Tranzystory polowe (wyszukane: 7063)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 32mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
4400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Ilość (wielokrotność 1) |
TSSOP08 | HT | 6A | 20V | 12V | 1,6W | SMD | 32mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
950 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23-3 | EASTRONIC | 4,2A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 90mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
28990 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | TECH PUBLIC | 360mA | 50V | 20V | 350mW | SMD | 4,5Ohm | -55°C ~ 155°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
LGE50N06D TO252 LGE
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
480 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | LGE | 50A | 60V | 20V | 136W | SMD | 20mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002AK SOT-23 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002,215; 2N7002BK; 2N7002P,215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2980 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | YFW | 340mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002A DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002A Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002A Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002A Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
1840 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002A Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
RC3407A SOT23 RealChip
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5203TRPBF; IRLML9303TRPBF; IRLML9301TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | RealChip | 4,1A | 30V | 20V | 1,4W | SMD | 90mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
2302 SOT23 HT SEMI
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | HT | 3,5A | 20V | 10V | 1,25W | SMD | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002BK-MS SOT-23 MSKSEMI
60V 300mA 2.2Ohm@10V,0.3A 350mW One N-channel SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MSK | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC
N-CHANNEL 200V 1A 2.1W Surface Mount SOT-223
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT223 | TECH PUBLIC | 1A | 200V | 20V | 2,1W | SMD | 1,35Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
YFWG120N10AC TO220 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 3,8mOhm; 120A; 210W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | YFW | 120A | 100V | 20V | 210W | THT | 3,8mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
YFW4406AS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 12A; 3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | YFW | 12A | 30V | 20V | 3W | SMD | 18mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
YFW65R380AF
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 30V; 380mOhm; 11A; 84,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP11NM60FD; STP11NM60FD-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | YFW | 11A | 650V | 30V | 84,5W | THT | 380mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
YFW30N10AC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 45mOhm; 30A; 88W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRL540NPBF; IRL 540 NPBF; YFW30N10AC; IRL540NPBF-VB; IRL540N-CN;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
197 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | YFW | 30A | 100V | 20V | 88W | THT | 45mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
MOT2310B2 SOT23 MOT
60V 3A 1.7W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Podobny do: SI2308BDS-T1-E3; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; TSM2308CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | MOT | 3A | 60V | 20V | 1,7W | SMD | 115mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
YFW15N06S SOP8 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 15A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PTS6012; IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT; Wycofano z produkcji; IRF7478; PTS6012; YFW15N06S; TPM60V8NS8;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | YFW | 15A | 60V | 20V | 1,5W | SMD | 20mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF7468TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 15mOhm; 12A; 1,47W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | TECH PUBLIC | 12A | 40V | 20V | 1,47W | SMD | 15mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
YFW3400B SOT-23 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YJL3400A-F2-0000HF; YJL3400A; YFW3400B;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | YFW | 5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 52mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
YFW4406AS SOP08 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 12A; 3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308; IRF7401TRPBF-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TRPBF
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 180 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | YFW | 12A | 30V | 20V | 3W | SMD | 18mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | YFW | 12A | 30V | 20V | 3W | SMD | 18mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
RFP50N06 TO220AB VBSEMI ELEC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 11mOhm; 60A; 136W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: VBM1615;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220 | VBsemi | 60A | 60V | 20V | 136W | THT | 11mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002K SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,8Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: NX7002AK; 2N7002,215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | RealChip | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 2,8Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
LGE350N04 SOT23 LGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 60mOhm; 6,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: YJL05N04A; YJL05N04A-F2-0000HF; SI2318A-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: LGE350N04 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | LGE | 6,3A | 40V | 20V | 2,5W | SMD | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
import Symbol Producenta: IRF7201TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VBsemi | 9A | 30V | 20V | 2,2W | SMD | 11mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | VBsemi | 9A | 30V | 20V | 2,2W | SMD | 11mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AO3400 XBLW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; SL3400; YJL3400B;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2980 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | XBLW | 5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
MOT60N03D TO252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 60A; 45W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR8729TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | MOT | 60A | 30V | 20V | 45W | SMD | 15mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
MOT2302AB2 SOT23(T/R) MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS205N; BSS205NH6327; (MOT2302AB2 non-Automotive grade); KI2300; PT2302B; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; RC2302A; BSS806NH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MOT | 3A | 20V | 12V | 900mW | SMD | 70mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
MOT3400AB2 SOT23 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6346; IRLML2030TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MOT | 5,8A | 30V | 12V | 350mW | SMD | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
MOT90N03D TO252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,5mOhm; 90A; 85W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR8726TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | MOT | 90A | 30V | 20V | 85W | SMD | 7,5mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
MOT5N50MD TO-252 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 2,2Ohm; 5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR420TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | MOT | 5A | 500V | 30V | 50W | SMD | 2,2Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
MOT2302B2 SOT23 MOT
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: MOT2302B2; PT2302B; IRLML2402TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MOT | 2A | 20V | 12V | 600mW | SMD | 110mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.