Tranzystory polowe (wyszukane: 6608)

1  2  3  4  5  6  7  8  9    221
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
AO3416A SOT23 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 51mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3416 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3416A RoHS || AO3416A SOT23 SOT23
Producent:
XBLW
Symbol Producenta:
AO3416A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6600 0,3140 0,1760 0,1340 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
AO4832 SOP8 XBLW Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AO4832 RoHS || AO4832 SOP8 XBLW SOP08
Producent:
XBLW
Symbol Producenta:
AO4832 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2500 0,6860 0,4500 0,3880 0,3580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
AO3400 XBLW Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 59mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; SL3400;
AO3400 RoHS || AO3400 XBLW SOT23
Producent:
XBLW
Symbol Producenta:
AO3400 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4910 0,2250 0,1230 0,0917 0,0819
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
AO3415A SOT23 XBLW Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 60mOhm; 4A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3415A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
AO3415A RoHS || AO3415A SOT23 XBLW SOT23
Producent:
XBLW
Symbol Producenta:
AO3415A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6050 0,2870 0,1620 0,1230 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
RC3400 SOT23 REALCHIP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
RC3400 RoHS || RC3400 SOT23 REALCHIP SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC3400 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4420 0,1740 0,1020 0,0744 0,0680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
RC3400A SOT23 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; RC3400A;
RC3400A RoHS || RC3400A SOT23 RealChip SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC3400A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4730 0,2170 0,1180 0,0884 0,0789
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
RC4606 SOP8 RealChip Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; RC4606, PT4606A, YFW6G03S, IRF7319TRPBF-VB;
RC4606 RoHS || RC4606 SOP8 RealChip SOP08
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC4606 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6430 0,4220 0,3640 0,3360
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
RCD30P03 TO-252 RealChip Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
RCD30P03 RoHS || RCD30P03 TO-252 RealChip TO252
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RCD30P03 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6290 0,4890 0,4420 0,4280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
IRF7493TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC 80V 9.3A 15mOhm@10V,5.6A 2.5W 4V@250uA 1 N-channel SOP-8 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: TPIRF7493TRPBF;
TPIRF7493TRPBF RoHS || IRF7493TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC SOP08
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
TPIRF7493TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,1700 1,9900 1,6500 1,4700 1,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
MOT7N65F TO-220F TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF7N65BTH;
MOT7N65F RoHS || MOT7N65F TO-220F TO220iso
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT7N65F RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6600 2,3200 1,8300 1,6600 1,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
MOT10N65F TO-220F TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP;
MOT10N65F RoHS || MOT10N65F TO-220F TO220iso
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT10N65F RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5000 1,5100 1,1600 1,0500 0,9980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 800mOhm 10A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220iso MOT
MOT65R099F TO-220F 650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF099N65S3;
MOT65R099HF RoHS || MOT65R099F TO-220F TO220iso
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT65R099HF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,5400 6,7800 5,9000 5,7900 5,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 99mOhm 24A 39W THT -55°C ~ 150°C TO220iso MOT
MOT2N7002 SOT-23 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002L; 2N7002-7-F; BSS138LT1G;
MOT2N7002 RoHS || MOT2N7002 SOT-23 SOT23
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 6000+
cena netto (PLN) 0,2390 0,0884 0,0467 0,0345 0,0329
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 7,5Ohm 115mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT-23 MOT
MOT3400A3-5.8A SOT-23 TRANSISTOR MOT3400AB2 ODPOWIEDNIK: YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
MOT3400AB2 RoHS || MOT3400A3-5.8A SOT-23 SOT23
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT3400AB2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4680 0,1840 0,1080 0,0788 0,0720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
MOT3401AA3 SOT-23 TRANSISTOR P-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 ODPOWIEDNIK: AOS AO3401;
MOT3401AA3 RoHS || MOT3401AA3 SOT-23 SOT23
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT3401AA3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4540 0,1790 0,1050 0,0765 0,0699
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
SQ3987EV-T1_GE3 TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
SQ3987EV-T1_GE3 RoHS || SQ3987EV-T1_GE3 || SQ3987EV-T1_GE3 TSOP06
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQ3987EV-T1_GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5200 2,2300 1,7600 1,6000 1,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SQ3987EV-T1_GE3
Obudowa dokładna:
TSOP06
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
TSM2308CX RFG-VB SOT23(T/R) VBSEMI 60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS podobny do: TSM2308CX RFG;
TSM2308CX RFG-VB RoHS || TSM2308CX RFG-VB SOT23(T/R) VBSEMI SOT23
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
TSM2308CX RFG-VB RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3200 0,7040 0,5480 0,4950 0,4790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
MOT10N65 TO220 MOT 650V 10A 50W 800mOhm@10V,5A 2V 1 N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: STP10NK60Z;
MOT10N65A RoHS || MOT10N65 TO220 MOT TO220
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT10N65A RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,5000 1,5000 1,1400 1,0700 0,9980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 4V 30V 800mOhm 10A 156W THT -55°C ~ 150°C TO220 MOT
MOT15N10D TO252(DPAK) MOT 100V 15A 34.7W 80mOhm@10V,8A 3V 1 N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRFR120N;
MOT15N10D RoHS || MOT15N10D TO252(DPAK) MOT TO252
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT15N10D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
 
Stan magazynowy:
2500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5800 0,3850 0,3210 0,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 80mOhm 15A 34,7W SMD -55°C ~ 125°C TO252 MOT
MOT3415A3 (with ESD) SOT23 MOT 30V 7A 25mOhm@10V 1.6W 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23A-3L Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: AO3419;
MOT3415A3 RoHS || MOT3415A3 (with ESD) SOT23 MOT SOT23
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT3415A3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5900 0,2710 0,1470 0,1100 0,0984
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
MOT7N80F TO-220F MOT TRANS ODPOWIEDNIK: MOT7N80F;
MOT7N80F RoHS || MOT7N80F TO-220F MOT TO220iso
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT7N80F RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,7100 1,7000 1,3300 1,2600 1,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
MOT65R850F TO-220F MOT 650V 4A 20W 850mOhm@10V, TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ; SUPER JUNCTION N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF850N65Z;
MOT65R850F RoHS || MOT65R850F TO-220F MOT TO220iso
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT65R850F RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,0800 1,9500 1,5400 1,4000 1,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 850mOhm 4A 20W THT -55°C ~ 150°C TO220iso MOT
MOT65R380F TO-220F MOT 650V 11A 31.8W 330mOhm@10V,5.5A 4.5V TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF380N65FL1;
MOT65R380F RoHS || MOT65R380F TO-220F MOT TO220iso
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT65R380F RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,7800 2,7700 2,2300 1,9100 1,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 330mOhm 10,2A 33W THT -55°C ~ 150°C TO220iso MOT
IRF7316TRPBF-VB SO-8 VBSEMI ELEC TRANSISTOR; SOP8; 30V; 7.3A; Dual P-chanel; VBsemi VBA4338;
VBA4338 RoHS || IRF7316TRPBF-VB SO-8 VBSEMI ELEC SOP08
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
VBA4338 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,4000 0,7740 0,6110 0,5550 0,5370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
VBM1615 TO-220 VBsemi Elec TRANS; 60v 50A ; TO-220 ; N-CHANEL; ODPOWIEDNIK: VBM1615; STP55NF06-VB; STP55NF06; (ORAZ STP55NF06L);
VBM1615 RoHS || VBM1615 TO-220 VBsemi Elec TO220
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
VBM1615 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5000 2,2200 1,7500 1,5900 1,5200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
RC2310A Realchip 60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Odpowiednik: TSM2308CX RFG; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; SI2308BDS-T1-E3; LGE02N60C; YJL03N06C;
RC2310A RoHS || RC2310A Realchip SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC2310A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,4100 0,1620 0,0956 0,0704 0,0630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 10)
MOT2301 SOT23 MOT Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 100mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301ACX;
MOT2301AB2 RoHS || MOT2301 SOT23 MOT SOT23
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT2301AB2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3890 0,1530 0,0895 0,0655 0,0598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 20V 12V 100mOhm 3A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MOT
MOT2305 SOT23 MOT Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402;
MOT2305B2 RoHS || MOT2305 SOT23 MOT SOT23
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT2305B2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4580 0,2100 0,1140 0,0856 0,0764
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 55mOhm 6A 1,83W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MOT
MOT2312B2 SOT23 MOT Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 28mOhm; 6,8A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244; MOT2312; IRLML6244TRPBF; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416;
MOT2312B2 RoHS || MOT2312B2 SOT23 MOT SOT23
Producent:
MOT
Symbol Producenta:
MOT2312B2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5270 0,2420 0,1320 0,0984 0,0878
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 28mOhm 6,8A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MOT
2N7002K SOT23 FUXINSEMI Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP;
2N7002K RoHS || 2N7002K SOT23 FUXINSEMI SOT23
Producent:
FUXINSEMI
Symbol Producenta:
2N7002K RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2930 0,1130 0,0550 0,0438 0,0418
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 500mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 FUXINSEMI
1  2  3  4  5  6  7  8  9    221

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.