Tranzystory polowe (wyszukane: 6960)

1  2  3  4  5  6  7  8  9    232
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
BSS138BW SOT323 KINGTRONICS Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS138PW,115;
BSS138 RoHS || BSS138BW SOT323 KINGTRONICS SOT323
Producent:
KINGTRONICS
Symbol Producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2920 0,1120 0,0549 0,0437 0,0417
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
RCP55N06 TO220 REALCHIP Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C;
RCP55N06 RoHS || RCP55N06 TO220 REALCHIP TO220
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RCP55N06 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4800 1,5000 1,1500 1,0400 0,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER N-Channel 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23
T2N7002BK,LM(ES) RoHS || T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER SOT23
Producent:
ElecSuper
Symbol Producenta:
T2N7002BK,LM(ES) RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3560 0,1400 0,0820 0,0600 0,0548
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
RC2302A SOT23 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: TSM2302CX; BSS205NH6327; BSS214NH6327; BSS806NH6327XTSA1; BSS205N; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; PT2302B; RC2302A;
RC2302A RoHS || RC2302A SOT23 RealChip SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC2302A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2920 0,1120 0,0549 0,0437 0,0417
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
RC2305A SOT23 REALCHIP Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 113mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: DMP2305U-7; SI2305; LGE2305; KI2305;
RC2305A RoHS || RC2305A SOT23 REALCHIP SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC2305A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4270 0,1680 0,0983 0,0719 0,0657
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
RC2309A SOT23 RealChip Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
RC2309A RoHS || RC2309A SOT23 RealChip SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC2309A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5600 0,2570 0,1400 0,1050 0,0934
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
RC3407A SOT23 RealChip Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 165mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; odpowiednik: IRLML5203TRPBF; IRLML9303TRPBF;
RC3407A RoHS || RC3407A SOT23 RealChip SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC3407A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4540 0,1790 0,1050 0,0765 0,0699
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; Podobny do: AO3400; YJL3400B;
PT3400 RoHS A07T || PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
PT3400 RoHS A07T
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5500 0,2610 0,1470 0,1120 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 52mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HT
PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI 30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS Podobny do: BSS306N;
PT3404 RoHS A49T || PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
PT3404 RoHS A49T
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5500 0,2610 0,1470 0,1120 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 41mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HT
PT4606A SOP-8 HT SEMI Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; Podobny do: IRF7319TRPBF;
PT4606A RoHS APH5DJ || PT4606A SOP-8 HT SEMI SOP08
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
PT4606A RoHS APH5DJ
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0300 0,5710 0,3800 0,3170 0,2950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC N-CHANNEL 200V 1A 2.1W Surface Mount SOT-223
BSP297 RoHS || BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC SOT223
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
BSP297 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
 
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 2,4700 1,4900 1,1700 1,0400 0,9880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 7,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
IRF7201TRPBF-VB RoHS || IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI SOP08
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
IRF7201TRPBF-VB RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,1300 1,2700 1,0700 0,9130 0,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-05-20
Ilość szt.: 500
                     
PTD30P25 TO252 HT SEMI Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH; PTD30P25; AOD417;
PTD30P25 RoHS PK2DJ || PTD30P25 TO252 HT SEMI DPAK
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
PTD30P25 RoHS PK2DJ
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
 
Stan magazynowy:
2500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 0,8790 0,4860 0,3220 0,2690 0,2510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
RC3407 SOT23-3 REALCHIP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3407A;
RC3407 RoHS || RC3407 SOT23-3 REALCHIP SOT23-3
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC3407 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4490 0,1770 0,1030 0,0755 0,0690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
LGE3407 SOT23 LGE Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A 003;
LGE3407 RoHS || LGE3407 SOT23 LGE SOT23
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
LGE3407 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
2990 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6000 0,2850 0,1600 0,1220 0,1090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
PT8205 RoHS 8205A || 8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI TSSOP08
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
PT8205 RoHS 8205A
Obudowa dokładna:
TSSOP08 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5000 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,5500 0,2200 0,1280 0,1070 0,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Ilość (wielokrotność 1)
RC3400 SOT23 REALCHIP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
RC3400 RoHS || RC3400 SOT23 REALCHIP SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC3400 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 9000+
cena netto (PLN) 0,4410 0,1760 0,0884 0,0707 0,0679
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Ilość (wielokrotność 10)
BSS138 SOT23 RealChip Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23 RealChip SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2660 0,1020 0,0500 0,0398 0,0380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
2N7002DW SOT363 RealChip Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1;
RC7002DW RoHS || 2N7002DW SOT363 RealChip SOT363
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RC7002DW RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4770 0,2190 0,1190 0,0891 0,0795
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS84 SOT23 REALCHIP Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84AK,215;
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23 REALCHIP SOT23
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3290 0,1300 0,0757 0,0554 0,0506
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
BSS138A SOT323 HT SEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BSS138PW;
BSS138A RoHS J1 || BSS138A SOT323 HT SEMI SOT323
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BSS138A RoHS J1
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
 
Stan magazynowy:
2600 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3560 0,1400 0,0820 0,0600 0,0548
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
2302 SOT23 HT SEMI MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
2302 RoHS A2sHB || 2302 SOT23 HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
2302 RoHS A2sHB
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1630 0,0596 0,0315 0,0236 0,0218
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 20V 10V 40mOhm 3,5A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HT
LGE50N06D TO252 LGE Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3;
LGE50N06D RoHS || LGE50N06D TO252 LGE TO252
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
LGE50N06D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1500 0,6330 0,4190 0,3490 0,3280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C;
NX7002AK-ES RoHS || NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) SOT23
Producent:
ElecSuper
Symbol Producenta:
NX7002AK-ES RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,4250 0,1690 0,0992 0,0731 0,0654
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 10)
AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC P-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
AO3401 RoHS || AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC SOT23
Producent:
EASTRONIC
Symbol Producenta:
AO3401 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
2000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4140 0,1630 0,0953 0,0697 0,0637
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
RCD30P03 TO-252 RealChip Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
RCD30P03 RoHS || RCD30P03 TO-252 RealChip TO252
Producent:
REALCHIP
Symbol Producenta:
RCD30P03 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6290 0,4890 0,4420 0,4280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
LGE350N04 SOT23 LGE N-Channel 40 V 4A (Ta) 2.5W Surface Mount SOT-23 Podobny do: YJL05N04A; YJL05N04A-F2-0000HF; SI2318A-TP;
LGE350N04 RoHS || LGE350N04 SOT23 LGE SOT23
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
LGE350N04 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6490 0,3080 0,1730 0,1320 0,1180
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
TW40P03D TO252-2L(T/R) TWGMC 30V 35A 4W 1.5V@250uA TO-252-2L Single FETs, MOSFETs ROHS
TW40P03D RoHS || TW40P03D TO252-2L(T/R) TWGMC TO252
Producent:
TWGMC
Symbol Producenta:
TW40P03D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
 
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 1,3200 0,8610 0,6340 0,5460 0,5080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
YFW4406AS Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
YFW4406AS RoHS || YFW4406AS SOP08
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW4406AS RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9850 0,4680 0,2630 0,2000 0,1790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
BSS138 SOT23 YFW Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
BSS138 RoHS || BSS138 SOT23 YFW SOT23
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2860 0,1100 0,0538 0,0428 0,0409
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
1  2  3  4  5  6  7  8  9    232

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.

Wybrane produkty