Tranzystory polowe (wyszukane: 6949)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOD409 TO252 TECH PUBLIC
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 62mOhm | 25A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-12-31
Ilość szt.: 300
|
|||||||||||||||||||||||
|
AOD409 TO252-2L(T/R) XBLW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 50A; 52,1W; -55°C ~ 150°C; AOD409(XBLW);
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 30mOhm | 50A | 52,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | XBLW | |||||||||||||
|
YFW3P06LI
60V 3A 105mOhm@10V,3A 1.6W 3V@250uA 1 Piece P-Channel MOSFET Odpowiednik: FDC5614P; YFW3P06LI;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 3,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT6L | YFW | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-03-13
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
|
IRLR2908
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 24mOhm | 31A | 53,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
YJL05N04C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 50mOhm; 5A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL05N04A IS EOL; REPLACEMENT: YJL05N04C; YJL05N04A-YAN; MOT4526B2; LGE350N04; MOT4526B2;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 50mOhm | 5A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | YY | |||||||||||||
|
YJL03N06C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 3A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C; YJL03N06A-YAN; KI2308DS; LGE02N06C; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 95mOhm | 3A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | YY | |||||||||||||
|
BSS138 SOT23 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; Podobny do: BSS138-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 22V | 2,5Ohm | 340mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | |||||||||||||
|
PTL03N10 SOT-23
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-23 Odpowiednik: AOSS62934; FDN8601;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: PTL03N10 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
DI020N06D1
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R ODPOWIEDNIK: DI020N06D1-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 40mOhm | 20A | 45W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPAK) | DIOTEC | |||||||||||||
|
PT9926 SOP-8 HT SEMI
Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 2W; -55°C~150°C; ODPOWIEDNIK: IRF7301TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: PT9926 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 40mOhm | 6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | HT | |||||||||||||
|
BSS84 SOT23 LGE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
11987 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/12000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | |||||||||||||
|
BSS84 SOT23 HT SEMI
Tranzystor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BSS84 RoHS B84 Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | -60V | 20V | 10Ohm | -130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT-23 | HT | |||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | -60V | 20V | 10Ohm | -130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT-23 | HT | |||||||||||||
|
YFW9926S SOP-8 YFW
20V 5.2A 2W 50m?@4.5V,2.6A 700mV 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS Odpowiednik: IRF7301; IRF7301TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW9926S RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 19mOhm | 7,1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW9926S RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 180 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 19mOhm | 7,1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ||||||||||||||
|
2N7002K SOT23 MDD
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 10) |
MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 300mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | |||||||||||||
|
2N7002K SOT23 ONS
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 ODPOWIEDNIK: 2N7002KT1G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7002K RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
967 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 967 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7002K RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
38 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 38 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7002K Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: 2N7002K Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
81000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
|
YJM04N10A
Trans; N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 4A; 16A, 2.5W; +-20V; 120mOhm; YJM04N10A-YAN
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 120mOhm | 4A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | YY | |||||||||||||
|
2N7000
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIOTEC | ||||||||||||
|
AO3400A JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 50mOhm; 5,8A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 50mOhm | 5,8A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JGSEMI | |||||||||||||
|
AO3400A JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
JSMSEMI Symbol Producenta: AO3400A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 52mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
AO3400A UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2090 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 48mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
|
AO3420 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3420 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 40mOhm | 6,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
JSM3420 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 35mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3420 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 35mOhm | 6A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
AO3420
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4759 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
|
AO4805
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 25V; 29mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4805 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 25V | 29mOhm | 9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
|
2N7002
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
945 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3260 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
15500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 7Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
|
RTR040N03TL
30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS RTR040N03TL-VB; RTR040N03TL-JSM; CJ3400S3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
130 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 350 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 48mOhm | 5,3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VBsemi | |||||||||||||
|
AOD409 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD409 Alpha&Omega Semiconductor AOS
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 55mOhm | 26A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
|
AOD409
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD409 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 55mOhm | 26A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
|
AOD417 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 40A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 44mOhm | 40A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
AOD417 JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 68mOhm; 15A; 90W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
139 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 139 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 68mOhm | 15A | 90W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
161 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 161 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 68mOhm | 15A | 90W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | |||||||||||||