Tranzystory (wyszukane: 9700)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie bramka-emiter
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMHT6016LFJ-13
Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 12-Pin VDFN EP T/R
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: DMHT6016LFJ-13 RoHS Obudowa dokładna: VDFN12 |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BC817-40 SOT23(T/R) YFW
Tranzystor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-40,215; BC817-40,235; BC817-40LT1G; BC817-40LT3G;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BC846B SOT23(T/R) HT SEMI
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC846B RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BC847B SOT23(T/R) HT SEMI
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BC847 RoHS ..1F Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PTS4842 SOP8 HT SEMI
30V 7.7A 21m?@10V,7.7A 2W 2.5V 2 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRF7303;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: PTS4842 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BC807-16 SOT23(T/R) KEXIN
PNP 45V 500mA 200mW hFE=100-250
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
KEXIN Symbol Producenta: BC807-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2980 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2980 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BC817-25 SOT23(T/R) YFW
Tranzystor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC817-25-DIO; BC817-25-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: BC817-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: BC817-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
15T65SD JUXING
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 37,5W; 4,5V~6,5V; 21,1nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | JUXING | 21,1nC | 37,5W | 30A | 60A | 4,5V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 650V | |||||||||||||||||||||||||
MMBT5551
Tranzystor NPN; Bipolarny; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 300 | 300MHz | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
S8050 MDD(MICRODIODE)
Tranzystor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8050-ML; KST8050S;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 150MHz | 500mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRLR2908
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
24mOhm | 31A | 53,5W | TO252 | TECH PUBLIC | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
S8550 China
Tranzystor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 150MHz; -500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8550-ML; KST8550S;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 150MHz | -500mA | -25V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
S9013 (J3)
Tranzystor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; S9013-L-YAN; S9013-H-YAN; MOSLEADER S9013-ML;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 150MHz | 500mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SS8050 SOT23
Tranzystor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; KST8550; MOSLEADER SS8050-ML;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 100MHz | 1,5A | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SS8550 SOT-23 MDD(MICRODIODE) MDD
Tranzystor PNP; Bipolarny; 400; -25V; -5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER SS8550-ML; SS8550-D;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 100MHz | 1,5A | -25V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
GAN063-650WSAQ
Tranzystor N-Channel GaN/MOS-FET; 650V; 20V; 120mOhm; 34,5A; 143W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 34,5A | 143W | TO247 | NXP | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: GAN063-650WSAQ Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
260 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
120mOhm | 34,5A | 143W | TO247 | NXP | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: GAN063-650WSAQ Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
120mOhm | 34,5A | 143W | TO247 | NXP | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BGN40Q120SD BYD
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0V~7,0V; 142nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | BYD | 142nC | 428W | 80A | 160A | 5,0V ~ 7,0V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 1200V | |||||||||||||||||||||||||
DGF30F65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Donghai | 48nC | 60W | 60A | 180A | 5,0V ~ 7,0V | -45°C ~ 175°C | THT | 30V | 650V | |||||||||||||||||||||||||
DHG20T65D DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 40A; 60A; 96W; 4,5V~7,0V; 59nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Donghai | 59nC | 96W | 40A | 60A | 4,5V ~ 7,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 20V | 650V | |||||||||||||||||||||||||
DGN30F65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 230W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3PN | Donghai | 48nC | 230W | 60A | 180A | 5,0V ~ 7,0V | -45°C ~ 175°C | THT | 30V | 650V | |||||||||||||||||||||||||
SL15T120FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 30A; 40A; 125W; 4,5V~6,5V; 70nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | SLKOR | 70nC | 125W | 30A | 40A | 4,5V ~ 6,5V | -55°C ~ 150°C | THT | 30V | 1200V | |||||||||||||||||||||||||
SL25T120FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 60A; 350W; 4,5V~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | SLKOR | 120nC | 350W | 50A | 60A | 4,5V ~ 6,5V | -55°C ~ 150°C | THT | 20V | 1200V | |||||||||||||||||||||||||
SL40T120FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 718W; 4,5V~6,5V; 165nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | SLKOR | 165nC | 718W | 80A | 160A | 4,5V ~ 6,5V | -55°C ~ 175°C | THT | 20V | 1200V | |||||||||||||||||||||||||
SL40T65FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,0V~6,0V; 219nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | SLKOR | 219nC | 375W | 80A | 160A | 4,0V ~ 6,0V | -40°C ~ 175°C | THT | 20V | 650V | |||||||||||||||||||||||||
2N7002,215
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 5Ohm; 300mA; 830mW; -65°C~150°C; 2N7002.215;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1850 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
5Ohm | 300mA | 830mW | SOT23 | NXP | 60V | N-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002,235 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 300mA | 830mW | SOT23 | NXP | 60V | N-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002,235 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 300mA | 830mW | SOT23 | NXP | 60V | N-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1482000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
5Ohm | 300mA | 830mW | SOT23 | NXP | 60V | N-MOSFET | -65°C ~ 150°C | 30V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS138 SOT23 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
11600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
2,5Ohm | 340mA | 350mW | SOT23 | HT | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 22V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
PTL03N10 SOT-23
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-23 Odpowiednik: AOSS62934; FDN8601;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: PTL03N10 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DI020N06D1
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R ODPOWIEDNIK: DI020N06D1-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 20A | 45W | TO252 (DPAK) | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
PT9926 SOP-8 HT SEMI
Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 2W; -55°C~150°C; ODPOWIEDNIK: IRF7301TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: PT9926 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
40mOhm | 6A | 2W | SOP08 | HT | 20V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84 SOT23 HT SEMI
Tranzystor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
11800 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | -130mA | 225mW | SOT-23 | HT | -60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD |
Tranzystory
Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje. Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.
Czym jest i do czego służy tranzystor?
Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:
- Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
- Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
- Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.
Tranzystory i ich rodzaje
Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:
- tranzystory polowe,
- tranzystory bipolarne
- tranzystory igbt.
Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.
Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.
Tranzystory w naszej ofercie
Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt.
Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.