Tranzystory polowe (wyszukane: 6902)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MOT2305B2 SOT23 MOT
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402TRPBF; IRLML2244TRPBF; DMP2305U-7; SI2305; FDN304P;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,83W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MOT | |||||||||||||
|
LGE8810 SOT23 LGE
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244TRPBF; IRLML6244PBF; IRLML6244; IRLML6244TR; IRLML6244TRPBF; IRLML6244TRPBF; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: LGE8810 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
AO4262E
Trans MOSFET N-CH 60V 16.5A 8-Pin SOIC
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
198 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6,5mOhm | 16,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
|
YFW60P03AD TO-252 YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 60A; 52W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417; AOD403,
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 15mOhm | 60A | 52W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | YFW | |||||||||||||
|
SSM3K15AMFV,L3F(T
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM odpowiednik: SSM3K15AMFV,L3F; SSM3K15AMFV,L3F(B; SSM3K15AMFV,L3F(T;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: SSM3K15AMFV,L3F(T RoHS Obudowa dokładna: VESM |
Stan magazynowy:
145 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 225 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
MOT2312B2 SOT23 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 28mOhm; 6,8A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244; MOT2312; IRLML6244TRPBF; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT2312B2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 28mOhm | 6,8A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MOT | |||||||||||||
|
2N7002K SOT23 FUXINSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: 2N7002K RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 500mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
AO3400A SOT23 FUXINSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; RC3400A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: AO3400A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 52mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
AO3407A SOT23 FUXINSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 87mOhm | 4,1A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
BSS131 SOT23 FUXINSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: BSS131 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 4,5Ohm | 100mA | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
FS2300 SOT23(T/R) FUXINSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584; LGE2300; LGE2300-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: FS2300 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2974 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 85mOhm | 5A | 1,31W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
FS3401 SOT23 FUXINSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2244TRPBF; SP001576936;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: FS3401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 85mOhm | 5A | 1,31W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
IRLML0040TRPBF SOT23(T/R) FUXIN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 12V; 52mOhm; 5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0040TRPBF; SP001572982;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: IRLML0040TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 12V | 52mOhm | 5A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
IRLML0100TRPBF SOT23(T/R) FUXINSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 290mOhm | 3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
IRLML6244TRPBF SOT23(T/R) FUXIN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 73mOhm; 6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244TRPBF; SP001558344;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2990 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 73mOhm | 6A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
|
BSS138BKS SOT363(T/R) ElecSuper
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 410mA; 417mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
223 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 223 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 410mA | 417mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | ElecSuper | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
277 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 277 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 410mA | 417mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | ElecSuper | |||||||||||||
|
SI2333DS SOT23-3(T/R) TECH PUBLIC
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 28mOhm; 6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; SI2333DS-T1-GE3; SI2333DS-T1-GE3-VB; SI2333DS-T1-E3; SI2333DS-T1-E3-VB; SI2333DS-T1-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 28mOhm | 6A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
RCQ5402
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 140A; 120W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AON6144;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,2mOhm | 140A | 120W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | RealChip | |||||||||||||
|
RCQ5304 PDFN5*6-8 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,5mOhm; 90A; 115W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AON6426; AONS36306;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 7,5mOhm | 90A | 115W | SMD | -55°C ~ 175°C | PDFN5x6-8L | RealChip | |||||||||||||
|
RC7002KT SOT-523 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTA7002NT1G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | RealChip | |||||||||||||
|
RC3401 SOT23-3 RealChip
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; odpowiednik: AO3401; KO3401; AO3401; RC3401; RC3401A; MOT3401AA3; LGE3401;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 120mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | RealChip | |||||||||||||
|
RC3407 SOT23-3 RealChip
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 87mOhm | 4,1A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | RealChip | |||||||||||||
|
RC3415 SOT23-3 RealChip
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 100mOhm; 4A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3415; AO3415A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 10V | 100mOhm | 4A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | RealChip | |||||||||||||
|
RC3401A SOT-23 RealChip
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 64mOhm; 4,2A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3401;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 64mOhm | 4,2A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | RealChip | |||||||||||||
|
RC3400A SOT-23 RealChip
1 N-CHANNEL MOSFET; 30V; 5.8A; 55mOhm@2.5V,4A; odpowiednik: AO3400; AO3400A; IRLML6346; IRLML6346TRPBF; SP001578770; RC3400A; YJL2304A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 55mOhm | 5,8A | SMD | SOT23 | RealChip | |||||||||||||||
|
RCK5074DFN PDFN5*6-8 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 150A; 78W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NVMFS5832NLT3G;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,2mOhm | 150A | 78W | SMD | -55°C ~ 150°C | PDFN5x6-8 | RealChip | |||||||||||||
|
RC4407 SOP-8 RealChip
transistor odpowiednik: AO4407;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
AO3407 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 98mOhm; 4,1A; 1,32W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2720 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2950 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 4,1A | 1,32W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 4,1A | 1,32W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
|
MOT1115T TOLL
Trans MOSFET N-CH 100V 37A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R ODPOWIEDNIK: INFINEON IPTG014N10NM5;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT1115T RoHS Obudowa dokładna: TOLL-8 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 2mOhm | 399A | 455W | SMD | -55°C ~ 175°C | TOLL-8 | MOT | |||||||||||||
|
MOT1116T TOLL
TRANSISTOR MOSFET
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT1116T RoHS Obudowa dokładna: TOLL-8 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 110V | 20V | 2,2mOhm | 373A | 440W | SMD | -55°C ~ 175°C | TOLL-8 | MOT | |||||||||||||