Tranzystory polowe (wyszukane: 6300)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TSM2323CX RFG
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 68mOhm; 4,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik:TSM2323CX RF; TSM2323CXRF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
31 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 68mOhm | 4,7A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM2323CX Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 68mOhm | 4,7A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM2323CX RFG Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 68mOhm | 4,7A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM240N03CX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6,5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM240N03CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 34mOhm | 6,5A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM240N03CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
35400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 34mOhm | 6,5A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM250N02CX RFG
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 10V; 55mOhm; 5,8A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Zamiennik za TSM2302CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 10V | 55mOhm | 5,8A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM250N02CX RFG Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
24600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 10V | 55mOhm | 5,8A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM2N100CP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 8,5Ohm; 1,85A; 77W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2N100CP ROG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 30V | 8,5Ohm | 1,85A | 77W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM2N60SCW RPG
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 5Ohm; 600mA; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 5Ohm | 600mA | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM2N7002KCX RFG
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2N7002KCX RF; TSM2N7002KCXRFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM2N7002KCX RFG Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
21900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM2NB60CP ROG
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,4Ohm | 2A | 44W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM2NB60CP ROG Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
6050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,4Ohm | 2A | 44W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM320N03CX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM320N03CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 40mOhm | 5,5A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM320N03CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
5500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 12V | 40mOhm | 5,5A | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM3401CX RFG
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 90mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM3404CX RFG
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 43mOhm; 5,8A; 750mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 43mOhm | 5,8A | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM35N10CP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 42mOhm; 32A; 83,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM35N10CP ROG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 42mOhm | 32A | 83,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM480P06CP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 65mOhm; 20A; 40W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM480P06CP ROG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 65mOhm | 20A | 40W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM480P06CP ROG Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
4675 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 65mOhm | 20A | 40W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM4936DCS
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 53mOhm; 5,9A; 3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM4936DCS RLG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 53mOhm | 5,9A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM4936DCS RLG Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
1675 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 53mOhm | 5,9A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM500P02CX
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 85mOhm; 4,7A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM500P02CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 10V | 85mOhm | 4,7A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM500P02CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
32500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 10V | 85mOhm | 4,7A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM500P02CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 10V | 85mOhm | 4,7A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM650P03CX
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 100mOhm; 4,1A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik:TSM650P03CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 100mOhm | 4,1A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM650P03CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 100mOhm | 4,1A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM650P03CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
10500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 100mOhm | 4,1A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM680P06CP
MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252 TSM680P06CP ROG; TSM680P06CP-ROG;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM680P06CP RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 68mOhm | 18A | 20W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO-252 | Taiwan Semiconductor | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM680P06CP ROG Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 68mOhm | 18A | 20W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO-252 | Taiwan Semiconductor | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM680P06CP ROG Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
6450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 68mOhm | 18A | 20W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO-252 | Taiwan Semiconductor | |||||||||||||
TSM6963SDCA
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 68mOhm; 4,5A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM6963SDCA RVG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 68mOhm | 4,5A | 1,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM850N06CX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM850N06CX RFG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 3A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM850N06CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 3A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM850N06CX RFG Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 3A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM900N06CW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 11A; 4,17W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM900N06CW RPG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 11A | 4,17W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM900N06CW RPG Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
3550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 11A | 4,17W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM900N06CW RPG Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 11A | 4,17W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM9926DCS
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM9926DCS RLG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 40mOhm | 6A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TAI-SEM | |||||||||||||
Producent:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Symbol Producenta: TSM9926DCS RLG Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4175 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 40mOhm | 6A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TAI-SEM | |||||||||||||
TSM9933DCS
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM9933DCS RLG;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 85mOhm | 4,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TAI-SEM | |||||||||||||
UJ3C120040K3S UnitedSiC
Tranzystor N-JFET/N-MOSFET; 1200V; 25V; 73mOhm; 65A; 429W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: UJ3C120040K3S/SAMPLE;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
USCi Symbol Producenta: UJ3C120040K3S RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET/N-MOSFET | 1200V | 25V | 73mOhm | 65A | 429W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | UnitedSiC | |||||||||||||
UM8516
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 4A; 700mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 75mOhm | 4A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | Union Semiconductor | |||||||||||||
UM8517P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 1,4A; 300mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 150mOhm | 1,4A | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Union Semiconductor | |||||||||||||
VNB20N07-E
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 70mOhm; 20A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VNB20N07TR-E;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10/20 Ilość (wielokrotność 1) |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNB20N07TR-E Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNB20N07TR-E Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
VNB35N07
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 35mOhm; 35A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VNB35N07-E; VNB35N0713TR; VNB35N07TR-E;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
OMNI-FET | 70V | 35mOhm | 35A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNB35N07TR-E Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 35mOhm | 35A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNB35N07TR-E Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
79000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 35mOhm | 35A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | STMicroelectronics | ||||||||||||||
VND10N06
Tranzystor OMNI-FET; 60V; 300mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VND10N06-E; VND10N06TR-E;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
OMNI-FET | 60V | 300mOhm | 10A | 35W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND10N06TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
175000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 60V | 300mOhm | 10A | 35W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
VND5N07-E
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 280mOhm; 5A; 60W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VND5N07TR-E;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
120 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75/150 Ilość (wielokrotność 1) |
OMNI-FET | 70V | 280mOhm | 5A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND5N07TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 280mOhm | 5A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND5N07TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
75017 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 280mOhm | 5A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VND5N07TR-E Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 280mOhm | 5A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
VNP10N07-E
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 140mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
18 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
OMNI-FET | 70V | 140mOhm | 10A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP10N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1850 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 140mOhm | 10A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP10N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 140mOhm | 10A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP10N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
23550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 140mOhm | 10A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
VNP20N07-E
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 70mOhm; 20A; 83W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP20N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP20N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6062 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: VNP20N07-E Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
17042 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
OMNI-FET | 70V | 70mOhm | 20A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics |