Tranzystory polowe (wyszukane: 6484)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK090E65Z,S1X(S
PWR-MOSFET N-CHANNEL
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 650V | 30V | 90mOhm | 30A | 230W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | TOSHIBA | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK100E08N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Odpowiednik: TK100E08N1,S1X(S; TK100E08N1,S1X; TK100E08N1;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 80V | 20V | 3,2mOhm | 214A | 255W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | TOSHIBA | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK100E10N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK100A06N1,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK110P10PL,RQ(S2
Mosfet, N-ch, 100V, 40A, TO-252
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 20V | 16mOhm | 40A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Toshiba | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK14G65W,RQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK15A20D,S4X(S
PWR-MOSFET N-CHANNEL
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK20N60W,S1VF(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK20P04M1,RQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 40V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK22E10N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK39N60W,S1VF(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK65E10N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK6A65D(STA4,Q,M)
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 650V | 30V | 1,11Ohm | 6A | 45W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Toshiba | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK8A50D(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK8P60W,RVQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 600V | 30V | 560mOhm | 8A | 80W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | Toshiba | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q
Trans MOSFET N-CH Si 75V 150A 8-Pin SOP Advance TPH2R608NH,L1Q(M
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 75V | 20V | 2,6mOhm | 150A | 142W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Toshiba | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 150V | 20V | 9mOhm | 64A | 210W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 Advance (5x5) | Toshiba | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TPHR8504PL,L1Q
Trans MOSFET N-CH Si 40V 150A 8-Pin SOP Advance TPHR8504PL,L1Q(M
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,4mOhm | 150A | 3W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 Advance (5x5) | Toshiba | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TPN22006NH
Trans MOSFET N-CH Si 60V 21A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN22006NH,LQ(S
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TPN5R203PL
TPN5R203PL,LQ(S
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TPN7R506NH
Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN7R506NH,L1Q(M
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TSM2301ACX RFG
P-Ch 20V 2,8A 0,7W 0,19R SOT23 obsolete; TSM2301ACX ; TSM2301ACX RFG ; TSM2301ACX RF-VB; replaced by TSM650P02CX RFG;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 20V | 12V | 190mOhm | 2,8A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAIW-SEMIC | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TSM2301CX
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; LGE2301; TSM2301CX RF-VB; KI2301DS;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TSM2302CX
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik:TSM2302CX RFG; LGE2302;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-01-20
Ilość szt.: 1000
|
||||||||||||
UM6K1NA-TP Micro Commercial Co
DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT-363 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
UT6K3TCR DFN2020-8 ROHM
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 5.5A
|
|||||||||||||
2xN-MOSFET | 30V | 12V | 63mOhm | 5,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN2020-8D | ROHM Semiconductor | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
VN2222LL-G
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.75A 3-Pin TO-92 VN2222LL-G-P003; VN2222LLG;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 30V | 7,5Ohm | 750mA | 1W | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | MICROCHIP | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
YJL03N06A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Elec Tech
N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L YJL03N06A-YAN; Odpowiednik 03N06 (Goford), RHK003N06FRAT146 (Rohm); YJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 120mOhm | 3A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | YY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
YJS03N10A
MOSFET;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-01-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||
ZVN4525ZTA
Trans MOSFET N-CH 250V 0.24A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|