Tranzystory polowe (wyszukane: 6960)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS138BW SOT323 KINGTRONICS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS138PW,115;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
KINGTRONICS Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
RCP55N06 TO220 REALCHIP
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RCP55N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER
N-Channel 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC2302A SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: TSM2302CX; BSS205NH6327; BSS214NH6327; BSS806NH6327XTSA1; BSS205N; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; PT2302B; RC2302A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC2305A SOT23 REALCHIP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 113mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: DMP2305U-7; SI2305; LGE2305; KI2305;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC2305A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC2309A SOT23 RealChip
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC2309A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC3407A SOT23 RealChip
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 165mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; odpowiednik: IRLML5203TRPBF; IRLML9303TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC3407A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; Podobny do: AO3400; YJL3400B;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 52mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | |||||||||||||
|
PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI
30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS Podobny do: BSS306N;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 41mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | |||||||||||||
|
PT4606A SOP-8 HT SEMI
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; Podobny do: IRF7319TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: PT4606A RoHS APH5DJ Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC
N-CHANNEL 200V 1A 2.1W Surface Mount SOT-223
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: BSP297 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
IRF7201TRPBF SOP8 VBSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 7,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7201PBF; IRF7201TRPBF; IRF7201PBF-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201PBF-HXY;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: IRF7201TRPBF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2026-05-20
Ilość szt.: 500
|
|||||||||||||||||||||||
|
PTD30P25 TO252 HT SEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; podobny do: YFW60P03AD; PTD40P20; HSU3103; DOD23-O4; DOD30P03; TW40P03D; SP30P20TH; PTD30P25; AOD417;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: PTD30P25 RoHS PK2DJ Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC3407 SOT23-3 REALCHIP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3407A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC3407 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
LGE3407 SOT23 LGE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A 003;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: LGE3407 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2990 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
5000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
RC3400 SOT23 REALCHIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS; YJL3400B; AOS AO3400; MOT3400AB2; BSS306NH6327XTSA1; RC2304A; YFW3404B; PT3404; BSS306N-VB; LGE3404;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
9000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
BSS138 SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
2N7002DW SOT363 RealChip
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RC7002DW RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
BSS84 SOT23 REALCHIP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84AK,215;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
BSS138A SOT323 HT SEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BSS138PW;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
HT SEMI Symbol Producenta: BSS138A RoHS J1 Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
2600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
2302 SOT23 HT SEMI
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 20V | 10V | 40mOhm | 3,5A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | |||||||||||||
|
LGE50N06D TO252 LGE
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: NDT70N06; LGE50N06D; SUD50N06-09L-E3;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: LGE50N06D RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ElecSuper Symbol Producenta: NX7002AK-ES RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC
P-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
EASTRONIC Symbol Producenta: AO3401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
|
RCD30P03 TO-252 RealChip
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
REALCHIP Symbol Producenta: RCD30P03 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
LGE350N04 SOT23 LGE
N-Channel 40 V 4A (Ta) 2.5W Surface Mount SOT-23 Podobny do: YJL05N04A; YJL05N04A-F2-0000HF; SI2318A-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
LGE Symbol Producenta: LGE350N04 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
TW40P03D TO252-2L(T/R) TWGMC
30V 35A 4W 1.5V@250uA TO-252-2L Single FETs, MOSFETs ROHS
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
TWGMC Symbol Producenta: TW40P03D RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
YFW4406AS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW4406AS RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
|
BSS138 SOT23 YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
|||||||||||||||||||||||
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.