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23-3 LGE 4,3A 30V 20V 1,4W SMD 48mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
RC3400A SOT23 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; RC3400A;
RC3400A RoHS || RC3400A SOT23 RealChip SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC3400A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4730 0,2170 0,1180 0,0884 0,0789
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23-3 RealChip 5,8A 30V 12V SMD 55mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
MOT740F TO-220F MOT Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 580mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 150°C;
MOT740F RoHS || MOT740F TO-220F MOT TO220iso
Producent:
MOT-
Symbol Producenta:
MOT740F RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3500 1,4200 1,0900 0,9870 0,9390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
TO220iso MOT 10A 400V 20V 45W THT 580mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RC3422 SOT23-3 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 3A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
RC3422 RoHS || RC3422 SOT23-3 RealChip SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC3422 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,6600 0,3120 0,1750 0,1320 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23-3 RealChip 3A 60V 20V 1,6W SMD 130mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RC4812 SOP-8 REALCHIP Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 45mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9956TRPBF;
RC4812 RoHS || RC4812 SOP-8 REALCHIP SOP08
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC4812 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8100 0,4060 0,2420 0,2000 0,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
SOP08 RealChip 6A 30V 20V 2W SMD 45mOhm -55°C ~ 150°C 2xN-MOSFET
RCD30P03 TO-252 RealChip Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 54mOhm; 25A; 4W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
RCD30P03 RoHS || RCD30P03 TO-252 RealChip TO252
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RCD30P03 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6290 0,4890 0,4420 0,4280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
TO252 RealChip 25A 30V 20V 4W SMD 54mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
FS3401 SOT23(T/R) FUXIN Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5103; IRLML5103TRPBF;
FS3401 RoHS || FS3401 SOT23(T/R) FUXIN SOT23
Producent:
FUXINSEMI
Symbol Producenta:
FS3401 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7150 0,3400 0,1910 0,1450 0,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 FUXIN 4,2A 30V 12V 350mW SMD 90mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
RC30N06 TO-252 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR024NTRPBF;
RC30N06 RoHS || RC30N06 TO-252 RealChip TO252
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC30N06 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5770 0,3820 0,3180 0,2990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
TO252 RealChip 30A 60V 20V 50W SMD 33mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
NX7002AK-ES RoHS || NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) SOT23
Producent:
ElecSuper
Symbol Producenta:
NX7002AK-ES RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,4250 0,1690 0,0992 0,0731 0,0654
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 10)
SOT23 ElecSuper 300mA 60V 20V 350mW SMD 3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
MOT8205S SOT23 MOT Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 32mOhm; 6A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2302CX; MOT8205SA6;
MOT8205SA6 RoHS || MOT8205S SOT23 MOT SOT23
Producent:
MOT-
Symbol Producenta:
MOT8205SA6 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5580 0,2560 0,1390 0,1040 0,0930
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 MOT 6A 20V 8V 1,14W SMD 32mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
IRF540NS TO-263 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
IRF540NS RoHS || IRF540NS TO-263 TO263 (D2PAK)
Producent:
ARK
Symbol Producenta:
IRF540NS RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4000 1,3300 1,0500 0,9900 0,9590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
TO263 ARK 33A 100V 20V 110W SMD 38mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
YFW6G03S SOP-8 YFW Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 38mOhm; 10A/7,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD;
YFW6G03S RoHS || YFW6G03S SOP-8 YFW SOP08
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW6G03S RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2695 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1900 0,6490 0,4260 0,3680 0,3390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2695
Ilość (wielokrotność 1)
SOP08 YFW 10A 30V 20V 2W SMD 38mOhm -55°C ~ 150°C N/P-MOSFET
PTD30P25 TO252 HT SEMI Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH; PTD30P25; AOD417;
PTD30P25 RoHS || PTD30P25 TO252 HT SEMI DPAK
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
PTD30P25 RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 0,8750 0,4840 0,3210 0,2670 0,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
TO252 HT 25A 30V 20V 38W SMD 29mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; Podobny do: AO3400; YJL3400B;
PT3400 RoHS || PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
PT3400 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5500 0,2610 0,1470 0,1120 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 HT 5,8A 30V 12V 1,4W SMD 52mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI 30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS Podobny do: BSS306N;
PT3404 RoHS || PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
PT3404 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5500 0,2610 0,1470 0,1120 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
SOT23 HT 5,8A 30V 20V 1,4W SMD 41mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
1  2  3  4  5  6  7  8  9    232

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.

Wybrane produkty