Tranzystory polowe (wyszukane: 6239)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI4447ADY-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 62mOhm; 7,2A; 4,2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4447ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 62mOhm | 7,2A | 4,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4463BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4463BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 20mOhm | 9,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4463BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 20mOhm | 9,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
BSS84 SOT23 HUASHUO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 300mA; 6Ohm; 20V; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: HSS2301C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT23 | HUASHUO | |||||||||||||
SIL2308-TP Micro Commercial Components
Tranzystor Dual N/P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; +/-12V; 38mOhm; 5A/4A; -55°C~150°C; Odpowiednik: SIL2308-TP-HF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN/P-MOSFET | 20V | 12V | 38mOhm | 5A | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6L | MCC | ||||||||||||||
SKG85G06A SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 105W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4,5mOhm | 130A | 105W | SMD | -55°C ~ 150°C | PDFN08(5x5) | SHIKUES | |||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4,5mOhm | 130A | 105W | SMD | -55°C ~ 150°C | PDFN08(5x5) | SHIKUES | |||||||||||||
SPP20N60C3
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 430mOhm; 20,7A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP20N60C3XKSA1; SPP20N60C3HKSA1; SPP20N60C3/SN;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 430mOhm | 20,7A | 208W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
STP10NK60Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 115W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
STP10NK60ZFP-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 52W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP10NK60ZFP STMicroelectronics;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 1Ohm | 10A | 52W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | CHIPNOBO | |||||||||||||
STP10NK60ZFP STMicroelectronics - Tranzystor polowy N-MOSFET
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
773 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
STP14NK50Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 500V | 30V | 380mOhm | 14A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
STP16NF06L
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C~175°C; obsolete: ten el.został wycofany z produkcji; VBSEMI STP16NF06L-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 100mOhm | 16A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 100mOhm | 16A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
STP40NF10
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 28mOhm | 50A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
STP55NF06
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP36NF06; HT55NF06ASZ;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
950 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 18mOhm | 50A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
HSTP75NF75 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 7,2mOhm; 96A; 146W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP75NF75;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 20V | 7,2mOhm | 96A | 146W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | HXY MOSFET | |||||||||||||
STP75NF75
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 75V; 20V; 11mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP75NE75;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
65 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 75V | 20V | 11mOhm | 80A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
STP9NK90Z
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 8A; 160W; -55°C ~ 150°C; WMK09N90C2-CYG
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 8A | 160W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
10N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 10N65-LGE; YJ10N65CI-YAN;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 650V | 4V | 30V | 630mOhm | 40A | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | LGE | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-20
Ilość szt.: 300
|
|||||||||||||||||||||||
DMN2230U-7 Diodes
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 230mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
185 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 230mOhm | 2A | 600mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
12N65 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 800mOhm; 12A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 800mOhm | 12A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | HXY MOSFET | |||||||||||||
12N65-TD TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 800mOhm; 12A; 42W; -55°C~150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 800mOhm | 12A | 42W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | TDSEMIC | |||||||||||||
12N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
237 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 650V | 10V | 30V | 540mOhm | 12A | 33W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | LGE | ||||||||||||
ZXMS6004DN8-13
Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 600mOhm; 1,3A; 1,56W; -40°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 600mOhm | 1,3A | 1,56W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOIC08 | DIODES | ||||||||||||||
EPC2059
Tranzystor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
EPC Symbol Producenta: EPC2059 RoHS Obudowa dokładna: DIE(2.8x1.4) |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
GANFET | 170V | 6V | 9mOhm | 24A | SMD | -40°C ~ 150°C | EPC | |||||||||||||||
FDC658AP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 75mOhm; 4A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 75mOhm | 4A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDN306P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
FDN338P SOT23 MSKSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 150mOhm | 2A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MSK | |||||||||||||
FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 61mOhm | 3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDS8958A SOP08 ON Semiconductor
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/80mOhm; 7A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS8958A-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 80mOhm | 7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
FDV301N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 6A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
FQP47P06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 47A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR |