Tranzystory polowe (wyszukane: 6926)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MOT65R099F TO-220F
650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF099N65S3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT65R099HF RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 99mOhm | 24A | 39W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | MOT | |||||||||||||
|
MOT2N7002 SOT-23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; podobny do: 2N7002L; 2N7002-7-F; BSS138LT1G; NX3008NBKW;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT2N7002 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,5Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT-23 | MOT | |||||||||||||
|
MOT3400A3-5.8A SOT-23
TRANSISTOR MOT3400AB2 ODPOWIEDNIK: IRLML6346TRPBF; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT3400AB2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 30V | 4V | 12V | 24mOhm | 5,8A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT-23 | MOT | ||||||||||||
|
MOT3401AA3 SOT-23
TRANSISTOR P-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 ODPOWIEDNIK: AOS AO3401;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT3401AA3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 30V | 1,3V | 12V | 44mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT-23 | MOT | ||||||||||||
|
SQ3987EV-T1_GE3
TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQ3987EV-T1_GE3 RoHS Obudowa dokładna: TSOP06 t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 85mOhm | -4A | 1,66W | SMD | -55°C ~ 175°C | TSOP06 | Vishay | |||||||||||||
|
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQ3987EV-T1_GE3 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 85mOhm | -4A | 1,66W | SMD | -55°C ~ 175°C | TSOP06 | Vishay | |||||||||||||
|
TSM2308CX RFG-VB SOT23(T/R) VBSEMI
60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS podobny do: TSM2308CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: TSM2308CX RFG-VB RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MOT10N65 TO220 MOT
650V 10A 50W 800mOhm@10V,5A 2V 1 N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: STP10NK60Z;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT10N65A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 4V | 30V | 800mOhm | 10A | 156W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOT | ||||||||||||
|
MOT15N10D TO252(DPAK) MOT
100V 15A 34.7W 80mOhm@10V,8A 3V 1 N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRFR120N;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT15N10D RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
1730 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 80mOhm | 15A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 | MOT | ||||||||||||||
|
MOT3415A3 (with ESD) SOT23 MOT
30V 7A 25mOhm@10V 1.6W 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23A-3L Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: AO3419;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT3415A3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 1V | 8V | 32mOhm | -4A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MOT | ||||||||||||
|
MOT7N80F TO-220F MOT
TRANS ODPOWIEDNIK: MOT7N80F;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT7N80F RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 4V | 30V | 1,5Ohm | 7A | 33W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220F | MOT | ||||||||||||
|
MOT65R850F TO-220F MOT
650V 4A 20W 850mOhm@10V, TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ; SUPER JUNCTION N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF850N65Z;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT65R850F RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 850mOhm | 4A | 20W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | MOT | |||||||||||||
|
MOT65R380F TO-220F MOT
650V 11A 31.8W 330mOhm@10V,5.5A 4.5V TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF380N65FL1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT65R380F RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 330mOhm | 10,2A | 33W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | MOT | |||||||||||||
|
IRF7316TRPBF-VB SO-8 VBSEMI ELEC
TRANSISTOR; SOP8; 30V; 7.3A; Dual P-chanel; VBsemi VBA4338;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: VBA4338 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 58mOhm | 4,8A | 2W | SMD | -55°C ~ 155°C | SOP08 | VBSEMI ELEC | |||||||||||||
|
VBM1615 TO-220 VBsemi Elec
TRANS; 60v 50A ; TO-220 ; N-CHANEL; ODPOWIEDNIK: VBM1615; STP55NF06-VB; STP55NF06; (ORAZ STP55NF06L);
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: VBM1615 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 11mOhm | 60A | 136W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VBSEMI ELEC | |||||||||||||
|
YFW15N10AD TO-252 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; ODPOWIEDNIK: IRLR120NTRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW15N10AD RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
SI4909DY
30V 9.5A 5W 21m@10V,7.3A 3V@250A P Channel SO-8 MOSFETs ROHS SI4909DY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
YFW12N65AF TO220F YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 720Ohm; 32.1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 720mOhm | 12A | 32,1W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | YFW | |||||||||||||
|
RC2310A Realchip
60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Odpowiednik: TSM2308CX RFG; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; SI2308BDS-T1-E3; LGE02N60C; YJL03N06C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC2310A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
YFW60N03AD TO252(T/R) YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 46W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8729PBF; IRLR8729TRLPBF; IRLR8729TRPBF; SP001574172; SP001552874; SP001569082;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW60N03AD RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MOT2301 SOT23 MOT
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 100mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301ACX; MOT2301AB2
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT2301AB2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 100mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MOT | |||||||||||||
|
MOT2305B2 SOT23 MOT
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402; DMP2305U-7; SI2305; FDN304P;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT2305B2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,83W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MOT | |||||||||||||
|
MOT2312B2 SOT23 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 28mOhm; 6,8A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244; MOT2312; IRLML6244TRPBF; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT2312B2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 28mOhm | 6,8A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MOT | |||||||||||||
|
2N7002K SOT23 FUXINSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: 2N7002K RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 500mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
AO3400A SOT23 FUXINSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; RC3400A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: AO3400A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 52mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
BSS131 SOT23 FUXINSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: BSS131 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 4,5Ohm | 100mA | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
FS2300 SOT23(T/R) FUXINSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584; LGE2300; LGE2300-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: FS2300 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2994 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 85mOhm | 5A | 1,31W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
IRLML6244TRPBF SOT23(T/R) FUXIN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 73mOhm; 6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244TRPBF; SP001558344;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: IRLML6244TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 73mOhm | 6A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
BSS138BKS SOT363(T/R) ElecSuper
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 410mA; 417mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
223 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 223 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 410mA | 417mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | ElecSuper | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
277 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 277 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 410mA | 417mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | ElecSuper | |||||||||||||
|
SI2333DS SOT23-3(T/R) TECH PUBLIC
20V 6A 20mOhm@4.5V,6A 1.8W 1V SOT-23-3 MOSFETs ROHS SI2333DS-T1-GE3; SI2333DS-T1-GE3-VB; SI2333DS-T1-E3; SI2333DS-T1-E3-VB; SI2333DS-T1-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: SI2333DS RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RCQ5402
Transistor; MOSFET; 40V; 140A; 2.2mOhm@10V,30A; odpowiednik: AON6144;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RCQ5402 RoHS Obudowa dokładna: DFN08(5x6) |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||