Tranzystory polowe (wyszukane: 5478)

1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C;
BSS123 RoHS || BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) SOT23
Producent:
MDD(Microdiode Electronics)
Symbol Producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3130 0,1200 0,0588 0,0468 0,0447
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 100V 20V 5,5Ohm 200mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 MDD
BSS123,215 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP;
BSS123,215 RoHS || BSS123,215 || BSS123,215 SOT23
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSS123,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
7480 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6600 0,3140 0,1760 0,1340 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 6Ohm 150mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS123,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
2043000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 20V 6Ohm 150mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS123,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
708000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 20V 6Ohm 150mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS123,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
2937000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 20V 6Ohm 150mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSS123 UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
BSS123 RoHS || BSS123 UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
BSS123 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3490 0,1350 0,0657 0,0522 0,0499
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 100V 20V 10Ohm 170mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
BSS138 UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
BSS138 RoHS || BSS138 UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
57020 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3280 0,1260 0,0617 0,0491 0,0469
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 50V 50V 20V 3,5Ohm 300mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
BSS316NH6327 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 280mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS316NH6327XTSA1;
BSS316NH6327XTSA1 RoHS || BSS316NH6327XTSA1 || BSS316NH6327 Infineon SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS316NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1485 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8550 0,4340 0,2630 0,2080 0,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS316NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
1161000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS316NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS316NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1976
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
AO3403 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3403 RoHS || AO3403 SOT23
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO3403 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5320 0,3210 0,2540 0,2340
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 12V 200mOhm 2,6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
BSS84,215 Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
BSS84 RoHS || BSS84,215 RoHS || BSS84,215 || BSS84,215 SOT23
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
125 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6550 0,3110 0,1750 0,1330 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/90000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSS84,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
112800 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6550 0,3110 0,1750 0,1330 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
199000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
1890000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-16
Ilość szt.: 3000
                     
AO3415A Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
AO3415A RoHS || AO3415A SOT23
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
AO3415A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
380 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9210 0,5040 0,3300 0,2850 0,2630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 5A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TECH PUBLIC
CSD19534KCS Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C;
CSD19534KCS RoHS || CSD19534KCS TO220
Producent:
Texas Instruments
Symbol Producenta:
CSD19534KCS RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2300 3,9900 3,3000 2,8900 2,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 20mOhm 100A 118W THT -55°C ~ 175°C TO220 Texas Instruments
AO3415A Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
AO3415A RoHS || AO3415A SOT23
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
AO3415A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9140 0,4440 0,3160 0,2740 0,2610
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 5A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VBS
STD26P3LLH6 JSMICRO Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD26P3LLH6 STMicroelectronics
STD26P3LLH6 RoHS || STD26P3LLH6 JSMICRO TO252 (DPACK)
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
STD26P3LLH6 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
195 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6800 1,3200 1,2000 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 18mOhm 55A 37,5W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) JSMICRO
AO3418 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 3,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3418 RoHS AK... || AO3418 || AO3418 SOT23
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO3418 RoHS AK...
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9860 0,4980 0,3000 0,2370 0,2190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 85mOhm 3,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
 
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO3418
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 12V 85mOhm 3,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
DMP4051LK3-13 P-MOSFET 40V 7.2A 51mΩ 2.14W
DMP4051LK3-13 RoHS || DMP4051LK3-13 || DMP4051LK3-13 TO252
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMP4051LK3-13 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8500 1,0200 0,8000 0,7400 0,7100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 20V 51mOhm 10,5A 2,14W SMD -55°C ~ 150°C DPAK-3 Diodes Incorporated
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMP4051LK3-13
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 40V 20V 51mOhm 10,5A 2,14W SMD -55°C ~ 150°C DPAK-3 Diodes Incorporated
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMP4051LK3-13
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
80000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 40V 20V 51mOhm 10,5A 2,14W SMD -55°C ~ 150°C DPAK-3 Diodes Incorporated
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMP4051LK3-13
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7209
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 40V 20V 51mOhm 10,5A 2,14W SMD -55°C ~ 150°C DPAK-3 Diodes Incorporated
AO3419 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3419 RoHS || AO3419 || AO3419 SOT23
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO3419 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
19270 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8960 0,4540 0,2750 0,2180 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 168mOhm 3,5A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
 
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO3419
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 12V 168mOhm 3,5A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
AO3420 SOT23-3L Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3420 RoHS || AO3420 SOT23-3L SOT23
Producent:
HOTTECH
Symbol Producenta:
AO3420 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,8860 0,4180 0,2330 0,1870 0,1610
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 55mOhm 6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
FDD8896 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Odpowiednik: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
FDD8896 RoHS || FDD8896-VB RoHS || FDD8896 TO252
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
FDD8896 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6100 2,2900 1,8100 1,6400 1,5700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,1Ohm 12A 165W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VBS
 
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
FDD8896-VB RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6100 2,2900 1,8100 1,6400 1,5700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,1Ohm 12A 165W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VBS
 
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
FDD8896-VB RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
496 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6100 2,2900 1,8100 1,6400 1,5700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,1Ohm 12A 165W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VBS
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-05
Ilość szt.: 5000
                     
FDN338P Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 165mOhm; 1,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
FDN338P RoHS || FDN338P || FDN338P SSOT3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN338P RoHS
Obudowa dokładna:
SSOT3
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5100 0,8340 0,6550 0,6070 0,5820
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 165mOhm 1,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN338P
Obudowa dokładna:
SSOT3
 
Magazyn zewnetrzny:
159000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5820
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 8V 165mOhm 1,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN338P
Obudowa dokładna:
SSOT3
 
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5820
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 8V 165mOhm 1,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN338P
Obudowa dokładna:
SSOT3
 
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5820
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 8V 165mOhm 1,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
AO3422 Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 120mOhm; 2A; 1,56W; -55°C~150°C;
AO3422 RoHS || AO3422 SOT23
Producent:
MSKSEMI
Symbol Producenta:
AO3422 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8930 0,4880 0,3200 0,2770 0,2550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 12V 120mOhm 2A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MSK
FDS9926A Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
FDS9926A RoHS || FDS9926A || FDS9926A SOP08
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDS9926A RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
165 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9000 1,8400 1,4500 1,3200 1,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 20V 10V 50mOhm 6,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDS9926A
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 20V 10V 50mOhm 6,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ON SEMICONDUCTOR
FDV303N Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 800mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
FDV303N RoHS || FDV303N || FDV303N SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDV303N RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
6752 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9410 0,4770 0,2890 0,2290 0,2090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 8V 800mOhm 680mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDV303N
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
22890000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 25V 8V 800mOhm 680mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
AO4409 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 15A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
AO4409 RoHS || AO4409 SOP08
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4409 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,5700 2,2400 1,8600 1,6500 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 12mOhm 15A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AO4435 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 36mOhm; 14A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
AO4435 RoHS || AO4435 SOP08
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4435 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,4400 1,5300 1,2700 1,1300 1,0600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 36mOhm 14A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AO4455 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 17A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
AO4455 RoHS || AO4455 SOP08
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4455 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
95 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,0300 2,6800 2,2200 2,0000 1,9200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 9,5mOhm 17A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AON7520 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 3,1mOhm; 50A; 83,3W; -55°C ~ 150°C;
AON7520C RoHS || AON7520 DFN08(3.3x3.3)
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AON7520C RoHS
Obudowa dokładna:
DFN08(3.3x3.3)
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,6800 2,7000 2,1600 1,8600 1,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 3,1mOhm 50A 83,3W SMD -55°C ~ 150°C DFN08(3.3x3.3) ALPHA&OMEGA
FDG6317NZ Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88
FDG6317NZ || FDG6317NZ RoHS || FDG6317NZ SC-88
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDG6317NZ
Obudowa dokładna:
SC-88
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 12V 550mOhm 2,1A 300mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDG6317NZ RoHS
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9280 0,5130 0,3410 0,2850 0,2650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 550mOhm 2,1A 300mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 ON SEMICONDUCTOR
IRF3710PBF JSMICRO Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
IRF3710PBF RoHS || IRF3710PBF JSMICRO TO220
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
IRF3710PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,8900 2,4600 1,9400 1,7700 1,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 21mOhm 60A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 JSMICRO
SKG45N10-T Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
SKG45N10-T RoHS || SKG45N10-T TO220
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SKG45N10-T RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
36 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2200 1,7400 1,6400 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 22mOhm 45A THT TO220 SHIKUES
IRF3710 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
IRF3710PBF RoHS || IRF3710PBF || IRF3710 TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF3710PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1400 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2100 3,8200 3,0700 2,6300 2,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 23mOhm 57A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF3710PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
2000 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2100 3,8200 3,0700 2,6300 2,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 23mOhm 57A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
 
Producent:
-
Symbol Producenta:
IRF3710PBF
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
262 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,5163
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 20V 23mOhm 57A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
IRF5210PBF Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5210PBF; IRF5210;
IRF5210 RoHS || IRF5210PBF || IRF5210PBF TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF5210 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 150+ 450+
cena netto (PLN) 6,2100 4,3600 3,4900 3,3400 3,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/450
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 100V 20V 60mOhm 40A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF5210PBF
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 100V 20V 60mOhm 40A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF5210PBF
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
17610 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 100V 20V 60mOhm 40A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF5210PBF
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
3050 szt.
Ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,2844
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 100V 20V 60mOhm 40A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon (IRF)
IRF7103TRPBF Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TRPBF; IRF7103PBF; IRF7103TR; IRF7103PBF-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TRPBFXTMA1;
IRF7103 RoHS || IRF7103TRPBF RoHS || IRF7103TRPBF || IRF7103TRPBFXTMA1 || IRF7103TRPBF SOP08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF7103 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3400 0,7380 0,5800 0,5370 0,5150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
95/950
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 50V 20V 200mOhm 3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF7103TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
23818 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3400 0,7380 0,5800 0,5370 0,5150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 50V 20V 200mOhm 3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF7103TRPBF
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
4840 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7822
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 50V 20V 200mOhm 3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF7103TRPBFXTMA1
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6057
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 50V 20V 200mOhm 3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF7103TRPBFXTMA1
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6308
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 50V 20V 200mOhm 3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon (IRF)
1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.