Tranzystory polowe (wyszukane: 7020)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRLR3410TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | UMW | 17A | 100V | 16V | 79W | SMD | 155mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLR3717TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 120A; 90W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717PBF; IRLR3717TRLPBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF; SP001568638; SP001567384; SP001553200; SP001569116;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | JSMICRO | 120A | 30V | 20V | 90W | SMD | 4,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLR3717TRPBF CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 120A; 90W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717PBF; IRLR3717TRLPBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF; SP001568638; SP001567384; SP001553200; SP001569116;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPAK) | CHIPNOBO | 120A | 30V | 20V | 90W | SMD | 4,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLR3717
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 89W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717TRPBF-VB; IRLR3717PBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF; VBE1202;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
260 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | VBsemi | 120A | 20V | 20V | 89W | SMD | 5,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLR8743TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 3,9mOhm; 160A; 135W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8743TRLPBF; IRLR8743TRPBF; IRLR8743PBF; IRLR8743PBF-GURT; IRLR8743;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
290 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 160A | 30V | 20V | 135W | SMD | 3,9mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8743TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) |
Magazyn zewnętrzny:
26100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | 160A | 30V | 20V | 135W | SMD | 3,9mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLZ34N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34PBF; IRLZ34PBF-BE3; IRLZ34NPBF; SP001553290;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
172 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | UMW | 30A | 55V | 16V | 68W | THT | 60mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLZ34N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
65 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 30A | 55V | 16V | 68W | THT | 60mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
78014 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | International Rectifier | 30A | 55V | 16V | 68W | THT | 60mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
11510 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | International Rectifier | 30A | 55V | 16V | 68W | THT | 60mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
LGE2304
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2304-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | LGE | 3,3A | 2,2V | 30V | 20V | 350mW | SMD | 75mOhm | -55°C ~ 150°C | MOSFET | ||||||||||||
|
MCM3400A-TP
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN EP
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
DFN06 | MCC | 5A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 38mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
MMFTP3401 DIOTEC
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 ODPOWIEDNIK: MMFTP3401-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5080 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | DIOTEC | 3A | 30V | 12V | 500mW | SMD | 75mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP149
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223-3 | Infineon Technologies | 660mA | 200V | 20V | 1,8W | SMD | 3,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223-3 | Infineon Technologies | 660mA | 200V | 20V | 1,8W | SMD | 3,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223-3 | Infineon Technologies | 660mA | 200V | 20V | 1,8W | SMD | 3,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnętrzny:
8825 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT223-3 | Infineon Technologies | 660mA | 200V | 20V | 1,8W | SMD | 3,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS123W
100V 200mA 3Ω@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W-F2-0000HF; BSS123W-YAN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YY Symbol Producenta: BSS123W RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 200mA | 100V | 150mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||||
|
BSS138DW-7-F Diodes INCORPORATED
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SC70-6 | DIODES | 200mA | 50V | 50V | 20V | 200mW | SMD | 3,5Ohm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | ||||||||||||
|
IRF3805SPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRLPBF; IRF3805S-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
D2PAK | VBsemi | 270mA | 60V | 20V | 375W | SMD | 2,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
D2PAK | VBsemi | 270mA | 60V | 20V | 375W | SMD | 2,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
DIT050N06
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | DIOTEC | 50A | 60V | 20V | 85W | THT | 20mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: DIT050N06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
820 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | DIOTEC | 50A | 60V | 20V | 85W | THT | 20mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS138LT1G-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 115mA; 300mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | CHIPNOBO | 115mA | 100V | 20V | 300mW | SMD | 6Ohm | -50°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS138LT1G smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30555 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 200mA | 50V | 20V | 225mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS138LT3G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
120000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 200mA | 50V | 20V | 225mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS138LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
5400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 200mA | 50V | 20V | 225mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS138LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1587300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 200mA | 50V | 20V | 225mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BSS138LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1239000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 200mA | 50V | 20V | 225mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SI2305CDS Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | VISHAY | 5,8A | 8V | 8V | 1,7W | SMD | 65mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2305CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
39000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | VISHAY | 5,8A | 8V | 8V | 1,7W | SMD | 65mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS84
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
9380 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | 150mA | 60V | 20V | 357mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||||
|
SI4447ADY-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 62mOhm; 7,2A; 4,2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4447ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 7,2A | 40V | 20V | 4,2W | SMD | 62mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4447ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 7,2A | 40V | 20V | 4,2W | SMD | 62mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4447ADY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
1350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOP08 | VISHAY | 7,2A | 40V | 20V | 4,2W | SMD | 62mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SI4463BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4463BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VISHAY | 9,8A | 20V | 12V | 1,5W | SMD | 20mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS84 SOT23 HUASHUO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 300mA; 6Ohm; 20V; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: HSS2301C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HUASHUO | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 6Ohm | -40°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
SKG85G06A SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 105W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
94 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
PDFN08(5x5) | SHIKUES | 130A | 60V | 20V | 105W | SMD | 4,5mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SPP20N60C3
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 430mOhm; 20,7A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP20N60C3XKSA1; SPP20N60C3HKSA1; SPP20N60C3/SN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
88 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon Technologies | 20,7A | 650V | 20V | 208W | THT | 430mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP20N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
191482 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon Technologies | 20,7A | 650V | 20V | 208W | THT | 430mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP20N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
598 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon Technologies | 20,7A | 650V | 20V | 208W | THT | 430mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STP10NK60Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | STMicroelectronics | 10A | 600V | 30V | 115W | THT | 750mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
480 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | STMicroelectronics | 10A | 600V | 30V | 115W | THT | 750mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
6778 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | STMicroelectronics | 10A | 600V | 30V | 115W | THT | 750mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
RDF10N65A CREATEK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP10NK60ZFP STMicroelectronics;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | CREATEK | 10A | 650V | 30V | 40W | THT | 1Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STP10NK60ZFP-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 52W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP10NK60ZFP STMicroelectronics;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
130 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | CHIPNOBO | 10A | 650V | 30V | 52W | THT | 1Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
STP10NK60ZFP STMicroelectronics - Tranzystor polowy N-MOSFET
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | STMicroelectronics | 10A | 600V | 30V | 35W | THT | 750mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2027-01-31
Ilość szt.: 1000
|
|||||||||||||||||||||||
|
STP14NK50Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | STMicroelectronics | 14A | 500V | 500V | 30V | 150W | THT | 380mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | STMicroelectronics | 14A | 500V | 500V | 30V | 150W | THT | 380mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ST Symbol Producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
507 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | STMicroelectronics | 14A | 500V | 500V | 30V | 150W | THT | 380mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
STP16NF06L
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C~175°C; obsolete: ten el.został wycofany z produkcji; VBSEMI STP16NF06L-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | STMicroelectronics | 16A | 60V | 60V | 16V | 45W | THT | 100mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | STMicroelectronics | 16A | 60V | 60V | 16V | 45W | THT | 100mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||