Tranzystory polowe (wyszukane: 6305)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXMS6004DN8-13
Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 600mOhm; 1,3A; 1,56W; -40°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 600mOhm | 1,3A | 1,56W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOIC08 | DIODES | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004DN8-13 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
125000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 600mOhm | 1,3A | 1,56W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOIC08 | DIODES | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004DN8-13 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
47500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 600mOhm | 1,3A | 1,56W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOIC08 | DIODES | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004DN8-13 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 600mOhm | 1,3A | 1,56W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOIC08 | DIODES | ||||||||||||||
EPC2059
Tranzystor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
EPC Symbol Producenta: EPC2059 RoHS Obudowa dokładna: DIE(2.8x1.4) |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
GANFET | 170V | 6V | 9mOhm | 24A | SMD | -40°C ~ 150°C | EPC | |||||||||||||||
FDC658AP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 75mOhm; 4A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 75mOhm | 4A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC658AP Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 75mOhm | 4A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC658AP Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 75mOhm | 4A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDN306P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN306P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN306P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
FDN338P SOT23 MSKSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 150mOhm | 2A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MSK | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-28
Ilość szt.: 1
|
|||||||||||||||||||||||
FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 61mOhm | 3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 61mOhm | 3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 61mOhm | 3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 61mOhm | 3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDS8958A SOP08 ON Semiconductor
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/80mOhm; 7A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS8958A-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 80mOhm | 7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
FDV301N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 6A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
FQP47P06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 47A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 47A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
519 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 47A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5772 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 47A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQP50N06
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP50N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
110 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 25V | 22mOhm | 50A | 120W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQPF2N60C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF2N60C RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
6 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,7Ohm | 2A | 23W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,7Ohm | 2A | 23W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
HX2301A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 2,5A; 130mOhm; 0,9W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 130mOhm | 2,5A | 900mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HX | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-28
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
IRF1010E
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
320 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 84A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010EPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 84A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010EPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
10262 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 84A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF1010ES smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ESPBF, IRF1010ESTRLPBF
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 84A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRF1404ZS Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,7mOhm; 180A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1404ZSPBF; IRF1404ZSTRLPBF; IRF1404ZSTRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
88 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,7mOhm | 180A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
960 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,7mOhm | 180A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
9600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,7mOhm | 180A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF4905PBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 80A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF4905 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
77 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 70A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
IRF4905
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
3482 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000/4000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 74A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4365 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 74A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
32437 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 74A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF540N JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: IRF540N RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 26mOhm | 40A | 96W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
Stan magazynowy:
18 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 26mOhm | 40A | 96W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF540NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 50mOhm | 30A | 125W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF540NPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NPBF; IRF 540 N PBF; IRF540N;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540N RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
4154 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5990 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
126657 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
140905 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 33A | 130W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF7301TRPBF JSMICRO
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; SP001571442; SP001561974;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 10V | 28mOhm | 7A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF7301TR UMW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; SP001571442; SP001561974;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
320 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 320 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 5,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 700 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 5,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
Stan magazynowy:
210 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 430 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 5,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 570 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 5,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF7301TRPBF
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Odpowiednik: IRF7301PBF; IRF7301TRPBF; IRF7301PBF-GURT; IRF7301; IRF7301TRPBF-VB; IRF 7301 TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 620 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 70mOhm | 5,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IRF7317TRPBF
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRF7317PBF; IRF7317TRPBF; IRF7317PBF-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN/P-MOSFET | 20V | 12V | 98mOhm | 6,6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN/P-MOSFET | 20V | 12V | 98mOhm | 6,6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7317TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN/P-MOSFET | 20V | 12V | 98mOhm | 6,6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-17
Ilość szt.: 700
|
|||||||||||||||||||||||
IRF7401TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
97 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF7401
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7401PBF (95/Tube); IRF7401TRPBF(4000/Tape&Reel); IRF7401PBF-GURT; IRF7401TRPBF-VB; CJQ4410/SOP-8;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: IRF7401TRPBF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF8736
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF8736PBF; IRF8736TRPBF; IRF8736PBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
162 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,8mOhm | 18A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8736TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
8750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,8mOhm | 18A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8736TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,8mOhm | 18A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9317TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10,2mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9317PBF; IRF9317TRPBF; SP001572200; SP001575412;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 10,2mOhm | 16A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRFL4310
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 2,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL4310TRPBF; IRFL4310PBF; IRFL4310PBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 2,2A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFL4310TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
1250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 2,2A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFL4310TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
65000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 2,2A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | International Rectifier |