Tranzystory polowe (wyszukane: 6943)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MOT50N06D TO252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR2905ZTRPBF; IRLR3636TRPBF; YJD50N06A; AOD442;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | MOT | 50A | 60V | 20V | 75W | SMD | 20mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI
30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS Podobny do: BSS306N;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HT | 5,8A | 30V | 20V | 1,4W | SMD | 41mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
PTD30P25 TO252 HT SEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH; PTD30P25; AOD417;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | HT | 25A | 30V | 20V | 38W | SMD | 29mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; Podobny do: AO3400; YJL3400B;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HT | 5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 52mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
RC3400 SOT23 REALCHIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1950 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||||||
|
BSS138 SOT23 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | YFW | 220mA | 50V | 20V | 350mW | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002AK SOT-23 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002,215; 2N7002BK; 2N7002P,215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | YFW | 340mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 32mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Ilość (wielokrotność 1) |
TSSOP08 | HT | 6A | 20V | 12V | 1,6W | SMD | 32mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
PT4606A SOP-8 HT SEMI
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/5,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; Podobny do: IRF7319TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | HT | 6,5A | 30V | 20V | 2W | SMD | 25mOhm | -55°C ~ 150°C | N/P-MOSFET | |||||||||||||
|
2302 SOT23 HT SEMI
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | HT | 3,5A | 20V | 10V | 1,25W | SMD | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
YFW9926S SOP-8 YFW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 17V; 8V; 42mOhm; 5,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | YFW | 5,2A | 17V | 8V | 1,25W | SMD | 42mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF9310TRPBF SOP-8 ELECSUPER
P-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TRPBF(ES);
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ElecSuper | 21A | 30V | 20V | 42W | SMD | 8,3mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ElecSuper | 21A | 30V | 20V | 42W | SMD | 8,3mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
MOT3401AA3 SOT23 MOT
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 75mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; podobny do: AO3401; IRLML9303TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: MOT3401AA3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2980 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | MOT | 4,2A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 75mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS138W (=BSS138PW) SOT323 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT323 | YFW | 220mA | 50V | 20V | 300mW | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
YFW2305B SOT23 YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 64mOhm; 4A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LGE2305-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | YFW | 4A | 20V | 12V | 350mW | SMD | 64mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AO3400 XBLW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; SL3400; YJL3400B;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2980 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | XBLW | 5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS123 SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2950 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | RealChip | 170mA | 100V | 20V | 350mW | SMD | 10mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
RC4606 SOP8 RealChip
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/44mOhm; 6,5A/6A; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; RC4606, PT4606A, YFW6G03S, IRF7319TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | RealChip | 6,5A | 30V | 20V | 2W | SMD | 42mOhm | -55°C ~ 150°C | N/P-MOSFET | |||||||||||||
|
AOD603A TO252/4
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm/150mOhm; 13A/13A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252-4L | IMPORT | 13A | 60V | 20V | 27W | SMD | 85mOhm | -55°C ~ 175°C | N/P-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
import Symbol Producenta: IRF7201TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VBsemi | 9A | 30V | 20V | 2,2W | SMD | 11mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VBsemi | 9A | 30V | 20V | 2,2W | SMD | 11mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002H SOT23(T/R) LGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | LGE | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS138 SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4Ohm; 200mA; 225mW; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5950 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | RealChip | 200mA | 50V | 20V | 225mW | SMD | 4Ohm | -50°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002BK-MS SOT-23 MSKSEMI
60V 300mA 2.2Ohm@10V,0.3A 350mW One N-channel SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MSK | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER
N-Channel 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | ElecSuper | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
RC4805 SOIC8(T/R) RealChip
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 10A; 3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7328TRPBF; IRF7328PBF; IRF7328PBF-GURT; IRF7328TRPBFXTMA1
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | RealChip | 10A | 30V | 20V | 3W | SMD | 34mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xP-MOSFET | |||||||||||||
|
LGE350N04 SOT23 LGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 60mOhm; 6,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: YJL05N04A; YJL05N04A-F2-0000HF; SI2318A-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: LGE350N04 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | LGE | 6,3A | 40V | 20V | 2,5W | SMD | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
YFW30N10AC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 45mOhm; 30A; 88W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRL540NPBF; IRL 540 NPBF; YFW30N10AC; IRL540NPBF-VB; IRL540N-CN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
197 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | YFW | 30A | 100V | 20V | 88W | THT | 45mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AO3416A SOT23
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3416 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2985 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | XBLW | 6,5A | 20V | 12V | 1,4W | SMD | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
RCK3018W SOT323 REALCHIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS138PW,115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT323 | RealChip | 100mA | 30V | 20V | 150mW | SMD | 13Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002DW SOT363 RealChip
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT363 | RealChip | 300mA | 60V | 20V | 150mW | SMD | 3,5Ohm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.