Tranzystory polowe (wyszukane: 6487)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI4410BDY-T1-E3
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 20mOhm; 7,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4410BDY-T1-GE3; SI4410BDY-E3; SI4134DY-T1-GE3;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 20V | 20mOhm | 7,5A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI4410DY
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 20mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 30V | 20V | 20mOhm | 10A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI4435BDY
P-MOSFET -9.1A -30V 2.5W 0.02Ohm;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | -30V | 20V | 20mOhm | -9,1A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G2K8P15S
Tranzystor MOSFET; SOP-8; P-Channel; NO ESD; -150V; -2.2A; 2.5W; -2.2V; 277mΩ Si4455DY;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 150V | 20V | 310mOhm | 2,2A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | GOFORD | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI4948EY-T1-E3
Tranzystor 2xP-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 3,1A; 2,4W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
2xP-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 3,1A | 2,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI4963DY VISHAY
2xP-MOSFET 20V 12V ID6.2A obsolete; Odpowiednik: SI4963DY-T1-E3
|
|||||||||||||
2xP-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 4,9A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI5618-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 1,9A | 830mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MCC | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI6415DQ-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-Pin TSSOP SI6415DQ-T1-GE3
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI7135DP-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 30V 31.6A 8-Pin PowerPAK SO EP
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI4204DY-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 20V 15.5A 8-Pin SOIC N
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI7414DN-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI7464DP-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI7613DN-T1-GE3 VISHAY
Trans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI7617DN-T1-GE3 Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 22,2mOhm; 35A; 52W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 30V | 25V | 22,2mOhm | 35A | 52W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK1212 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI7818DN-T1-E3
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 SI7818DN; SI7818DN-T1-GE3;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 150V | 20V | 142mOhm | 2,2A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK1212 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI7852ADP-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PowerPAK SO
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI7922DN-T1-E3 VISHAY
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SI8802DB-T2-E1
Trans MOSFET N-CH 8V 3A 4-Pin Micro Foot
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G180N06S2
Tranzystor MOSFET; SOP-8; DUAL; N-Channel; NO ESD; 60V; 8A; 2W; 1.5V; 16.5mΩ; 18mΩ Si4946CDY; Si9945BDY; Si9634DY; G05N06S2 GOFORD; G06N06S2 GOFORD; G09N06S2 GOFORD
|
|||||||||||||
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 22mOhm | 8A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | GOFORD | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SIA427ADJ-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 8V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SIA431DJ-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||
P-MOSFET | 20V | 8V | 70mOhm | 9,6A | 3,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | PPAK-SC70-6 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SIA433EDJ
20V 10A 17W 30m@4.5V,6.7A 1V@250A P Channel QFN-6(2x2) MOSFETs ROHS
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SIA437DJ-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 20V 12.6A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SIA449DJ-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 30V 10.4A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SIA931DJ-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin PowerPAK SC-70
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SIR167DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SIR640ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
MMFTN6001
MOSFET, SOT-23, 60V, 0.440A, N, ODPOWIEDNIK: MMFTN6001-DIO;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,6Ohm | 440mA | 530mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SIR870DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SIR872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|