Tranzystory polowe (wyszukane: 6484)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7493TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC
80V 9.3A 15mOhm@10V,5.6A 2.5W 4V@250uA 1 N-channel SOP-8 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: TPIRF7493TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: TPIRF7493TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
MOT7N65F TO-220F
TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF7N65BTH;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT7N65F RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
MOT10N65F TO-220F
TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: MAGNACHIP MDF10N65BTH; STP10NK60ZFP;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT10N65F RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
MOT65R099F TO-220F
650V 40A 99mOhm@10V 35W 4V@0.25mA TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF099N65S3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT65R099HF RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
MOT2N7002 SOT-23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002L; 2N7002-7-F; BSS138LT1G;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT2N7002 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
MOT3400A3-5.8A SOT-23
TRANSISTOR MOT3400AB2 ODPOWIEDNIK: YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT3400AB2 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
MOT3401AA3 SOT-23
TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: AOS AO3401;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT3401AA3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
SQ3987EV-T1_GE3
TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQ3987EV-T1_GE3 RoHS Obudowa dokładna: TSOP06 t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SQ3987EV-T1_GE3 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
|||||||||||||||||||||||
MOT10N65 TO220 MOT
650V 10A 50W 800mOhm@10V,5A 2V 1 N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: STP10NK60Z;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT10N65A RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 4V | 30V | 800mOhm | 10A | |||||||||||||||||
MOT15N10D TO252(DPAK) MOT
100V 15A 34.7W 80mOhm@10V,8A 3V 1 N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRFR120N;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT15N10D RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
MOT3415A3 (with ESD) SOT23 MOT
30V 7A 25mOhm@10V 1.6W 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23A-3L Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: AO3419;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT3415A3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
MOT7N80F TO-220F MOT
TRANS ODPOWIEDNIK: MOT7N80F;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT7N80F RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
MOT65R850F TO-220F MOT
650V 4A 20W 850mOhm@10V, TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ; SUPER JUNCTION N-CHANNEL MOSFET ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF850N65Z;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT65R850F RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
MOT65R380F TO-220F MOT
650V 11A 31.8W 330mOhm@10V,5.5A 4.5V TO-220F Single FETs, MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: ONSEMI FCPF380N65FL1;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
MOT Symbol Producenta: MOT65R380F RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
IRF7316TRPBF-VB SO-8 VBSEMI ELEC
TRANSISTOR; SOP8; 30V; 7.3A; Dual P-chanel; VBsemi VBA4338;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: VBA4338 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
VBM1615 TO-220 VBsemi Elec
TRANS; 60v 50A ; TO-220 ; N-CHANEL; ODPOWIEDNIK: VBM1615; STP55NF06-VB; STP55NF06; (ORAZ STP55NF06L);
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: VBM1615 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
MOT2301 SOT23 MOT
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 100mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301ACX;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 100mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MOT | |||||||||||||
MOT2305 SOT23 MOT
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,83W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MOT | |||||||||||||
MOT2312B2 SOT23 MOT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 28mOhm; 6,8A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244; MOT2312; IRLML6244TRPBF; MOT2312B2; LGE8810; PT2312; YFW3416;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 28mOhm | 6,8A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MOT | |||||||||||||
AO3400A SOT23 FUXINSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS; RC3400A;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: AO3400A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 52mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
IRLML6244TRPBF SOT23(T/R) FUXIN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 73mOhm; 6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6244TRPBF; SP001558344;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
FUXINSEMI Symbol Producenta: IRLML6244TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 73mOhm | 6A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXINSEMI | |||||||||||||
TP0610K SOT23(T/R) TECH PUBLIC
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 360mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 500mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
PTS4842 SOP8 HT SEMI
30V 7.7A 21m?@10V,7.7A 2W 2.5V 2 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: IRF7303;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: PTS4842 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
YFW6H03S SOP8(T/R) YFW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7303TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
494 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 30mOhm | 7,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | YFW | |||||||||||||
SI4564DY SOIC8 VBSEMI
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; ODPOWIEDNIK: SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 12mOhm | 7,6A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VBsemi | |||||||||||||
AOD417 TO252(DPAK) TECH PUBLIC
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 30A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | TECH PUBLIC | |||||||||||||
Stan magazynowy:
91 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 91 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 30A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | TECH PUBLIC | |||||||||||||
Stan magazynowy:
409 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 409 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 30A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-10-31
Ilość szt.: 1
|
|||||||||||||||||||||||
YFW9435AS SOP8 YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7406TR; IRF7406PBF; IRF7406TRPBF; IRF9335PBF; IRF7406PBF-GURT; CJQ4459A/SOP8; IRF7406TR(UMW); IRF7406PBF-HXY; UMWIRF7406TR;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW9435AS RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 490 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 70mOhm | 5,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | YFW | |||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW9435AS RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 70mOhm | 5,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | YFW | |||||||||||||
IRLR2908
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 24mOhm; 31A; 53,5W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLR2908TRPBF-TP; IRLR2908TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 24mOhm | 31A | 53,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
YJL05N04C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 50mOhm; 5A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL05N04A IS EOL; REPLACEMENT: YJL05N04C; YJL05N04A-YAN; MOT4526B2; LGE350N04; MOT4526B2;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 50mOhm | 5A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | YY | |||||||||||||
YJL03N06C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 95mOhm; 3A; 1,2W; -55°C~150°C; YJL03N06A IS EOL; REPLACEMENT: YJL03N06C; YJL03N06A-YAN;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 95mOhm | 3A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | YY |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.