Tranzystory polowe (wyszukane: 6492)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN3R7-100BSE NEXPERIA
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10,7mOhm; 120A; 405W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 10,7mOhm | 120A | 405W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | NXP | |||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
PSMN4R2-80YSEX
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 80V | 80V | 20V | 4,2mOhm | 170A | 294W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK56E | NXP | |||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
PSMN8R0-40BS,118 NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 40V 77A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
R6015KNX Rohm Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 290mOhm; 15A; 60W; -55°C ~ 150°C; TO-220-3 Full Pack
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 600V | 30V | 290mOhm | 15A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | ROHM | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
RD01MUS2B-T113
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 10V; 600mA; 3,6W; -40°C ~ 125°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 25V | 10V | 600mA | 3,6W | SMD | -40°C ~ 125°C | SOT89 | Mitsubishi Electric | |||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
RFD14N05L
Tranzystor N-MOSFET; 50V; 50V; 10V; 100mOhm; 14A; 48W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 50V | 50V | 10V | 100mOhm | 14A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 8-PowerVDFN
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 20V | 15,3mOhm | 10A | 15W | SMD | -55°C ~ 150°C | HSMT8 | ROHM | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
RV8C010UNHZGG2CR 3-Pin DFN-W ROHM
Trans MOSFET N-CH 20V 1A Automotive 3-Pin DFN-W
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 20V | 8V | 470mOhm | 1A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT883 | ROHM | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
RV8L002SNHZGG2CR DFN1010-3W ROHM
N-Channel 60 V 250mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 250mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN1010-3W | ROHM | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI1023CX-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI1025X-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI1330EDL
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SC-70 Odpowiednik: SI1330EDL-T1-E3;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 8Ohm | 240mA | 280mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-3 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI1902CDL-T1 Vishay
2N-MOSFET 20V 1.1A 235mΩ 420mW SI1902CDL-T1-GE3
|
|||||||||||||
2xN-MOSFET | 20V | 20V | 12V | 235mOhm | 1,1A | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | VISHAY | |||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI1902DL-T1-E3
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 630mOhm; 660mA; 270mW; -55°C ~ 150°C; SI1902DL-T1-GE3; SI1902DL-T1-BE3;
|
|||||||||||||
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 630mOhm | 660mA | 270mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI2302A-TP
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G29
Tranzystor MOSFET; SOT-23; P-Channel; NO ESD; -15V; -4.1A; 1.05W; -0.55V; 56mΩ SI2305-TP;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 15V | 12V | 56mOhm | 4,1A | 1,05W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GOFORD | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI2305-TP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 90mOhm; 4.1A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305-TP-HF;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 8V | 8V | 90mOhm | 4,1A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | MCC | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI2306-TP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 65mOhm; 20A; 620mW; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 20V | 65mOhm | 20A | 620mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MCC | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI2307BDS-T1-E3 Vishay
P-MOSFET 30V 2.5A 78mΩ 750mW SI2307BDS-T1-GE3; SI2307-TP;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G05P06L
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 5A; 4,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 60V | 20V | 170mOhm | 5A | 4,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GOFORD | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI2312BDS
N-MOSFET 5A 20V 1.25W 0.031Ω
|
|||||||||||||
N-MOSFET | |||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI2343CDS
Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A Odpowiednik: SI2343CDS-T1-GE3;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI2393DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30 V SOT-23 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI3134KDWA-TP Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET,SOT-363 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
AS3401
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 96mOhm; 4,4A; 1,2W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
P-MOSFET | 30V | 12V | 96mOhm | 4,4A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | ||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||
LGE3415ES
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 podobny do: SI3415B-TP;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | -20V | 10V | 50mOhm | -4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI3417DV-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A 6-Pin TSOP
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI3440ADV-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 150V 1.6A 6-Pin TSOP
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI3457CDV-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP SI3457CDV-T1-GE3
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI3900DV
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 200mOhm; 2A; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI3900DV-T1-E3; SI3900DV-T1; SI3900DV; SI3900DV-T1-E3; SI3900DV-T1-GE3; SI3900DV-T3;
|
|||||||||||||
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 200mOhm | 2A | 830mW | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|