Tranzystory polowe (wyszukane: 6967)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS138BKS SOT363(T/R) ElecSuper
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 410mA; 417mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
223 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 223 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 410mA | 417mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | ElecSuper | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
277 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 277 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 410mA | 417mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | ElecSuper | |||||||||||||
|
SI2333DS SOT23-3(T/R) TECH PUBLIC
20V 6A 20mOhm@4.5V,6A 1.8W 1V SOT-23-3 MOSFETs ROHS SI2333DS-T1-GE3; SI2333DS-T1-GE3-VB; SI2333DS-T1-E3; SI2333DS-T1-E3-VB; SI2333DS-T1-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: SI2333DS RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RCQ5402
Transistor; MOSFET; 40V; 140A; 2.2mOhm@10V,30A; odpowiednik: AON6144;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RCQ5402 RoHS Obudowa dokładna: DFN08(5x6) |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RCQ5304 PDFN5*6-8 RealChip
MOSFET; 30V; 90A; 4.5mOhm@10V,20A; odpowiednik: AON6426; AONS36306;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RCQ5304 RoHS Obudowa dokładna: PDFN5x6-8L |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC7002KT SOT-523 RealChip
MOSFET; 60V; 115mA; 3.5Ohm@10V,0.5A; odpowiednik: NTA7002NT1G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC3401 SOT23-3 RealChip
MOSFET; 30V; 4.2A; 50mOhm@10V,4.2A; odpowiednik: AO3401; KO3401; AO3401; RC3401; RC3401A; MOT3401AA3; LGE3401;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC3407 SOT23-3 RealChip
MOSFET; 30V; 4.1A; 40.5mOhm@10V,4.1A; odpowiednik: AO3407;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC3415 SOT23-3 RealChip
1 P-CHANNEL MOSFET; 20V; 4A; 60mOhm@2.5V,4A; odpowiednik: AO3415; AO3415A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC3401A SOT-23 RealChip
MOSFET; 30V; 4.2A; 70mOhm@4.5V; 1.2W; odpowiednik: AO3401;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC3400A SOT-23 RealChip
1 N-CHANNEL MOSFET; 30V; 5.8A; 55mOhm@2.5V,4A; odpowiednik: AO3400; AO3400A; IRLML6346; IRLML6346TRPBF; SP001578770; RC3400A; YJL2304A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RCK5074DFN PDFN5*6-8 RealChip
transistor odpowiednik: NVMFS5832NLT3G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC4407 SOP-8 RealChip
transistor odpowiednik: AO4407;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC4407 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC4407 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
AO3407 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 98mOhm; 4,1A; 1,32W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2750 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2950 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 4,1A | 1,32W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 4,1A | 1,32W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
AO3407 JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 4,1A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 65mOhm | 4,1A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
MOT1115T TOLL
Trans MOSFET N-CH 100V 37A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R ODPOWIEDNIK: INFINEON IPTG014N10NM5;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT1115T RoHS Obudowa dokładna: TOLL-8 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MOT1116T TOLL
TRANSISTOR MOSFET
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT1116T RoHS Obudowa dokładna: TOLL-8 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MOT120N10A TO220 MOT
N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: IRF3710; IRF540N;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT120N10A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
BSS138 SOT-23 MDD(MICRODIODE)
50V 500mA 1.1?@4.5V,0.3A 500mW 1.5V 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MDD(Microdiode Electronics) Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 3Ohm | 340mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | |||||||||||||
|
TP0610K SOT23(T/R) TECH PUBLIC
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 360mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 500mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
PTS4842 SOP8 HT SEMI
30V 7.7A 21m?@10V,7.7A 2W 2.5V 2 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRF7303;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: PTS4842 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MS4N1350
MOSFET; 4A,1500V,TO-3PH CNC-Digital Signal Processor (DSP), the 3-phase 380V welding machine- auxiliary circuit, Switching power supply, Converter, Servo motor control, Auxiliary power supply, Communication power supply, radio-frequency power supply, Auxiliary power supply for commercial and industrial energy storage.
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS4N1350 RoHS Obudowa dokładna: TO 3PH |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1500V | 30V | 5Ohm | 4A | 75W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3PH | Maspower | |||||||||||||
|
MS30N90ICE0
MOSFET 30A,900V,TO-263
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS30N90ICE0 RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 900V | 30V | 222mOhm | 30A | 240W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 | Maspower | |||||||||||||
|
MS3N100HGD0
MOSFET 3A,1000V,TO-252
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS3N100HGD0 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 30V | 5,8Ohm | 3A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Maspower | |||||||||||||
|
MS5N100FT
MOSFET 5A,1000V,TO-220
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS5N100FT RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 30V | 42Ohm | 5A | 198W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Maspower | |||||||||||||
|
MS8N100FT
MOSFET 8A,1000V,TO-220
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS8N100FT RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 30V | 2,3Ohm | 8A | 167W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Maspower | |||||||||||||
|
MS10N100HGC0
MOSFET 10A,1000V,TO-247
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS10N100HGC0 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
120 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/120 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 30V | 1,95Ohm | 10A | 186,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | Maspower | |||||||||||||
|
MS12N100FC
MOSFET 12A,1000V,TO-247
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS12N100FC RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 30V | 1,2Ohm | 12A | 367W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | Maspower | |||||||||||||
|
MS18N100HGC0
MOSFET 18A,1000V,TO-247
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS18N100HGC0 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 30V | 750mOhm | 18A | 470W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | Maspower | |||||||||||||
|
MS30N100HGC0
MOSFET 30A,1000V,TO-247
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS30N100HGC0 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 30V | 380mOhm | 30A | 290W | THT | -40°C ~ 150°C | TO247 | Maspower | |||||||||||||
|
MS6N120FE
MOSFET 6A,1200V,TO-263
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS6N120FE RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r |
Stan magazynowy:
76 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 76 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 1200V | 30V | 7Ohm | 6A | 160W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 | Maspower | |||||||||||||
|
Producent:
MASPOWER Symbol Producenta: MS6N120FE RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r |
Stan magazynowy:
124 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 124 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 1200V | 30V | 7Ohm | 6A | 160W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 | Maspower | |||||||||||||