Tranzystory (wyszukane: 8522)
Produkt | Koszyk |
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Obudowa
|
Producent
|
Moc strat
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Częstotliwość graniczna
|
Ładunek bramki
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Montaż
|
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
15T65SD JUXING
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 30A; 60A; 37,5W; 4,5V~6,5V; 21,1nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | JUXING | 21,1nC | 37,5W | 30A | 60A | 4,5V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
MMBT5551
Tranzystor NPN; Bipolarny; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 300 | 300MHz | 600mA | 160V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
S8050 MDD(MICRODIODE)
Tranzystor NPN; Bipolar; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8050-ML; KST8050S;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 150MHz | 500mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IRLR2908
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
24mOhm | 31A | 53,5W | TO252 | TECH PUBLIC | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
S8550 China
Tranzystor PNP; Bipolar; 400; -25V; -5V; 150MHz; -500mA; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER S8550-ML; KST8550S;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 150MHz | -500mA | -25V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
S9013 (J3)
Tranzystor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 150MHz; 500mA; 300mW; -55°C~150°C; S9013-L-YAN; S9013-H-YAN; MOSLEADER S9013-ML;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 150MHz | 500mA | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SS8050 SOT23
Tranzystor NPN; Bipolarny; 400; 25V; 5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; KST8550; MOSLEADER SS8050-ML;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 100MHz | 1,5A | 25V | NPN | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
SS8550 SOT-23 MDD(MICRODIODE) MDD
Tranzystor PNP; Bipolarny; 400; -25V; -5V; 100MHz; 1,5A; 300mW; -55°C~150°C; MOSLEADER SS8550-ML; SS8550-D;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT23 | MDD | 300mW | 400 | 100MHz | 1,5A | -25V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
GAN063-650WSAQ
Tranzystor N-Channel GaN/MOS-FET; 650V; 20V; 120mOhm; 34,5A; 143W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
120mOhm | 34,5A | 143W | TO247 | NXP | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: GAN063-650WSAQ Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
120mOhm | 34,5A | 143W | TO247 | NXP | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: GAN063-650WSAQ Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
260 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
120mOhm | 34,5A | 143W | TO247 | NXP | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
BGN40Q120SD BYD
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 428W; 5,0V~7,0V; 142nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | BYD | 142nC | 428W | 80A | 160A | 5,0V ~ 7,0V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
DGC40F120M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 80A; 160A; 388W; 4,5V~6,5V; 198nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Donghai | 198nC | 388W | 80A | 160A | 4,5V ~ 6,5V | -45°C ~ 175°C | THT | 1200V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
DGC40H65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 80A; 160A; 280W; 5,0V~7,0V; 84nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Donghai | 84nC | 280W | 80A | 160A | 5,0V ~ 7,0V | -45°C ~ 175°C | THT | 650V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
DGC60F65M DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 120A; 180A; 428W; 5,0V~7,0V; 106nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Donghai | 106nC | 428W | 120A | 180A | 5,0V ~ 7,0V | -45°C ~ 175°C | THT | 650V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
DGC75F65M DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 150A; 300A; 440W; 4,5V~7,0V; 187nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
28 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Donghai | 187nC | 440W | 150A | 300A | 4,5V ~ 7,0V | -45°C ~ 175°C | THT | 650V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
DGCP120F65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 160A; 360A; 500W; 4,0V~6,5V; 300nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247Plus-3L | Donghai | 300nC | 500W | 160A | 360A | 4,0V ~ 6,5V | -55°C ~ 175°C | THT | 650V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
DGF30F65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 60W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Donghai | 48nC | 60W | 60A | 180A | 5,0V ~ 7,0V | -45°C ~ 175°C | THT | 650V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
DHG20T65D DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 40A; 60A; 96W; 4,5V~7,0V; 59nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
TO220iso | Donghai | 59nC | 96W | 40A | 60A | 4,5V ~ 7,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
DHG25T120 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 278W; 4,5V~7,0V; 141nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | Donghai | 141nC | 278W | 50A | 75A | 4,5V ~ 7,0V | -55°C ~ 150°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
DGN30F65M2 DONGHAI
Tranzystor IGBT ; 650V; 30V; 60A; 180A; 230W; 5,0V~7,0V; 48nC; -45°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 3PN | Donghai | 48nC | 230W | 60A | 180A | 5,0V ~ 7,0V | -45°C ~ 175°C | THT | 650V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
SL15T120FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 30V; 30A; 40A; 125W; 4,5V~6,5V; 70nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | SLKOR | 70nC | 125W | 30A | 40A | 4,5V ~ 6,5V | -55°C ~ 150°C | THT | 1200V | 30V | |||||||||||||||||||||||||
SL25T120FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 60A; 350W; 4,5V~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | SLKOR | 120nC | 350W | 50A | 60A | 4,5V ~ 6,5V | -55°C ~ 150°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
SL40T120FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 718W; 4,5V~6,5V; 165nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | SLKOR | 165nC | 718W | 80A | 160A | 4,5V ~ 6,5V | -55°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
SL40T65FL SLKOR
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,0V~6,0V; 219nC; -40°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
TO247 | SLKOR | 219nC | 375W | 80A | 160A | 4,0V ~ 6,0V | -40°C ~ 175°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
BSS138 SOT23 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
11600 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
2,5Ohm | 340mA | 350mW | SOT23 | HT | 50V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 22V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
BSS84 SOT23 HT SEMI
Tranzystor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
11900 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
10Ohm | -130mA | 225mW | SOT-23 | HT | -60V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
YFW9926S SOP-8 YFW
20V 5.2A 2W 50m?@4.5V,2.6A 700mV 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS Odpowiednik: IRF7301; IRF7301TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW9926S RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 180 Ilość (wielokrotność 1) |
19mOhm | 7,1A | 2W | SOP08 | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | |||||||||||||||||||||||||||
2N1711 CDIL
Tranzystor NPN; 300; 800mW; 50V; 500mA; 70MHz; -65°C ~ 200°C; 2N1711; 2N1711-CDI;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
374 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
TO 39 | CDIL | 800mW | 300 | 70MHz | 500mA | 50V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: 2N1711 Obudowa dokładna: TO 39 |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
TO 39 | CDIL | 800mW | 300 | 70MHz | 500mA | 50V | NPN | -65°C ~ 200°C | |||||||||||||||||||||||||||
2N7002K SOT23 MDD
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 10) |
3Ohm | 300mA | 300mW | SOT23 | MDD | 60V | MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
3Ohm | 300mA | 300mW | SOT23 | MDD | 60V | MOSFET | -50°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2N7000
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6200 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
9Ohm | 200mA | 400mW | TO92 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7000 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
85370 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
9Ohm | 200mA | 400mW | TO92 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N7000 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
9Ohm | 200mA | 400mW | TO92 | DIOTEC | 60V | N-MOSFET | 60V | -55°C ~ 150°C | 20V | THT | |||||||||||||||||||||||||
SK3400 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
55mOhm | 5,8A | SOT23 | SHIKUES | 30V | N-MOSFET | -50°C ~ 150°C | 12V | SMD |
Tranzystory
Modele polowe, bipolarne, igbt – to tranzystory, które znajdziesz w sklepie Micros. Sprawdź, do czego służy tranzystor i co wyróżnia poszczególne jego rodzaje. Zobacz, dlaczego warto wybrać oferowane przez nas produkty.
Czym jest i do czego służy tranzystor?
Tranzystor to półprzewodnik posiadający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego. Urządzenie wyróżnia się niewielkimi wymiarami, dlatego tranzystory zastąpiły stosowane wcześniej lampy elektronowe. Uważa się, że pojawienie się na rynku oferowanego w tej kategorii sprzętu to jeden z głównych czynników pobudzających rozwój elektroniczny w ostatnich kilkudziesięciu latach. Wszystko za sprawą możliwości znacznego wzmocnienia sygnału poprzez zastosowanie małego i niezbyt skomplikowanego elementu. Jednak czemu właściwie okazało się to tak ważne i do czego służy tranzystor w dzisiejszej elektronice? Oto kilka przykładów:
- Stanowi najważniejszą część wzmacniaczy;
- Służy jako element konstrukcyjny pamięci półprzewodnikowej;
- Bierze udział w transmisji sygnału, np. w przesuwnikach napięciowych i generatorach.
Tranzystory i ich rodzaje
Odpowiedź na pytanie, do czego służy tranzystor, nie jest prosta, dopóki nie wyjaśniamy, że dostępne są tranzystory różnego rodzaju. W ofercie Microsa znajdziesz każdy tranzystor, którego możesz potrzebować. Posiadamy sprzęt o zróżnicowanym zastosowaniu, ponieważ naszym celem jest spełnienie potrzeb każdego klienta. Wyróżniamy 3 główne typy tranzystorów, a dziesiątki przedstawicieli każdej z tych kategorii znajdziesz w odpowiednich kategoriach produktowych w naszym sklepie:
- tranzystory polowe,
- tranzystory bipolarne
- tranzystory igbt.
Tranzystor polowy można uznać za najbardziej klasyczną wersję tranzystora. Wynalazek ten ma już niemal 100 lat, jednak wciąż jest niezwykle przydatny. Mowa o urządzeniu, które składa się z jednej warstwy półprzewodnikowej, a sterowanie prądem odbywa się poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego.
Tranzystory bipolarne, które również oferujemy w sprzedaży, to aż 3 warstwy półprzewodnikowe, a każda z nich reprezentuje inny typ półprzewodnictwa. Natomiast tranzystor igbt to odmiana modelu bipolarnego, wyposażona dodatkowo w bramkę izolowaną.
Tranzystory w naszej ofercie
Naszą ofertę stanowią tranzystory do wszelkich zastosowań. Oferujemy liczne modele polowe, zwane unipolarnymi, które okazują się niezbędnymi częściami układów scalonych czy przełączników. Jeśli potrzebujesz części do wzmacniaczy prądu, wybierz nasze tranzystory bipolarne. Natomiast niezbędne części do instalacji fotowoltaicznych znajdziesz w kategorii z tranzystorami igbt.
Wszystkie nasze produkty pochodzą od sprawdzonych producentów. Wśród naszych dostawców tranzystorów znajdziesz takie marki jak: NXP, Hottech, Infineon, czy Born. Przed dopuszczeniem produktu do sprzedaży przeprowadzamy sprawdzenie tranzystora. Wszystko po to, aby mieć pewność, że klient otrzyma od nas jakościowy i w pełni sprawny sprzęt.