Tranzystory polowe (wyszukane: 5535)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR3410
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
126 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
3250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
200000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1468000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRLR3410TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
IRLR8743TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 3,9mOhm; 160A; 135W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8743TRLPBF; IRLR8743TRPBF; IRLR8743PBF; IRLR8743PBF-GURT; IRLR8743;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 3,9mOhm | 160A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8743TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 3,9mOhm | 160A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8743TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 3,9mOhm | 160A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8743TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
46000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 3,9mOhm | 160A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLZ34N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34PBF; IRLZ34PBF-BE3; IRLZ34NPBF; SP001553290;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 60mOhm | 30A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
IRLZ34N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 60mOhm | 30A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
8512 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 60mOhm | 30A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1290 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 60mOhm | 30A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 60mOhm | 30A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
LGE2304
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2304-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 30V | 2,2V | 20V | 75mOhm | 3,3A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-20
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
MCM3400A-TP
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN EP
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MCM3400A-TP RoHS Obudowa dokładna: DFN06 |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
BSP149
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnetrzny:
5250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnetrzny:
196000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSS131 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 20Ohm | 110mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
BSS138DW-7-F Diodes INCORPORATED
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
135 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
552000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
255000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
IRF3805SPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRLPBF; IRF3805S-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270mA | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VBsemi | |||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270mA | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VBsemi | |||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270mA | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VBsemi | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3805STRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270mA | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VBsemi | |||||||||||||
BSS138LT1G-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 115mA; 300mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | CHIPNOBO | |||||||||||||
BSS138LT1G smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30322 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 200mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138L Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 200mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138L Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
261000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 200mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138L Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 200mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
SI2305CDS Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
KUU Symbol Producenta: SI2305CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 8V | 8V | 65mOhm | 5,8A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: SI2305CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 8V | 8V | 65mOhm | 5,8A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
BSS84
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 10Ohm | 150mA | 357mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ||||||||||||||
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
330 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/18000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 10Ohm | 150mA | 357mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ||||||||||||||
SI4463BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4463BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 20mOhm | 9,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4463BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 20mOhm | 9,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4463BDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
3137 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 20mOhm | 9,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
BSS84 SOT23 HUASHUO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 300mA; 6Ohm; 20V; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: HSS2301C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT23 | HUASHUO | |||||||||||||
SIL2308-TP Micro Commercial Components
Tranzystor Dual N/P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; +/-12V; 38mOhm; 5A/4A; -55°C~150°C; Odpowiednik: SIL2308-TP-HF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN/P-MOSFET | 20V | 12V | 38mOhm | 5A | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6L | MCC | ||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: SIL2308-TP Obudowa dokładna: SOT23-6L |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN/P-MOSFET | 20V | 12V | 38mOhm | 5A | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6L | MCC | ||||||||||||||
SKG85G06A SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 105W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4,5mOhm | 130A | 105W | SMD | -55°C ~ 150°C | PDFN08(5x5) | SHIKUES | |||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4,5mOhm | 130A | 105W | SMD | -55°C ~ 150°C | PDFN08(5x5) | SHIKUES | |||||||||||||
SPP20N60C3
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 430mOhm; 20,7A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP20N60C3XKSA1; SPP20N60C3HKSA1; SPP20N60C3/SN;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 430mOhm | 20,7A | 208W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP20N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
926 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 430mOhm | 20,7A | 208W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP20N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
291550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 430mOhm | 20,7A | 208W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
DH100P20 DONGHAI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 95mOhm; 20A; 70W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRF9540PBF, IRF9540NPBF
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
190 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 95mOhm | 20A | 70W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Donghai | |||||||||||||
STP10NK60Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 115W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
7008 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 115W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
10850 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 115W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
STP10NK60ZFP-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 52W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP10NK60ZFP STMicroelectronics;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 1Ohm | 10A | 52W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | CHIPNOBO | |||||||||||||
STP10NK60ZFP STMicroelectronics - Tranzystor polowy N-MOSFET
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
823 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60ZFP Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
STP14NK50Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 500V | 30V | 380mOhm | 14A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 500V | 30V | 380mOhm | 14A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
157 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 500V | 30V | 380mOhm | 14A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 500V | 30V | 380mOhm | 14A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
STP16NF06L
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C~175°C; obsolete: ten el.został wycofany z produkcji; VBSEMI STP16NF06L-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 100mOhm | 16A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 100mOhm | 16A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
STP40NF10
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 28mOhm | 50A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP40NF10 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
43350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 28mOhm | 50A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP40NF10 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
33050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 28mOhm | 50A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP40NF10 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4720 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 28mOhm | 50A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
HSTP75NF75 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 7,2mOhm; 96A; 146W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: STP75NF75;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 20V | 7,2mOhm | 96A | 146W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | HXY MOSFET | |||||||||||||
STP75NF75
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 75V; 20V; 11mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP75NE75;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 75V | 20V | 11mOhm | 80A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP75NF75 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
16500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 75V | 20V | 11mOhm | 80A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP75NF75 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 75V | 20V | 11mOhm | 80A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP75NF75 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
17813 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 75V | 20V | 11mOhm | 80A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
STP9NK90Z
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 8A; 160W; -55°C ~ 150°C; WMK09N90C2-CYG
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
105 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 8A | 160W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP9NK90Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 8A | 160W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP9NK90Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 8A | 160W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP9NK90Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
955 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 8A | 160W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics |