Tranzystory polowe (wyszukane: 6919)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MOT20N06D TO252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: IRLR024N; IRLR024NPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024PBF; IRLR024TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: MOT20N06D RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MOT740F TO-220F MOT
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 5,4A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: MOT740F RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MOT3401AA3 SOT23 MOT
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 10V; 50mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; podobny do: AO3401; IRLML9303TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: MOT3401AA3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MOT2310B2 SOT23 MOT
60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Podobny do: SI2308BDS-T1-E3; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; TSM2308CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: MOT2310B2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MOT8205S SOT23 MOT
N-CHANNEL ENHACEMENT; VDSS 20V; RDS 19mOhm; ID 6A; VDSS 20V; TEMP.-55~150°C; ODPOWIEDNIK: TSM2302CX; MOT8205SA6;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT- Symbol Producenta: MOT8205SA6 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BSS123 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BSS84K RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC2300A SOT23 REALCHIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC2300A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC4812 SOP-8 REALCHIP
ODPOWIEDNIK: IRF9956TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC4812 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC4816 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC4828 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC3422 SOT23-3 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 210mOhm; 2,1A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC3422 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC4406A SOP-8 RealChip
ODPOWIEDNIK: IRF7403TRPBF; IRF7201TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC4406A RoHS Obudowa dokładna: SOP08Wt/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC3407 SOT23-3 REALCHIP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3407A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC3407 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
AO3400 XBLW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; SL3400; YJL3400B;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 55mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | XBLW | |||||||||||||
|
AO4832 SOP8 XBLW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
XBLW Symbol Producenta: AO4832 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
2N7002KD SOT-363(T/R) FUXIN
N-Channel SMD MOSFET ESD Protection 60V 0.34A Odpowiednik: 2N7002DWH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5,3Ohm | 340mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | FUXIN | |||||||||||||
|
IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11mOhm | 9A | 2,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VBsemi | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-05-30
Ilość szt.: 500
|
|||||||||||||||||||||||
|
2N7002DW SOT363 RealChip
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC7002DW RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
BSS138BW SOT323 KINGTRONICS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS138PW,115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
KINGTRONICS Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
MOT4606S SOIC-8 MOT
Tranzystor N+P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 27mOhm; 6,5A/-7A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRFR7404TRPBF; IRF7404PBF; IRF7404PBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 27mOhm | 6,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | MOT | |||||||||||||
|
IRLR2705TRPBF MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR2705PBF; IRLR2705TRPBF; IRLR2705TRLPBF; IRLR2705PBF-GURT; IRLR2705; YFW50N06AD; MOT30N06D; DH300N08D;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 40mOhm | 30A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOT | |||||||||||||
|
MOT150N03A TO-220 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 150A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL2203N;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 4,8mOhm | 150A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOT | |||||||||||||
|
MOT55N06B TO220 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 22mOhm; 55A; 100W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: FQP50N06; IRLZ44NPBF; STP55NF06;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 22mOhm | 55A | 100W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOT | |||||||||||||
|
MOT100N07E D2PAK MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 6,5mOhm; 100A; 136W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRF3205STRLPBF; PTY12HN06;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
107 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 107 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 70V | 20V | 6,5mOhm | 100A | 136W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | MOT | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
73 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 73 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 70V | 20V | 6,5mOhm | 100A | 136W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | MOT | |||||||||||||
|
YFW100N03AD TO-252 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 100A; 85W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: FDD8896;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 5,1mOhm | 100A | 85W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPAK) | YFW | |||||||||||||
|
YFW16P02S SOIC-8 YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 16A; 10W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRFR7404TRPBF; IRF7404PBF; IRF7404PBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 20mOhm | 16A | 10W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | YFW | |||||||||||||
|
SI2323DS-T1-GE3-L SOT23 PIELENST
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 10V | 80mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | PIELENST | |||||||||||||
|
2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
370 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 370 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
230 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 230 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138-TP-ES; BSS138-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.