Tranzystory polowe (wyszukane: 6958)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CSD19534KCS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Texas Instruments | 100A | 100V | 20V | 118W | THT | 20mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AO3415A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | VBS | 5A | 20V | 8V | 1,5W | SMD | 65mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
STD26P3LLH6 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD26P3LLH6 STMicroelectronics
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
195 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | JSMICRO | 55A | 30V | 20V | 37,5W | SMD | 18mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AO3418
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 3,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3418 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ALPHA&OMEGA | 3,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 85mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
DMP4051LK3-13
P-MOSFET 40V 7.2A 51mΩ 2.14W
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
DPAK-3 | Diodes Incorporated | 10,5A | 40V | 20V | 2,14W | SMD | 51mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
277 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2377 Ilość (wielokrotność 1) |
DPAK-3 | Diodes Incorporated | 10,5A | 40V | 20V | 2,14W | SMD | 51mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
DPAK-3 | Diodes Incorporated | 10,5A | 40V | 20V | 2,14W | SMD | 51mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AO3419 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3419 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HXY MOSFET | 4,1A | 20V | 10V | 1,4W | SMD | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AO3419 JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 110mOhm; 4,2A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3419 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | JSMICRO | 4,2A | 20V | 10V | 1,5W | SMD | 110mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AO3419
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3419 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
28370 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ALPHA&OMEGA | 3,5A | 20V | 12V | 1,4W | SMD | 168mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AO3420 SOT23-3L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | HOTTECH | 6A | 20V | 12V | 1,4W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDD8896 TO-252 TECH PUBLIC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,5mOhm; 90A; 181W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | TECH PUBLIC | 90A | 30V | 20V | 181W | SMD | 7,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDD8896
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Odpowiednik: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
666 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | VBS | 12A | 30V | 20V | 165W | SMD | 2,1Ohm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-08-31
Ilość szt.: 2500
|
|||||||||||||||||||||||
|
AO3422
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 120mOhm; 2A; 1,56W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
GOODWORK Symbol Producenta: AO3422 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | MSK | 2A | 55V | 12V | 1,56W | SMD | 120mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDS9926A
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
165 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 6,5A | 20V | 10V | 2W | SMD | 50mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
FDV303N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 800mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDV303N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
8366 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 680mA | 25V | 8V | 350mW | SMD | 800mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: FDV303N Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
9800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 680mA | 25V | 8V | 350mW | SMD | 800mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AO4409
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 15A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4409 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ALPHA&OMEGA | 15A | 30V | 20V | 3,1W | SMD | 12mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
HUF75344P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 8mOhm; 75A; 285W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: HUF75344P3 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
96 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | ON SEMICONDUCTOR | 75A | 55V | 55V | 20V | 285W | THT | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
AO4435
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 36mOhm; 14A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4435 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
85 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ALPHA&OMEGA | 14A | 30V | 25V | 3,1W | SMD | 36mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AO4455
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 17A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4455 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
95 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ALPHA&OMEGA | 17A | 30V | 25V | 3,1W | SMD | 9,5mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AON7520
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 3,1mOhm; 50A; 83,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON7520C RoHS Obudowa dokładna: DFN08(3.3x3.3) |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
DFN08(3.3x3.3) | ALPHA&OMEGA | 50A | 30V | 12V | 83,3W | SMD | 3,1mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
FDG6317NZ
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | 2,1A | 20V | 12V | 300mW | SMD | 550mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF3205S JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3205SPBF; IRF3205STRLPBF; IRF3205STRRPBF; SP001576776; SP001576758; SP001564448;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO263 (D2PAK) | JSMICRO | 110A | 55V | 20V | 200W | SMD | 8mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF3710PBF-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | CHIPNOBO | 100A | 100V | 25V | 200W | THT | 8,8mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF3710PBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | JSMICRO | 60A | 100V | 20V | 200W | THT | 21mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF3710PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | MOSLEADER | 80A | 100V | 20V | 125W | THT | 10mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
SKG45N10-T
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | SHIKUES | 45A | 100V | 20V | THT | 22mOhm | N-MOSFET | |||||||||||||||
|
IRF3710PBF UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | UMW | 30A | 100V | 20V | 70W | THT | 30mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF3710
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
129 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 57A | 100V | 20V | 200W | THT | 23mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3710PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | International Rectifier | 57A | 100V | 20V | 200W | THT | 23mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3710PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
229 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | International Rectifier | 57A | 100V | 20V | 200W | THT | 23mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3710PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
2060 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | International Rectifier | 57A | 100V | 20V | 200W | THT | 23mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF5210PBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF5210PBF; SP001559642;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRF5210PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | JSMICRO | 40A | 100V | 20V | 200W | THT | 55mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF5210PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5210PBF; IRF5210;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
26 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | Infineon (IRF) | 40A | 100V | 20V | 200W | THT | 60mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
3950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | 40A | 100V | 20V | 200W | THT | 60mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
9550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | 40A | 100V | 20V | 200W | THT | 60mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
4450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO220 | Infineon (IRF) | 40A | 100V | 20V | 200W | THT | 60mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF7103TR JSMICRO
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103PBF; IRF7103TRPBF; SP001563458; SP001562004;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | JSMICRO | 6,3A | 60V | 20V | 2W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||