Tranzystory polowe (wyszukane: 6527)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002-T1-E3 VISHAY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 40V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 40V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
|
IRLR2908TR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRLPBF-VG; IRLR2908TRPBF; IRLR2908TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
55 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 35mOhm | 40A | 3,75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBsemi | |||||||||||||
|
AP2311GN-HF-3-CN CHIPNOBO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 1,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN-HF-3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 1,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | CHIPNOBO | |||||||||||||
|
AP2311GN JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: AP2311GN-HF-3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 240mOhm | 2A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOT23 | JGSEMI | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-11-14
Ilość szt.: 500
|
|||||||||||||||||||||||
|
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
27805 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 300mOhm | 1,8A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
|
AP4435GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 36mOhm | 40A | 44,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 36mOhm | 40A | 44,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
|
AO3407 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 87mOhm | 4,1A | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
|
AUIRLR2905Z International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 22,5mOhm | 60A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
|
8205A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HL Microelectronics Symbol Producenta: 8205A RoHS Obudowa dokładna: TSSOP08 t/r |
Stan magazynowy:
175 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 27mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
BS170
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170(bulk); BS170G(tube); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
4530 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170-D26Z Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170-D27Z Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
BS250P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Zetex Symbol Producenta: BS250P RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
403 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 230mA | 700mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | DIODES | |||||||||||||
|
Producent:
import Symbol Producenta: BS250P Obudowa dokładna: TO92formed |
Magazyn zewnetrzny:
248 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 230mA | 700mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | DIODES | |||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS250P Obudowa dokładna: TO92formed |
Magazyn zewnetrzny:
5423 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 230mA | 700mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | DIODES | |||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS250P Obudowa dokładna: TO92formed |
Magazyn zewnetrzny:
5816 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 230mA | 700mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | DIODES | |||||||||||||
|
BSP318SH6327XTSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW);
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
843 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 2,6A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP318SH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
639620 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 2,6A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 5,5Ohm | 200mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | |||||||||||||
|
BSS123,215 NEXPERIA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS123,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
13380 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
10190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1596000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
50800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 6Ohm | 150mA | 250mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
|
BSS123 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10Ohm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
|
BSS138 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
42340 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/45000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 300mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | ||||||||||||
|
BSS316NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 280mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS316NH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1485 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/24000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 280mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 280mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
381000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 280mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
4353000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 280mOhm | 1,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
|
AO3403
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3403 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
480 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 200mOhm | 2,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
|
BSS84 NXP tranzystor polowy P-MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/90000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
102 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
8500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS84,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
867000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-30
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
|
AO3415A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
380 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
CSD19534KCS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 20mOhm | 100A | 118W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Texas Instruments | |||||||||||||
|
AO3415A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VBS | |||||||||||||
|
STD26P3LLH6 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD26P3LLH6 STMicroelectronics
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
195 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 18mOhm | 55A | 37,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | |||||||||||||
|
AO3418
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 3,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3418 RoHS AK... Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 3,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3418 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 3,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
|
DMP4051LK3-13
P-MOSFET 40V 7.2A 51mΩ 2.14W
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2377 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2377 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP4051LK3-13 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMP4051LK3-13 Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
100000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 51mOhm | 10,5A | 2,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK-3 | Diodes Incorporated | |||||||||||||
|
AO3419
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3419 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
8770 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 168mOhm | 3,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
|
AO3420 SOT23-3L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | |||||||||||||
|
FDD8896 TO-252 TECH PUBLIC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,5mOhm; 90A; 181W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 7,5mOhm | 90A | 181W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
FDD8896
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Odpowiednik: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000/15000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
66 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | |||||||||||||
|
FDN338P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 165mOhm; 1,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN338P RoHS Obudowa dokładna: SSOT3 |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 165mOhm | 1,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN338P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
111000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 165mOhm | 1,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN338P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 165mOhm | 1,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||