Tranzystory polowe (wyszukane: 5478)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 5,5Ohm | 200mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | |||||||||||||
BSS123,215
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS123,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
7480 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2043000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
708000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2937000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
BSS123 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
BSS138 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
57020 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 300mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | ||||||||||||
BSS316NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 280mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS316NH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1485 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 280mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1161000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 280mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 280mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 280mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
AO3403
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3403 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 200mOhm | 2,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
BSS84,215
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
125 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/90000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
112800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
199000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1890000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-16
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
AO3415A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
380 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
CSD19534KCS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 20mOhm | 100A | 118W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Texas Instruments | |||||||||||||
AO3415A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VBS | |||||||||||||
STD26P3LLH6 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD26P3LLH6 STMicroelectronics
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
195 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 18mOhm | 55A | 37,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | |||||||||||||
AO3418
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 3,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3418 RoHS AK... Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 3,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3418 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 3,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
DMP4051LK3-13
P-MOSFET 40V 7.2A 51mΩ 2.14W
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP4051LK3-13 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP4051LK3-13 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
80000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP4051LK3-13 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
AO3419
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3419 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
19270 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 168mOhm | 3,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3419 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 168mOhm | 3,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3420 SOT23-3L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | |||||||||||||
FDD8896
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Odpowiednik: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | |||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | |||||||||||||
Stan magazynowy:
496 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-05
Ilość szt.: 5000
|
|||||||||||||||||||||||
FDN338P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 165mOhm; 1,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN338P RoHS Obudowa dokładna: SSOT3 |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 165mOhm | 1,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN338P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
159000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 165mOhm | 1,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN338P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 165mOhm | 1,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN338P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 165mOhm | 1,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
AO3422
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 120mOhm; 2A; 1,56W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 12V | 120mOhm | 2A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MSK | |||||||||||||
FDS9926A
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
165 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 10V | 50mOhm | 6,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS9926A Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 10V | 50mOhm | 6,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDV303N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 800mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDV303N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6752 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 8V | 800mOhm | 680mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDV303N Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
22890000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 8V | 800mOhm | 680mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
AO4409
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 15A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4409 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 12mOhm | 15A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4435
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 36mOhm; 14A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4435 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 36mOhm | 14A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4455
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 17A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4455 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
95 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 9,5mOhm | 17A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON7520
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 3,1mOhm; 50A; 83,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON7520C RoHS Obudowa dokładna: DFN08(3.3x3.3) |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 3,1mOhm | 50A | 83,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3.3x3.3) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
FDG6317NZ
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDG6317NZ Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 550mOhm | 2,1A | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 550mOhm | 2,1A | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
IRF3710PBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 21mOhm | 60A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
SKG45N10-T
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
36 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 22mOhm | 45A | THT | TO220 | SHIKUES | |||||||||||||||
IRF3710
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 23mOhm | 57A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3710PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 23mOhm | 57A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF3710PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
262 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 23mOhm | 57A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF5210PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5210PBF; IRF5210;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/450 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 40A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 40A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
17610 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 40A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 40A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF7103TRPBF
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TRPBF; IRF7103PBF; IRF7103TR; IRF7103PBF-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TRPBFXTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7103 RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 95/950 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 50V | 20V | 200mOhm | 3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7103TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
23818 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 50V | 20V | 200mOhm | 3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7103TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4840 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 50V | 20V | 200mOhm | 3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7103TRPBFXTMA1 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 50V | 20V | 200mOhm | 3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7103TRPBFXTMA1 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 50V | 20V | 200mOhm | 3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.