Tranzystory polowe (wyszukane: 6958)
| Produkt | Koszyk |
Obudowa
|
Producent
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO4629
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/74mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4629 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ALPHA&OMEGA | 6A | 30V | 20V | 2W | SMD | 74mOhm | -55°C ~ 150°C | N/P-MOSFET | |||||||||||||
|
AO4805
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 25V; 29mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4805 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ALPHA&OMEGA | 9A | 30V | 25V | 2W | SMD | 29mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xP-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
945 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 7Ohm | -50°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 7Ohm | -50°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7002 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
8300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | DIOTEC | 280mA | 60V | 30V | 350mW | SMD | 7Ohm | -50°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AO4842
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 7,7A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOP08 | ALPHA&OMEGA | 7,7A | 30V | 20V | 2W | SMD | 30mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
|
RTR040N03TL
30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs ROHS RTR040N03TL-VB; RTR040N03TL-JSM; CJ3400S3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
130 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 350 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | VBsemi | 5,3A | 30V | 12V | 1W | SMD | 48mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AOD409 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD409 Alpha&Omega Semiconductor AOS
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
190 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | UMW | 26A | 60V | 20V | 60W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AOD409
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 26A; 60W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD409 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
265 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | ALPHA&OMEGA | 26A | 60V | 20V | 60W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AOD417 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 40A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | 40A | 30V | 20V | 34,7W | SMD | 44mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AOD417 JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 68mOhm; 15A; 90W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
139 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 139 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | JSMICRO | 15A | 30V | 20V | 90W | SMD | 68mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AOD417 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
93 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | UMW | 25A | 30V | 20V | 50W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AOD417
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Not available now; Discontinued; podobny do: YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD417 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 500 Ilość (wielokrotność 1) |
DPAK | ALPHA&OMEGA | 25A | 30V | 20V | 50W | SMD | 55mOhm | -55°C ~ 175°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AOD508 DPAK(T/R) ALPHA&OMEGA SEMI
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
84 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
DPAK | ALPHA&OMEGA | 70A | 30V | 20V | 50W | SMD | 4,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
2N7002-T1-E3 VISHAY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 40V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | VISHAY | 115mA | 60V | 40V | 200mW | SMD | 13,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
IRLR2908TR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 0,035Ohm; 40A; 3,75W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRLPBF-VG; IRLR2908TRPBF; IRLR2908TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
55 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | VBsemi | 40A | 100V | 20V | 3,75W | SMD | 35mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AP2311GN-HF-3-CN CHIPNOBO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 1,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN-HF-3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | CHIPNOBO | 1,8A | 60V | 20V | 1,5W | SMD | 200mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
CXF2309A CREATEK
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 230mOhm; 1,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN-HF-3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2990 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | CREATEK | 1,8A | 60V | 20V | 1,4W | SMD | 230mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AP2311GN JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: AP2311GN-HF-3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
590 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | JGSEMI | 2A | 60V | 20V | 1,56W | SMD | 240mOhm | -55°C ~ 125°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 1,8A | 60V | 20V | 1,38W | SMD | 300mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
12000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/54000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 1,8A | 60V | 20V | 1,38W | SMD | 300mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | 1,8A | 60V | 20V | 1,38W | SMD | 300mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AP4435GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 40A | 30V | 20V | 44,6W | SMD | 36mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 40A | 30V | 20V | 44,6W | SMD | 36mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AO3407 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | JUXING | 4,1A | 30V | 20V | 350mW | SMD | 87mOhm | -50°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
AUIRLR2905Z International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO252 (DPACK) | International Rectifier | 60A | 55V | 16V | 110W | SMD | 22,5mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
8205A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
164 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
TSSOP08 | HXY MOSFET | 6A | 20V | 12V | 1,5W | SMD | 27mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BS170
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170(bulk); BS170G(tube); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BS170 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
2380 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/3000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 500mA | 60V | 60V | 20V | 830mW | THT | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BS170-D26Z Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
6300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 500mA | 60V | 60V | 20V | 830mW | THT | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BS170-D75Z Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 500mA | 60V | 60V | 20V | 830mW | THT | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
47600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 500mA | 60V | 60V | 20V | 830mW | THT | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semiconductor Symbol Producenta: BS170-D27Z Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnętrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
TO92 | ON SEMICONDUCTOR | 500mA | 60V | 60V | 20V | 830mW | THT | 5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
BS250P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Zetex Symbol Producenta: BS250P RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
3 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92formed | DIODES | 230mA | 45V | 20V | 700mW | THT | 14Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS250P RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
TO92formed | DIODES | 230mA | 45V | 20V | 700mW | THT | 14Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 200mA | 100V | 20V | 350mW | SMD | 5,5Ohm | -50°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS123,215 NEXPERIA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS123,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
13030 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | NXP | 150mA | 100V | 100V | 20V | 250mW | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
137500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | NXP | 150mA | 100V | 100V | 20V | 250mW | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSS123,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
3321000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | NXP | 150mA | 100V | 100V | 20V | 250mW | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
BSS316NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 280mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS316NH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3485 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | Infineon Technologies | 1,4A | 30V | 20V | 500mW | SMD | 280mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 40 Euro. |
SOT23 | Infineon Technologies | 1,4A | 30V | 20V | 500mW | SMD | 280mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
|
AO3403
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3403 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
718 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 718 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ALPHA&OMEGA | 2,6A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 200mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3403 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
282 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 282 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | ALPHA&OMEGA | 2,6A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 200mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
BSS84 NXP tranzystor polowy P-MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
543 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 943 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | NXP | 130mA | 50V | 20V | 225mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | NXP | 130mA | 50V | 20V | 225mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1197 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2037 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | NXP | 130mA | 50V | 20V | 225mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSS84,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2047 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | NXP | 130mA | 50V | 20V | 225mW | SMD | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2027-02-04
Ilość szt.: 18000
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2027-12-31
Ilość szt.: 6000
|
|||||||||||||||||||||||
|
AO3415A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
380 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
SOT23 | TECH PUBLIC | 5A | 20V | 8V | 1,5W | SMD | 65mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||