Tranzystory polowe (wyszukane: 5535)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR3410TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 130mOhm | 15A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLR3410TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 140mOhm; 10A; 5W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 140mOhm | 10A | 5W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 120mOhm | 15A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | |||||||||||||
IRLR8726TRPBF-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,4mOhm; 90A; 39W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 7,4mOhm | 90A | 39W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | CHIPNOBO | |||||||||||||
IRLR8726TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
350 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11mOhm | 80A | 54W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
IRLR8726TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
IRLR8726TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
4890 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
22000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
4050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-22
Ilość szt.: 10000
|
|||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-29
Ilość szt.: 1610
|
|||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-01
Ilość szt.: 2000
|
|||||||||||||||||||||||
MMBF5484
Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 5mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5484 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 25V | 25V | 5mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5484 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 25V | 25V | 5mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
MMBFJ112
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1980 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JEFT | -35V | 50Ohm | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | ONSEMI | ||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JEFT | -35V | 50Ohm | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | ONSEMI | ||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JEFT | -35V | 50Ohm | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | ONSEMI | ||||||||||||||||
NTD5865NLT4G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: NTD5865NLT4G RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 19mOhm | 46A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTD5867N
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 33mOhm | 20A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO252 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
NTS4173PT1G
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 12V; 280mOhm; 1,2A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2795 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4173PT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4173PT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4173PT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
2615 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
7600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-E3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
402000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
SI2304DDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2304DDS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
216000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
SI2308BDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
140 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 105mOhm | 3A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
AS3400
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 51mOhm | 5,6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | |||||||||||||
SI4435DDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
291 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4459ADY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 7,7mOhm | 29A | 7,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4459ADY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 7,7mOhm | 29A | 7,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9407BDY
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 4,7A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
14 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 700 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9433BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9433BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 60mOhm | 4,5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9926BDY
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9926BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 6,2A | 1,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SK3415 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 12V; 180mOhm; 4,2A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3415;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 25V | 12V | 180mOhm | 4,2A | SMD | 25°C ~ 150°C | SC59 | SHIKUES | ||||||||||||||
SKML2402 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 10V | 80mOhm | 2A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SHIKUES | |||||||||||||
SKQ50N03BD SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 50A | 30W | SMD | -55°C ~ 175°C | DFN08(3.3x3.3) | SHIKUES | |||||||||||||
STF14NM50N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 25V | 320mOhm | 12A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STF14NM50N Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 25V | 320mOhm | 12A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STF14NM50N Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1420 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 25V | 320mOhm | 12A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STF14NM50N Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
2950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 25V | 320mOhm | 12A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
STN1HNK60
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 8,5Ohm; 400mA; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 8,5Ohm | 400mA | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STN1HNK60 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
808000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 8,5Ohm | 400mA | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STN1HNK60 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 8,5Ohm | 400mA | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STN1HNK60 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 8,5Ohm | 400mA | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | ||||||||||||
STN3NF06L
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 120mOhm; 4A; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 16V | 120mOhm | 4A | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STN3NF06L Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
176000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 16V | 120mOhm | 4A | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STN3NF06L Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
52000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 16V | 120mOhm | 4A | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STN3NF06L Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 16V | 120mOhm | 4A | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | |||||||||||||
STW70N60M2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
28 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 25V | 40mOhm | 68A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STW70N60M2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 40mOhm | 68A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STW70N60M2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
2140 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 40mOhm | 68A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STW70N60M2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 40mOhm | 68A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
STW88N65M5
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 25V | 29mOhm | 84A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STW88N65M5 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 29mOhm | 84A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STW88N65M5 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1740 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 29mOhm | 84A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STW88N65M5 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
2060 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 29mOhm | 84A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
SUM90P10-19L-E3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 96 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 21mOhm | 90A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 21mOhm | 90A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
64800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 21mOhm | 90A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY |